32.768KHZ晶振的分析报告.doc

32.768KHZ晶振的分析报告晶振一般叫做晶体谐振器，是一种机电器件，是用电损耗很小的石英晶体经精密切割磨削并镀上电极焊上引线做成，这种晶体有一个很重要的特性，如果给他通电，他就会产生机械振荡，反之，如果给他机械力，他又会产生电，这种特性叫机电效应，我们主板上面用到的32.768KHZ是插件2*6音叉型（柱状晶振）,由于目前晶纬业公司供给我们的32.768KHZ晶振在出货之前出现了一些时间跑不准和晶振不起振的问题，以下是该公司给我们的良品与不良品的分析测试报告：1. 外观确认 5pcs 不良品在印字为：中性印字。引脚上锡，已使用。外观完好。2. 性能测试不良品通过KH-1240网络分析仪常温测试，如下数据：（图1）3. 将从贵司产品上取下合格品测试如下数据：（图2） 测试结果：图1（ 1-5号）和图2（1-6号）：FL：小于正负20ppm Rr:小于30K 满足FL：20ppm、Rr:35K出厂标准。 但图2中1-6号FL：小于正负10ppm Rr:小于25K3. 可靠性测试1) 高低温测试：将不良品通过高低温测试机，工作温度设置-2070分10度一个测试点测试，无跳频、停振现象，结果合格。（数据略） 2) 老化实验： 将不良品放置在120老化箱内24小时后常温下放置2小时测试，结果合格。（数据略）3) 跌落实验： 将不良品通过75cm高度自由落体到30mm厚木地板。测试参数合格。4解剖分析 将1号不良品开壳，用30显微镜下观察，晶片无污染，胶点正常，未发现异常。结论：在退回的5pcs不良品中，通过测试、解剖分析、可靠性测试，未发异常情况。但是结合从贵司取回良品测试分析结果发现不良品的频率偏差FL和晶体内阻 Rr要比良品高出很多；结合装机会反映的不良现象看来是频率偏差和晶体内阻过大造成。Discipline 4. Containment Action改善對策Responsible負 責 人Due Date日期 后续提供贵司产品均按照FL：小于正负10ppm Rr:小于25K来进行提供。刘明刚2011-05-16Discipline 6. Verification of Effectiveness對策效果確認Audit確 認Due Date日期 有待贵司确认谭玉梅2011-05-16Discipline 7. Prevent Recurrence預防再發生對策Responsible負 責 人Due Date日期 执行以上改善措施。邓攀2011-05-16Discipline 8. Congratulate Team問題解決Approval審核Name Position Date ME Supervisor 刘明刚 QA Supervisor 潭玉梅 QC Engineer 黄超文 Sales 王 凡Production製造： 刘明刚QA 品保： 谭玉梅晶纬业提供的报告中各个指标代表的是：Fr：串联频率。（没有外接负载电容，即无穷大）FL：负载电容下频率Rr:串联电阻（没有负载电容下的电阻）DLD-Rr:激励电平相关性（不同激励电平下的最大电阻）DLD-dRr2:激励电平相关性（不同激励电平下的电阻变化值）C0:静态电容C1:动态电容从报告中可以明显的看出良品和不良品的区别：1、良品比不良品的晶振内阻低良品是在25K以内的，而不良品大多是在2530的范围，起先以为这点是晶振不起振的主要原因，于是经过分析和网上找资料，得出晶振的内阻低只是干扰你的外围电路，况且干扰周围的电路影响也小，跟晶振的起振关系不大，不是引起晶振不起振的主要原因，关键不起振主要的原因还是晶体的稳定性不好，材质不好，同时和生产工艺也有关系，正常的2*6圆柱型晶体的插件工艺要求高，最大能承受烙铁的温度是2355, 3 seconds，而能承受波峰焊（回流焊）是350，工厂过锅炉的温度是270，远远低于晶振承受的温度，因此可以排除工厂的生产工艺问题。 原先还怀疑是晶振单边外挂电容的影响，经过咨询PCF8563原厂的工程师，工程师说PCF8563时钟输出脚单边挂电容，组成串联型，稳定性高，另外 PCF8563的技术工程师说这个芯片要求的精度是5-10PPM，用20PPM也可以，但是不良率方面就不敢保证。另外不起振的原因也和外挂电容大小有关系，但是经过分析，由于是单边外挂电容，根据等效电路所知：PCF8563规格书要求图中CT variable外接负载电容为530pF左右，若取中心值18pF，同时考虑到电路板分布电容、芯片管脚电容、晶体自身寄生电容等都会影响总电容值，故实际配置CT时，可各取1518pF左右，并使用瓷片电容为佳，而我们电路里面外挂电容配置的正好是18pF，也在这个范围内，