08数字电路复习.doc

一、 填空题： 1半导体存储器的结构主要包含三个部分，分别是（地址译码器、 ）、（ 、存储矩阵 ）、（ 输出缓冲器 ）。28位D/A转换器当输入数字量10000000为5v。若只有最低位为高电平，则输出电压为（ 0.039 ）v；当输入为10001000，则输出电压为（ 5.31 ）v。3就逐次逼近型和双积分型两种A/D转换器而言，（双积分型 ）的抗干扰能力强，（ 逐次逼近型 ）的转换速度快。4由555定时器构成的三种电路中，（施密特触发器 ）和（单稳态触发器 ）是脉冲的整形电路。5逻辑函数有四种表示方法，它们分别是（真值表）、（逻辑图）、（逻辑表达式）和（卡诺图 ）。6将2004个“1”异或起来得到的结果是（ ）。7目前我们所学的双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是（ TTL ）电路和（ CMOS ）电路。8施密特触发器有（两 ）个稳定状态.，多谐振荡器有（ 0 ）个稳定状态。9已知Intel2114是1K* 4位的RAM集成电路芯片，它有地址线（ 10 ）条，数据线（ 4 ）条。10已知被转换的信号的上限截止频率为10kHz，则A/D转换器的采样频率应高于（20 、 ）kHz；完成一次转换所用的时间应小于（50S ）11. TTL门电路输出高电平为 3.4 V ，阈值电压为 1.4 V；12. 触发器按动作特点可分为基本型、 同步型 、主从型 和边沿型；13. 组合逻辑电路产生竞争冒险的内因是 逻辑器件的传输延时 ；14. 三位二进制减法计数器的初始状态为101，四个CP脉冲后它的状态为 001 ；15. RAM的扩展可分为 字扩展 、位扩展 扩展两种； 16. 四位DAC的最大输出电压为5V，当输入数据为0101时，它的输出电压为 5/3 V；17. 如果一输入电压的最大值为1V，采用3位ADC时它的量化阶距为 1/7 V。18. 如图1所示，A=0时，Y= 0；A=1，B=0时，Y= 1 ；19. ，Y的最简与或式为 ；20. 如图2所示为TTL的TSL门电路，EN=0时，Y为 高阻态、 ，EN=1时，Y= ；21. 触发器按逻辑功能可分为RSF、JKF、 TF 、TF 和DF；22. 四位二进制减法计数器的初始状态为0011，四个CP脉冲后它的状态为 1111 ；24. 数字系统按组成方式可分为 组合逻辑电路、时序逻辑电路 两种；25. 四位DAC的最大输出电压为5V，当输入数据为0101时，它的输出电压为 5/3 V；27.函数F=的最简对偶与或式是F=_。28.图示三态门在C=1时，F的输出状态是_。29、A/D转换过程是通过取样、保持、_、编码四个步骤完成的30、TTL集电极开路门必须外接_才能正常工31、表示逻辑函数的常用方法有四种，分别为_、_、_和_.32、若存储器的容量为512K8位，则地址码应取_位。33、施密特触发器有_个稳定状态，多谐振荡器_稳定状态.34、FPLA由_与逻辑阵列和 _或逻辑阵列以及输出缓冲器组成；PAL器件由_的与逻辑阵列和 _或逻辑阵列和输出电路组成。35、555定时器构成的施密特触发器，在电源电压为12V，控制电压接10V，则回差电压为_36、在下列图中，各门电路都是74系列TTL电路，Y1=_Y2=_Y3=_37、编码器的逻辑功能就是把输入的（ ）信号编成对应的（ ）代码。38、衡量DAC和ADC性能优劣的主要标志为（ ）和（ ）。39、用户想对不符合要求的只读存储器重新编程，应选（ ）。40、可以有多个有效输入电平的编码器为_41、若存储器的容量为1024K8位，则地址码应取_位42.555定时器构成的单稳态触发器为负脉冲触发，若负脉冲的宽度大于TW ,应在单稳态触发器输入端之前加_.43.表示逻辑函数的四种方法中，_和_表示法的形式是唯一的。44.在下图中，各门电路都是74系列TTL电路Y1=_,Y2=_, Y3=_. 二、选择题（每题2分，共10分）1、 下列具有记忆功能的器件为（ ） (A)逻辑门 （B）触发器 （C）译码器 （D）比较器2、寄存器具有（ ）功能 (A)暂存 (B)长期存储 (C)可以暂存也可以长期存储3.若逻辑函数F=X+Z，则 =( ) (A) (B) (C) Y (D) X Z4.二输入与非门的一个输入值为“0”，那么它的输出值为（ ） (A) 0 (B) 1 (C) 取决于另一输入值 5、只具有计数功能的触发器为（ ）（A）JK触发器 （B）D触发器（C）RS触发器（D）T触发器6 . A/D转换中，采样频率fs的表达式为（ ） (A) fs2fmax (B) fsfmax (C) fs10fmax (D) fs10fmax7、用74LS系列与非门驱动ID=10mA,VD=1.5V的发光二极管应采用（ ）（A）拉电流工作方式 （B）灌电流方式 （C）前两者均可（已知与非门输出高电平电流IOH(max)=0.4mA,输出低电平电流IOL(max)=16mA）8、要鉴别脉冲幅度应选（ ）（A）计数器 （B）寄存器 （C）单稳态触发器 （D）施密特触发器9. R-2R倒T型电阻网络D/A转换的什么主要由数字量的位数决定（） (1) 分辨率 (2) 精度 (3) 转换时间10.若函数Y= A + B C ,则Y=（ ）(1) A( B + C ) (2) A ( B + C ) (3) A B + C11.若函数Y= A B C ,则Y = ( ) (1) A + B + C (2) A + B + C (3) A + B + C12.数字钟走时是否准确，主要取决于（ ） (1)计数器 （2）分频器 （3）石英晶体振荡器 13.F(A,B,C)=ABC ,使F=1时，ABC应取（ ）（1）001 （2）100 (3)110 (4)111 14.某电路的输出表达式为Si=AiBiCi,Ci+1= AiBi+Ci，该电路为（ ）（A）1位半加器 （B）1位全加器 （C）1位全减器15.下列电路中输出波形的频率最稳的是（ ）A.555 定时器构成的多谐振荡器 B.CMOS门构成的多谐振荡器C.石英晶体多谐振荡器 D.以上三种都不对16. 555定时器构成的单稳态触发器为负脉冲触发，若负脉冲的宽度大于Tw，应在单稳态触发器输入端之前加（ ）A.非门 B.微分电路 C.积分电路17. n进制减法计数器产生借位时，计数器计到（ ）A.n B.n-1 C.018.用方程描述时序电路的逻辑功能，需（ ）A.一个方程 B. 二个方程 C. 三个方程19.用户要想对只读存储器编程，如果不符合要求还要重新编程，应选（ ）A.固定ROM B.PROM C.EPROM20.用RAM2114（10244位）构成409612位RAM，需（ ）A.4片 B.8片 C.12片21.一个二输入TTL或非门，一端接变量A，另一端经10k电阻接地，该或非门的输出为（ ）A.1 B.0 C.A22.一片64k8存储容量的只读存储器（ROM），有 64条地址线和8条数据线 64条地址线和16条数据线 16条地址线和8条数据线 16条地址线和16条数据线三、完成下列各问题1利用卡诺图化简逻辑函数， 给定的约束项为 +（ 本题5分）2、写出JK触发器的特征表和特征方程（ 本题5分） 3、在4位倒T形电阻网络（R-2R）D/A转换器中，已知-8V，反馈电阻为R,试计算当每位输入代码分别为1时在输出端所产生的模拟电压值。（ 本题5分）4、试说明能否将或门当成反相器使用？如果可以，各输入端应如何连接？（即出连线图）（本题5分）5、写出 RS触发器的特征表和特征方程（ 本题5分）6、利用卡诺图化简逻辑函数， 给定的约束项为=0（ 本题5分） 7、.分析图示RAM存储系统，回答以下问题：(1)该RAM系统的总容量为多少?(2)指出图中RAM2的地址范围，并用16进制数表示。 8.试用8选1数据选择器实现AB逻辑功能。(已知A=a1a0，B=b1b0；约定a1a0b1接地址码) 9.已知555定时器构成的多谐振荡器，如图所示，且周期的计算公式为T=0.7(R1+2R2)C，(1)试计算振荡频率f和占空比q(2)画出占空比可调的多谐振荡器电路。 10、用卡诺图化简成最简的与或式。 F（A、B、C、D）=m（0，2，8，9，10，11，13，15）11、如图3为 触发器，写出特性方程，并根据输入的波形画出输出波形。（6分）图312、用基本的逻辑门 设计一个电路实现：输入是4位二进制正整数，当小于或等于10时输出为1，否则为0。（10分）13.分析图示电路逻辑，写出各触发器的激励方程，画出状态转移图，判断能否自启动。14.下图为由555定时器构成的电路，请指出电路名称，并求出回差电压UT，对应输入波形画出输出波形。15.试用ROM构成能实现函数y=x2的运算表电路，x的取值范围是07的正整数，要求：列出真值表，写出表达式，画出存贮矩阵连线图。16.用数据选择器实现函数Y(A、B、C、D)=CD+ACD+D+A+A+BCD要求：写出标准与或表达式，画出逻辑接线图(给定74LS151数据选择器，门可任选，变量D从数据端输入)。17.根据逻辑图，写出Y(A、B、C)表达式，画出对应输入A、B、C的输出Y波形。18.分析图示电路逻辑，写出各触发器的激励方程，画出状态转移图，判断能否自启动19 根据给定的逻辑图写出输出逻辑表达式Y(A,B,C)（不用化简），列出真值表。20 触发器电路如图所示，对应输入波形画出Q、波形(设Q初态为0)。21 写出图示电路的驱动方程，并画出状态图(按Q1Q2Q3排列，列出所有状态)。22 用一个555定时器及电阻电容构成一个多谐振荡器，画出电路图。若给定电阻的阻值只有1k，要求振荡频率为