模拟电子技术基础试卷2答案[1].doc

模拟电子技术基础试卷2 答案一、填空题（每空1分，共20分）1在本征半导体中加入 3 价元素可形成P型半导体。2PN结最主要的特性是 单向导电性 。 3如图1所示，设二极管导通电压0.7V，则电路的输出电压值为 1.3V 。4某个三极管工作在线性放大区，当，测得;当时，。则电流放大系数 90 ，反向饱和电流= 0.11A 。5场效应管的三个工作区域为 可变电阻区 ， 恒流区 ， 夹断区 。6现测得放大电路中这只管子两个电极的电流如图2所示。则另一电极的电流为 1.01mA ，并在图2中标出其实际方向 ；在圆圈中画出管子的类型 NPN 。7对共射放大电路来说，发生在输出信号正半周期的失真是 截止失真 ，发生在输出信号负半周期的失真是 饱和失真 。8集成运放输入级均采用 差分 放大电路。9如图3示，这是一个 三 级放大电路。假设各级均为共射电路，那么电压放大倍数或。10由理想运放构成的运算电路如图4示，=0.1V，=0.45V，则输出电压= 0.7V 。11为了获得输入电压中的低频信号，应选用 低通 滤波电路。12在乙类功率放大器中，由于三极管的死区电压造成的失真称为 交越失真 。13电压比较器中的集成运放工作在 非线性 区。 图1 图2 图3 图4 图5二、选择题（每题只有一个正确答案，将答案填在横线上。每题2分，共20分）1PN结加正向电压时，耗尽层将 A 。 A变窄 B基本不变 C变宽 D不确定 2当晶体管工作在放大区时，发射结和集电结应为 B 。 A前者正偏、后者正偏 B前者正偏、后者反偏 C前者反偏、后者正偏 D前者反偏、后者反偏3如图5所示，这个管子的类型和材料为 B 。APNP硅管 BPNP锗管 CNPN硅管 DNPN锗管4 B 不是直接耦合放大电路产生零点漂移的原因。 A.元件的老化 B.晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响 D.电源电压不稳定5差分放大电路输入信号为，那么共模信号和差模信号分别为 C 。A. B. C. D 6欲将矩形波转换成三角波，应选用 B 电路。A. 微分运算电路 B.积分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器7一阶RC高通电路的最大相移是 A 。A B C D 8若要降低某放大器的输入电阻和输出电阻，可加入下列负反馈 D 。A、电流串联 B、电压串联C、电流并联 D、电压并联9正弦波振荡电路的起振条件是 A 。A B C D10互补OCL功率放大电路的工作状态是 B ，理想情况下的效率是 。A甲类， B甲乙类， C甲类， D乙类，得 分评卷人三、（对的打，错的打。每题1分，总计10分）1因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （ ）2只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。 （ ）3三极管的集电级电流是由三极管产生的。 （ ）4现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为110，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数一定为12100。 （ ）5为了稳定静态工作点，应引入直流负反馈。 （ ） 6电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的。 （ ）7运放的共模抑制比。 （ ）8RC正弦波振荡电路的振荡频率较低，LC正弦波振荡电路的振荡频率较高。 （ ） 9在电压比较器电路中，集成运放不是工作在开环状态，就是只引入了正反馈。 （ ）10整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。 （ ）四、计算题（共4题，总计50分）1（10分）如图6所示，电路中稳压二极管的稳定电压，最小稳定电流，最大稳定电流。分别计算为和两种情况下输出电压的值。 图6解：时，假设反向击穿，则2分说明稳压二极管反向截止但未击穿，视为开路1分2分时，假设反向击穿，则，2分,2分稳压二极管此时处于反向击穿状态，1分 2（15分）如图7所示，已知,，,，,，。（1）计算静态工作点Q；（2）求解,和（画出交流等效图）。 图7解：（1）2分 1分 1分2分（2）交流等效图3分 2分2分 2分3（15分）如图9所示。（1）判断电路中是否引入反馈，反馈网络包括那些元件，何种反馈，组态如何，并在图中标出瞬时极性；（2）求在深度负反馈条件下的放大倍数和电压放大倍数。图9解：（1）反馈网络是跨接在输入端与输出端的导线1分标出瞬时极性2分 交直流负反馈2分 反馈组态是电流串连负反馈2分（2）2分反馈系数2分