显像管与电子枪实验.doc

显像管实验2012年8月8日上午测试显像管的特性；实验目的：测量在不同VG2的情况下，VG1和Ia的关系。VG3=5KV；VG1=0；VG2=200V；先加电压，后开灯丝。电压无联动现象，此时显像管大约有10光斑，表明电子束无聚焦。VG1 Ia（mA）00.47-10.45-20.39-30.33-40.29-50.26-60.22-70.19-80.17-90.14-100.12-110.1-120.08-130.07-140.06-150.04-160.03-170.03-180.02-190.01-20.50当VG1=-30V时，荧光屏全黑，Ia=0。当VG2=300V时，其余量不变。VG1 Ia（mA）00.8-20.7-40.58-60.48-80.39-100.32-120.26-140.21-160.17-180.13-200.1-220.07-240.05-260.03-280.02-28.80.01-30.80当VG1=-40V时，荧光屏全黑，Ia=0。VG2=400V时，其余量不变。VG1 Ia（mA）01.21-50.87-80.7-100.6-120.52-140.45-160.38-180.32-200.28-220.23-240.19-260.16-280.13-300.1-320.08-340.06-360.04-380.03-400.02-420.01-460当VG1=-55时，荧光屏全黑。Ia=0。下图为VG2=100,200,300V时，VG1与Ia的关系曲线。有上图可得出结论：1. 在相同的VG1下，当VG2增加时，Ia增大，VG2对电子的拉出有促进作用。2. 3条曲线成指数曲线增长且曲线形状相似，说明Ia与VG1，VG2在数学分析上有规律。3. 栅极截止电压随着VG2的增加而增加。显像管实验实验目的：测量阴极（K）调制特性VF=12V，IF=0.076A，VG1=5V，VG3=5KV，VG2=100VVK（V）Ia（mA）1.49 0.372 0.343 0.294 0.245 0.26 0.157 0.128 0.099 0.0710 0.0511 0.0412 0.0313 0.0214.1 0.0119.43全暗VG2=200V时，其余量不变。VK（V）Ia（mA）1.4 0.72 0.663 0.64 0.545 0.496 0.437 0.378 0.3210 0.2412 0.1714 0.1316 0.0918 0.0620 0.0421 0.0322 0.0223 0.0224 0.0130.5 032.5 全暗VG2=300V时，其余量不变。VK（V）Ia（mA）2 1.064 0.926 0.768 0.6210 0.512 0.4114 0.3316 0.2618 0.2120 0.1621 0.1422 0.1223 0.124 0.0925 0.0726 0.0627 0.0528 0.0429 0.0330 0.0231 0.0232（最大）0.01（屏幕比较亮）综上分析，在VG2=100,200,300V时，Vk与Ia的关系曲线如下图。结论：1. Vk和Ia之间呈曲线关系，在Ia很小时，Vk对Ia的影响减弱。2. VG2越大，Ia越大，截止电压越高。3. K极与栅极由相类似的控制能力。电子枪实验2012-9-10 电子枪激活及测量实验实验条件：真空度=2.410-3Pa 温度26C 湿度56% 激活实验结束后，真空度降到3.010-2Pa实验测量：注：“.”表示“同上”VfVaVG1VgG2 Ia1814kV5V200V31A16.19A14.12A12.12A14kV，偶尔有打火。结论：Vf=16V以上，发射较高，以下较低。在Vf=18保持其余变量不变的情况下，改变Va观察Ia的变化。Va（kV）Ia（uA）143112321031831结论：阳极电压Va对电子枪发射电子影响不明显。测量灯丝电压Vf对阳极电流Ia，栅极电流IG1及聚焦极电流IG2的影响。（没填空代表“同上”）Vf（V）VG1（V）VG2（V）Va（kV）IG1（uA）IG2（uA）Ia（uA）1852001079002316608151444561221011071183.34301416307914210312951182.526710161855163501838164501839142001211121181由上表可得出结论：1. 当灯丝电压高时，电流总和能达到几百个uA接近于mA量级说明氧化物阴极发射能力不错，但是阳极电流很小。怀疑可能是新结构电场强度较小使其引出电子能力弱。2. 当灯丝电压达到18V时