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近期被问到RF系统选择50ohm的原因,并要求推导出来,于是查阅了一些资料,将其总结一下 Ife/:v lvV*_Y0 射频电缆选择50ohm: d v8q&_ 射频同轴电缆在RF中通常选用50ohm作为标准有几方面的原因:a)是功率容量,抗击穿电压与衰减之间的综合考虑;b)机械美观上的考虑 wEkbq= ;ZOu-Bq 这些可以通过计算来得到,首先假设同轴线的绝缘层是空气介质,其介电常数为1。 4ih0_ !E$2Q| 同轴线的阻抗值: %s&gWi qcVmt1 Z0=sqrt(R+jwL)/(G+jwc),RwL,Gwc,公式1 Eu 8+_ 简化公式:Z0sqrt(L/C)=60*ln(D/d)=138*lg(D/d),公式2 l% p 其中:D为外导体直径;d为内导体直径 J?RqEq% 7)-uYi dA !c2 -3e lV ptA3F 1、在信号传输过程中希望有最大的功率容量:Pmax 8xfzf;Sq U;w| =vM Pmax=V2max/Z0E*d*ln(D/d)2/Z0 公式3 ;jia 将公式2中Z0代人公式3中得 1w_0 U-.A+#IT9 k*ZYT6Z? b O9PpOk+z 2、在信号传输过程中希望有最小的衰减:min=R+G SdXAL EUmbNV0u R:导体电阻损耗引起的电缆衰减分量,称为导体衰减; 3kW%,d*_ yD yMI G:绝缘介质损耗引起的电缆衰减分量,称为介质衰减; tGw QUn cn Lj_mb 由于这里假设是绝缘层为空气介质,因此我们只考虑导体衰减分量R。 ,e707d y928 R=R/(2*Z0),公式5 #gSIa6z1W R:R=(1/D+1/d)/(2);RF频段时电缆的总的趋肤效应串联电阻之和,同轴电缆内导体趋肤效应电阻与内导体直径d成反比,屏蔽层趋肤效应电阻与外导体直径D成反比,则R和(1/D+1/d)成正比; ZPV.u/ &Ul(HR 将Z0代入公式5,得到 ?(Jy* xG8z4Yu R=R/(2*Z0)(1/D+1/d)/ln(D/d),公式6 1z-Qm 公式6进行求导,令求导结果为0求得极值,可得出D/d=3.6,此时同轴线的阻抗为77ohm。 8C4v x7Q:k= MuP&m $eFSA5k,7 综合功率传输量与衰减两方面的考虑,取折中即50ohm。 c.Do b?5 T?EFYf 另外还可以这样计算:在计算电缆最小衰减时得到的电缆阻抗为77ohm,这是在绝缘层假设为空气时计算得出的结果。在实际应用中绝缘层一般采用聚乙烯材料,其介电常数为2.3,当空气作为绝缘层得出最小衰减的特征阻抗为77,换做聚乙烯时,Z0=77/sqrt(2.3)=50。 T_2 s TK4nU# ,_U3p , cpUl*Y= RF电缆选择50ohm作为标准,还有一个机械美观上的原因: _-nIy*,= O_|p65 为了减小电缆的衰减而提高电缆的阻抗,中心内导体的直径相对于整个电缆直径来说要相当细才可以。为降低电缆的特征阻抗,内导体和屏蔽层之间的绝缘介质的厚度要做的很薄。这样几乎所有的电缆为了机械上的美观其特征阻抗都会接近50ohm,这也使得50ohm特征阻抗成为标准的一个自然趋势。 dH+oV Pskg68W |emZZj =7 $bp! PCB制版选择50ohm原因: Q2RO&dL 9 在RF系统中采用50ohm阻抗还表现在PCB的绘制方面: &46 Ro|XE Vv:6il 对于宽度确定的走线,3个主要的因素会影响PCB走线的阻抗。首先,是PCB走线近区场的EMI(电磁干扰)和这个走线距参考平面的高度是成一定的比例关系的,高度越低意味着辐射越小。其次,串扰会随走线高度有显著的变化,把高度减少一半,串扰会减少到近四分之一。最后,高度越低阻抗越小,不易受电容性负载影响。所有的三个因素都会让设计者把走线尽量靠近参考平面。阻止你把走线高度降到零的原因是,大多数芯片驱动不了阻抗小于50欧姆的传输线。 Q$&0McF
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