4.6 半导体陶瓷的物理效应.pdf

LOGO 4 材料的电导性能4 材料的电导性能 4 1 电导的物理现象 4 2 离子电导 4 3 电子电导 4 4 金属材料的电导 4 5 固体材料的电导 4 6 半导体陶瓷的物理效应 4 7 超导体 4 1 电导的物理现象 4 2 离子电导 4 3 电子电导 4 4 金属材料的电导 4 5 固体材料的电导 4 6 半导体陶瓷的物理效应 4 7 超导体 Materials Physics LOGO 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 Materials Physics 半导体陶瓷半导体陶瓷 具有半导体特性 电导率约在具有半导体特性 电导率约在10 6 105S m的陶瓷 主要特征 电导率随外界条件 的陶瓷 主要特征 电导率随外界条件 温度 光照 电场 气氛和湿度等 温度 光照 电场 气氛和湿度等 变化而发生显著的变化 变化而发生显著的变化 敏感元件敏感元件 热敏电阻器压敏电阻器气敏传感器热敏电阻器压敏电阻器气敏传感器 LOGO 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 4 6 14 6 1 p n结结 Materials Physics 半导化半导化 在禁带中形成附加能级 这些附加能级的电 离能都比较低 受到激发就会产生载流子而形成 半导体 在禁带中形成附加能级 这些附加能级的电 离能都比较低 受到激发就会产生载流子而形成 半导体 在氧化物晶体中产生附加能级主要有两个途径 在氧化物晶体中产生附加能级主要有两个途径 1 不含杂质的氧化物主要通过不含杂质的氧化物主要通过化学计量比偏 离 化学计量比偏 离 在晶体中存在固有缺陷 在晶体中存在固有缺陷 2 在氧化物中在氧化物中掺入少量杂质掺入少量杂质 在晶体中存在杂 质缺陷 在晶体中存在杂 质缺陷 1 氧化物陶瓷的半导化氧化物陶瓷的半导化 怎样能形成附加能级 怎样能形成附加能级 怎样能形成附加能级 怎样能形成附加能级 LOGO 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 Materials Physics 半导瓷的制备通常要经过高温烧结阶段 如 果烧结在氮气或氢气气氛中 其氧分压低于某 一临界值 则晶粒内部的氧将向外界扩散而产 生氧不足 而在冷却过程中在高温热平衡状态 下产生的氧不足会保留下来 造成化学计量比 偏离 半导瓷的制备通常要经过高温烧结阶段 如 果烧结在氮气或氢气气氛中 其氧分压低于某 一临界值 则晶粒内部的氧将向外界扩散而产 生氧不足 而在冷却过程中在高温热平衡状态 下产生的氧不足会保留下来 造成化学计量比 偏离 组分缺陷组分缺陷 氧不足氧空位或填隙金属离子缺陷施主能级 氧不足氧空位或填隙金属离子缺陷施主能级 LOGO 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 Materials Physics 出现的固有缺陷有两种可能 产生氧空位固有缺陷 产生填隙金属离子固有缺陷 产生氧空位固有缺陷 产生填隙金属离子固有缺陷 MOMO1 x 氧离子晶格位置过剩氧离子晶格位置过剩 氧离子晶格位置过剩氧离子晶格位置过剩 这两种可能情况都会在晶格周围中产生过剩的电 子 这些过剩的电子被氧空位或填隙金属离子形 成的正电中心所束缚 且处于一种弱束缚状态 在导带下面形成施主能级 这两种可能情况都会在晶格周围中产生过剩的电 子 这些过剩的电子被氧空位或填隙金属离子形 成的正电中心所束缚 且处于一种弱束缚状态 在导带下面形成施主能级 例如 例如 TiO2 x 例如 例如 Zn1 xO LOGO Materials Physics 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 例如 例如 TiO2等金属氧化物还原气氛焙烧半导化等金属氧化物还原气氛焙烧半导化 缺陷反应式 缺陷反应式 g O 2 1 e2VO 2OO Vo Vo Vo Eg Ec Ev ED LOGO Materials Physics 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 例如 例如 ZnO在在Zn蒸气中加热半导化蒸气中加热半导化 缺陷反应式 缺陷反应式 eZnZn eZnZn g O 2 1 ZnZnO ii ii 2i Mi Mi Mi Eg Ec Ev ED LOGO 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 Materials Physics 氧过剩金属离子空位缺陷受主能级 氧过剩金属离子空位缺陷受主能级 高温烧结半导瓷如果烧结在氧气气氛中 含氧 量较高 其氧分压超过某一临界值时 则气相中 的氧将向瓷体内部扩散 在达到气一固平衡时就 会在晶体中产生超过化学计量比的氧过剩 这氧 过剩可能在降温时大部分保留下来 从而使最终 产品显著地偏离严格的化学计量比 高温烧结半导瓷如果烧结在氧气气氛中 含氧 量较高 其氧分压超过某一临界值时 则气相中 的氧将向瓷体内部扩散 在达到气一固平衡时就 会在晶体中产生超过化学计量比的氧过剩 这氧 过剩可能在降温时大部分保留下来 从而使最终 产品显著地偏离严格的化学计量比 LOGO 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 Materials Physics 出现的固有缺陷有两种可能 产生填隙氧离子固有缺陷 产生金属离子空位固有缺陷 产生填隙氧离子固有缺陷 产生金属离子空位固有缺陷 MOMO1 x 氧离子过剩氧离子过剩 氧离子过剩氧离子过剩 后者的金属离子一般为二价 一旦氧过剩 为保 持电中性 一部分阳离子变成正三价 视为俘获 一个空穴 形成弱束缚空穴 在价带上方形成受 主能级 后者的金属离子一般为二价 一旦氧过剩 为保 持电中性 一部分阳离子变成正三价 视为俘获 一个空穴 形成弱束缚空穴 在价带上方形成受 主能级 可能性很小可能性很小 例如 例如 Mn1 xO LOGO Materials Physics 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 例如 例如 MnO在氧化气氛下烧结半导化在氧化气氛下烧结半导化 缺陷反应式 缺陷反应式 hVV hVV O2V g O 2 1 MM MM OM2 VM VM VM Eg Ec Ev EA LOGO 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 Materials Physics 半导体中的杂质原子可以使电子在其周围运动 而形成量子态 半导体中的杂质原子可以使电子在其周围运动 而形成量子态 杂质量子态的能级处在禁带之 中 杂质量子态的能级处在禁带之 中 杂质缺陷杂质缺陷 替位高价杂质替位高价杂质 在半导体晶体能带的 在半导体晶体能带的导带底 附近 导带底 附近的位置产生附加的施主能级 的位置产生附加的施主能级 替位低价杂质替位低价杂质 在半导体晶体能带的 在半导体晶体能带的价带顶 附近 价带顶 附近的位置产生附加的受主能级 的位置产生附加的受主能级 LOGO 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 Materials Physics Eg Ec Ev ED ED LaBa 弱束缚电子 和自由电子 弱束缚电子 和自由电子 例如 掺杂例如 掺杂La实现实现BaTiO3的半导化的半导化 缺陷反应式 缺陷反应式 g O 2 1 O2e2La2OLa 2OBa32 替位高价杂质施主能级 替位高价杂质施主能级n型半导体型半导体 LOGO 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 Materials Physics 例如 例如 NiO中掺杂中掺杂Li2O半导化半导化 缺陷反应式 缺陷反应式 ONi22 O2h2iL2 g O 2 1 OLi Eg Ec Ev EA EA 价电子价电子 LiNi h 替位低价杂质受主能级 替位低价杂质受主能级p型半导体型半导体 LOGO 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 Materials Physics 小结小结 n型半导体陶瓷型半导体陶瓷 还原气氛或阳离子金属蒸气中烧结 替位高价杂质 还原气氛或阳离子金属蒸气中烧结 替位高价杂质 p型半导体陶瓷型半导体陶瓷 氧化气氛中烧结 替位低价杂质 氧化气氛中烧结 替位低价杂质 LOGO 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 Materials Physics p 型 型 n 型半导体的简化图示型半导体的简化图示 多数载流子多数载流子 空穴空穴 少数载流子少数载流子 电子电子 多数载流子多数载流子 电子电子 少数载流子少数载流子 空穴空穴 杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流 但由于数量的关系 起导电作用的主要是多子 杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流 但由于数量的关系 起导电作用的主要是多子 近似认为多子与杂质浓度相等 近似认为多子与杂质浓度相等 带负电的 电离受主 带负电的 电离受主 带正电的 电离施主 带正电的 电离施主 p 型半导体型半导体n 型半导体型半导体 LOGO 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 4 6 14 6 1 p n结结 Materials Physics 载流子的两种运动载流子的两种运动 扩散运动和漂移运动扩散运动和漂移运动 2 空间电荷区的形成空间电荷区的形成 扩散运动 漂移运动 扩散运动 漂移运动 电中性的半导体中 载流子从浓度高 的区域向浓度较低区域的运动 在电场作用下 载流子有规则的定向 运动 电中性的半导体中 载流子从浓度高 的区域向浓度较低区域的运动 在电场作用下 载流子有规则的定向 运动 LOGO 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 4 6 14 6 1 p n结结 Materials Physics P区区N区区 多子的扩散运动浓度差多子的扩散运动浓度差 形成空间电荷区 扩散的结果使空 间电荷区 形成空间电荷区 扩散的结果使空 间电荷区变宽变宽 内电场少子的漂移运动内电场少子的漂移运动 内电场越强 漂移运内电场越强 漂移运内电场越强 漂移运内电场越强 漂移运 动越强 而漂移使空间动越强 而漂移使空间动越强 而漂移使空间动越强 而漂移使空间 电荷区电荷区电荷区电荷区变薄变薄变薄变薄 扩散和漂移这一对相反的运动最终达到扩散和漂移这一对相反的运动最终达到扩散和漂移这一对相反的运动最终达到扩散和漂移这一对相反的运动最终达到 动态平衡 空间电荷区的厚度固定不变 动态平衡 空间电荷区的厚度固定不变 动态平衡 空间电荷区的厚度固定不变 动态平衡 空间电荷区的厚度固定不变 空穴空穴 自由电子自由电子 电离受主电离受主 电离施主电离施主 LOGO 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 4 6 14 6 1 p n结结 Materials Physics EC Efn EV EC Ef p EV 3 p n结能带及势垒结能带及势垒 p型n型 p型半导体的型半导体的Efp在禁带的下半部 接近满带 在禁带的下半部 接近满带 n型半导体的型半导体的Efn在禁带的上半部 接近导带 在禁带的上半部 接近导带 LOGO 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 4 6 1 4 6 1 p n结结 Materials Physics EF qVD qVD x 空间电荷区空间电荷区 当两种半导体结合形成当两种半导体结合形成p n结时 电子将从费米能 级高的 结时 电子将从费米能 级高的n区流向费米能级低的区流向费米能级低的p区 空穴则相反 结果使 区 空穴则相反 结果使Efp不断上移 不断上移 Efn不断下移 直到不断下移 直到Efp Efn时 为止 此时 时 为止 此时p n结中有统一的费米能级结中有统一的费米能级Ef p n结处 于平衡状态 结处 于平衡状态 能带相对移动的 原因是 能带相对移动的 原因是p n空间 电荷区中内建电 场的作用结果 空间 电荷区中内建电 场的作用结果 能带相对移动的 原因是 能带相对移动的 原因是p n空间 电荷区中内建电 场的作用结果 空间 电荷区中内建电 场的作用结果 LOGO 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 Materials Physics x V x Vd xpxnx 空间电荷区内电势由空间电荷区内电势由n p区不断下降 电子的电势能 由 区不断下降 电子的电势能 由n p区不断升高 电子从势能低的区不断升高 电子从势能低的n区向势能高的区向势能高的p 区运动 必须克服势能高坡才能到达区运动 必须克服势能高坡才能到达p区 同理空穴也 是如此 区 同理空穴也 是如此 势垒高度势垒高度 pFnFd E E eV 4 6 14 6 1 p n结结 eVd eVd x eV x 0 xn xp LOGO 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 4 6 14 6 1 p n结结 Materials Physics 4 偏压下的偏压下的p n结势垒和整流作用结势垒和整流作用 n p E 内电场内电场 1 加入正偏压 加入正偏压V n区的电势比区的电势比p区的电势高区的电势高VD V 势垒下降 空间电荷区变薄 载流子扩散增 强 载流子产生净电流 势垒下降 空间电荷区变薄 载流子扩散增 强 载流子产生净电流 正向偏压正向偏压 P 区区N 区区 内电场内电场 外电场外电场 IF LOGO 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 4 6 14 6 1 p n结结 Materials Physics 反向偏压 反向偏压 n p E 内电场内电场 P 区区N 区区 内电场内电场 外电场外电场 IR 2 加入负偏压 加入负偏压V n区的电势比区的电势比p区的电势高区的电势高VD V 势垒上高 空间电荷区变厚 载流子扩散 减弱 少数载流子产生净电流极小 势垒上高 空间电荷区变厚 载流子扩散 减弱 少数载流子产生净电流极小 LOGO 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 4 6 14 6 1 p n结结 Materials Physics 高负偏压 高负偏压 3 负压过大 势垒很大 能带弯曲变大 空间电荷 区变薄 负压过大 势垒很大 能带弯曲变大 空间电荷 区变薄 p n结产生结产生隧道效应隧道效应 即 即n区的导带和区的导带和p 区的价带具有相同的能量量子态 区的价带具有相同的能量量子态 n p E 隧道效应隧道效应 LOGO 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 4 6 14 6 1 p n结结 Materials Physics 4 光生伏特效应光生伏特效应 n pn p E n区空穴区空穴 P区电子区电子 LOGO 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 4 6 14 6 1 p n结结 Materials Physics 光生伏特效应 光生伏特效应 1 用能量 用能量等于或大于等于或大于禁带宽度的光子照射禁带宽度的光子照射p n结 结 2 p n区都产生电子区都产生电子 空穴对 产生非平衡载流 子 非平衡载流子破坏原来的热平衡 空穴对 产生非平衡载流 子 非平衡载流子破坏原来的热平衡 4 非平衡载流子在内建电场作用下 非平衡载流子在内建电场作用下 n区空穴向区空穴向p区 扩散 区 扩散 p区电子向区电子向n区扩散 区扩散 5 若 若p n结开路 在结的两边积累电子结开路 在结的两边积累电子 空穴对空穴对 产 生开路电压 产 生开路电压 LOGO 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 4 6 14 6 1 p n结结 Materials Physics 太阳能电池太阳能电池 工作原理 工作原理 光伏效应光伏效应 当电池受到阳光照射时 光与半导体相互作用当电池受到阳光照射时 光与半导体相互作用产生光 生载流子 产生光 生载流子 所产生的电子 所产生的电子 空穴对靠半导体内形成的势垒 分开到两极 正负电荷分别被上下电极收集 由电荷聚 集所形成的电流通过金属导线流向电负载 空穴对靠半导体内形成的势垒 分开到两极 正负电荷分别被上下电极收集 由电荷聚 集所形成的电流通过金属导线流向电负载 LOGO 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 4 6 2 晶界效应4 6 2 晶界效应 Materials Physics 1 压敏效应压敏效应 对电压变化敏感的非线性电 阻效应 对电压变化敏感的非线性电 阻效应 即在某一临界电压以 下 电阻值非常高 可以认为 是绝缘体 当超过临界电压 电阻迅速降低 让电流通过 即在某一临界电压以 下 电阻值非常高 可以认为 是绝缘体 当超过临界电压 电阻迅速降低 让电流通过 敏感电压敏感电压 敏感电压敏感电压 LOGO 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 4 6 2 晶界效应4 6 2 晶界效应 Materials Physics 压敏电阻的电压 电流特性压敏电阻的电压 电流特性 非线性关系非线性关系 a C V I C 相当与电阻值的常数 相当与电阻值的常数 a 非线性指数 非线性指数 a和和C是决定压敏特性的参数是决定压敏特性的参数 a值大于值大于1 a越大 压敏特性越好 一般用 越大 压敏特性越好 一般用VC来代替来代替C VC是压敏电阻器电压 是压敏电阻器电压 LOGO 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 4 6 2 晶界效应4 6 2 晶界效应 Materials Physics ZnO压敏电阻压敏电阻 配方 配方 ZnO及其添加物及其添加物Bi2O3 Pr6O11等 得到压敏特性的重要条件 等 得到压敏特性的重要条件 要在空气中要在空气中 氧化气氛下氧化气氛下 烧成 缓慢冷却 使 晶界充分氧化 烧成 缓慢冷却 使 晶界充分氧化 LOGO 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 4 6 2 晶界效应4 6 2 晶界效应 Materials Physics 晶界的显微结构和组成晶界的显微结构和组成 1 铋偏析 晶界处富含铋离子铋偏析 晶界处富含铋离子 2 Bi2O3副成分大部分存在与三 晶粒交界处 副成分大部分存在与三 晶粒交界处 1 铋偏析 晶界处富含铋离子铋偏析 晶界处富含铋离子 2 Bi2O3副成分大部分存在与三 晶粒交界处 副成分大部分存在与三 晶粒交界处 LOGO 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 4 6 2 晶界效应4 6 2 晶界效应 Materials Physics 双肖特基势垒模型双肖特基势垒模型 当加电压后 肖特基 势垒发生倾斜 当电压 低小时 仅有热激励电 子流越过势垒 但当电 压到达一定值 晶界上 电子发生隧道效应通过 势垒 造成电流急剧增 大 表现为异常的非线 性关系 当加电压后 肖特基 势垒发生倾斜 当电压 低小时 仅有热激励电 子流越过势垒 但当电 压到达一定值 晶界上 电子发生隧道效应通过 势垒 造成电流急剧增 大 表现为异常的非线 性关系 当加电压后 肖特基 势垒发生倾斜 当电压 低小时 仅有热激励电 子流越过势垒 但当电 压到达一定值 晶界上 电子发生隧道效应通过 势垒 造成电流急剧增 大 表现为异常的非线 性关系 当加电压后 肖特基 势垒发生倾斜 当电压 低小时 仅有热激励电 子流越过势垒 但当电 压到达一定值 晶界上 电子发生隧道效应通过 势垒 造成电流急剧增 大 表现为异常的非线 性关系 LOGO 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 Materials Physics 1955年年 Haayman 价控型价控型BaTiO3半导体半导体 PTC效应 效应 电阻率随温度上升发生突变 增大 了 电阻率随温度上升发生突变 增大 了3 4个数量级个数量级 电阻率突变温度在相变 四 方相与立方相转变 温度或居里点 电阻率突变温度在相变 四 方相与立方相转变 温度或居里点 PTC现象是价控型半导体所特有的 现象是价控型半导体所特有的 2 PTC效应效应 正温度系数正温度系数 PTC现象现象 LOGO T Tc时 电阻跃变 时 电阻跃变 Rmax Rmin 达 达103 108 电阻温度系数 电阻温度系数 T大于大于10 oC T oC Log m 1 0 1 2 3 4 热敏陶瓷之热敏陶瓷之 PTC BaTiO3 施主掺杂 施主掺杂 La3 Y3 Bi3 等离子置换等离子置换Ba2 Nb5 Ta5 等置换等置换Ti4 4 6 半导体陶瓷的物理效应半导体陶瓷的物理效应 Materials Physics LOGO 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 Materials Physics n型半导体陶瓷晶界 具有表面能级 表面 能 级 可 以 捕 获 载 流 子 产 生 电 子 耗 损 层 形 成 肖 特 基 势 垒 型半导体陶瓷晶界 具有表面能级 表面 能 级 可 以 捕 获 载 流 子 产 生 电 子 耗 损 层 形 成 肖 特 基 势 垒 PTC现象的机理现象的机理 Heywang晶界模型晶界模型 LOGO 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 Materials Physics 肖特基势垒高度与介电常数有关 介电常数越 大 势垒越低 温度超过居里点 材料的介电常 数急剧减小 势垒增高 电阻率急剧增加 肖特基势垒高度与介电常数有关 介电常数越 大 势垒越低 温度超过居里点 材料的介电常 数急剧减小 势垒增高 电阻率急剧增加 势垒的高度 势垒的高度 e2ns2 2 o rnD nD 施主浓度 施主浓度 ns 表面态密度 表面态密度 T Tc r C T To vexp kT LOGO 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 Materials Physics Heywang 模型无法解释以下现象 模型无法解释以下现象 PTC效应只出现在施主掺杂效应只出现在施主掺杂 n型半导化型半导化BT 而 还原法 而 还原法n型型BT无无PTC效应 效应 PTC效应与冷却方式有关效应与冷却方式有关 LOGO 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 Materials Physics 1976年年Daniels提出提出Ba缺位 模型 缺位 模型 BaTi3O7 2BaBa 2 OO 3BaTiO3 2 VBa 2 VO 扩散系数 扩散系数 VO VBa 晶界上产生 晶界上产生VBa 在高氧分压下 施主掺杂的在高氧分压下 施主掺杂的 BaTiO3中的施主电子被双 电离的钡缺位补偿 形成势 垒 中的施主电子被双 电离的钡缺位补偿 形成势 垒 Daniels模型模型 LOGO 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 Materials Physics Daniels 模型可很好的解释以下现象 还原法制备的 模型可很好的解释以下现象 还原法制备的n型型BaTiO3瓷无瓷无PTC效应 因还原半导化 无钡缺位形成 冷却条件对 效应 因还原半导化 无钡缺位形成 冷却条件对PTC效应的影响 钡缺位是在 冷却过程中形成的 效应的影响 钡缺位是在 冷却过程中形成的 LOGO 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 Materials Physics 等价取代 调整居里温度等价取代 调整居里温度 施主掺杂 价控半导化施主掺杂 价控半导化 受主掺杂 受主掺杂 Barrier Layer Modifiers 如过渡金属离子如 如过渡金属离子如Mn3 Cr3 改变晶界 势垒状态 提高 改变晶界 势垒状态 提高PTC效应效应 对对PTC效应有害的杂质 碱金属离子 效应有害的杂质 碱金属离子 Na K Li 过渡金属 过渡金属 Fe Ni Co Cu等 受主掺 杂元素 等 受主掺 杂元素 Ng Al B 阴离子 阴离子 Cl S SO4 等 等 BaTiO3系系PTC陶瓷的添加剂及作用陶瓷的添加剂及作用 LOGO 4 6 半导体陶瓷的物理效应4 6 半导体陶瓷的物理效应 Materials Physics BaTiO3系系PTC陶瓷的添加剂及作用陶瓷的添加剂及作用 Addition type Addition function Typical substitution level for Ba or Ti Addi