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垂直腔面发射激光器 VCSEL 制作工艺简介 BeijingAsiaScience Technology VCSEL基本简介 垂直腔表面发射激光器 VerticalCavitySurfaceEmittingLaser 即VCSEL 区别于边发射激光器沿平行于衬底表面 垂直于解理面的方向出射 而是面发射激光器其出光方向垂直于衬底表面 如下图 边发射激光器 a 面发射激光器 b VCSEL基本简介 基本构成 1977年 日本东京工业大学的伊贺健一 KenichiIga 提出VCSEL的概念 其光学谐振腔与半导体芯片的衬底垂直 能够实现芯片表面的激光发射 典型的VCSEL为顶发射结构 结构示意图如下图所示 VCSEL的结构示意图 顶部布拉格反射器 P DBR 谐振腔和底部N DBR VCSEL的制作总工艺过程 工艺过程总流程图 侧向选择氧化制备工艺流程图 VCSEL的制作总工艺过程 工艺制备图 侧向选择氧化制备工艺流程图 外延材料制备 MOCVD 侧向选择氧化制备工艺流程图 n DBR GaAssubstrate active P DBR P ringcontact VCSEL的制作芯片工艺与关键设备 芯片流片 芯片流片过程 外延材料制备 沉积SiO2 侧向选择氧化制备工艺流程图 n DBR GaAssubstrate P ringcontact 外延材料制备 光刻 腐蚀做SiO2掩膜 侧向选择氧化制备工艺流程图 n DBR GaAssubstrate P DBR P ringcontact 外延材料制备 台面腐蚀 侧向选择氧化制备工艺流程图 n DBR GaAssubstrate active P DBR P ringcontact 外延材料制备 去掩膜 侧向选择氧化制备工艺流程图 n DBR GaAssubstrate active P DBR P ringcontact 外延材料制备 局部氧化 侧向选择氧化制备工艺流程图 n DBR GaAssubstrate active P DBR P ringcontact 外延材料制备 沉积SiO2 侧向选择氧化制备工艺流程图 n DBR GaAssubstrate active P DBR P ringcontact 外延材料制备 光刻 刻蚀 开窗 侧向选择氧化制备工艺流程图 n DBR GaAssubstrate active P DBR P ringcontact 外延材料制备 光刻 电极 出光孔 侧向选择氧化制备工艺流程图 n DBR GaAssubstrate active P DB
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