《常用半导体器》PPT课件.ppt

模拟电子技术基础 童诗白华成英主编 第一章常用半导体器件 1 1半导体的基础知识1 2半导体二极管1 3双极型晶体管1 4场效应管1 5单结晶体管和晶闸管1 6集成电路中的元件 1 1 1本征半导体1 1 2杂质半导体1 1 3PN结 1 1半导体基础知识 第一章 1 1 1本征半导体 第一章 一 半导体物质按导电性能可分为导体 绝缘体和半导体 半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间 二 本征半导体的晶体结构晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵 称为晶格 纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体 第一章 三 本征半导体中的两种载流子 运载电荷的粒子称为载流子 本征半导体有两种载流子 即自由电子和空穴均参与导电 这是半导体的特殊性质 本征半导体中自由电子和空穴数目相等 第一章 四 本征半导体中的载流子的浓度 半导体在热激发下产生自由电子和空穴对的现象称为本征激发 自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴 使两者同时消失 这种现象称为复合 在一定的温度下 本征半导体中载流子的浓度是一定的 并且自由电子与空穴的浓度相等 第一章 五 半导体的特性 掺入杂质则导电率增加几百倍 1 掺杂特性 半导体器件 温度增加使导电率大为增加 2 温度特性 热敏器件 光照不仅使导电率大为增加还可以产生电动势 3 光照特性 1 1 2杂质半导体 第一章 通过扩散工艺 在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素 便可得到杂质半导体 杂质半导体 N型半导体 P型半导体 一 N型半导体 在纯净的硅晶体中掺入五价元素 使之取代晶格中硅原子的位置 就形成了N型半导体 自由电子的浓度大于空穴的浓度 故称自由电子为多数载流子 空穴为少数载流子 由于杂质原子可以提供电子 故称之为施主原子 第一章 二 P型半导体 在纯净的硅晶体中掺入三价元素 使之取代晶格中硅原子的位置 就形成了P型半导体 自由电子的浓度小于空穴的浓度 故称自由电子为少数载流子 空穴为多数载流子 由于杂质原子可以俘获电子 故称之为受主原子 1 1 3PN结 第一章 一 PN结的形成 采用不同的掺杂工艺 将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上 在他们的交界面就形成PN结 PN结具有单向导电性 一 PN结的形成 第一章 P区 N区 扩散运动 载流子从浓度大向浓度小的区域扩散 称扩散运动形成的电流成为扩散电流 内电场 内电场阻碍多子向对方的扩散即阻碍扩散运动同时促进少子向对方漂移即促进了漂移运动 扩散运动 漂移运动时达到动态平衡 内电场的建立 使PN结中产生电位差Uho 电位差Uho决定于材料及掺杂浓度硅 Uho 0 7左右锗 Uho 0 2左右 第一章 二 PN结的单向导电性 第一章 1 PN结外加正向电压时处于导通状态 外电场方向与PN结内电场方向相反 削弱了内电场 于是内电场对多子扩散运动的阻碍减弱 扩散电流加大 扩散电流远大于漂移电流 可忽略漂移电流的影响PN结呈现低阻性 P区的电位高于N区的电位 称为加正向电压 简称正偏 内 外 第一章 2 PN结外加反向电压时处于截止状态 外电场方向与PN结内电场方向相同 加强了内电场 阻止扩散运动的进行 加剧漂移运动的进行 因少子数目极少 反向漂移电流很小 PN结处于截止状态 呈现高阻性 P区的电位低于N区的电位 称为加反向电压 简称反偏 内 外 三 结的电流方程 第一章 式中Is 反向饱和电流 UT kT q 等效电压k 波尔兹曼常数 T 300k 室温 时UT 26mv 由半导体物理可推出 当加反向电压时 当加正向电压时 u UT PN结两端的电压与流过PN结电流的关系式 四 PN结的伏安特性 第一章 其中u大于0的部分称为正向特性 u小于0的部分称为反向特性 当反向电压超过一定数值后 反向电流急剧增加 称之为反向击穿 击穿分齐纳击穿和雪崩击穿两种情况 五 PN结的电容效应 第一章 1 势垒电容耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容Cb PN结加正向电压时 主要体现为多子的扩散运动 在扩散区内 电荷的积累和释放过程与电容器充放电过程相同 这种电容效应称为扩散电容Cd 第一章 2 扩散电容 结电容Cj是Cb与Cd之和 即Cj Cb Cd 第一章 1 2 1半导体二极管的几种常见结构1 2 2二极管的伏安特性1 2 3二极管的主要参数1 2 4二极管的等效电路1 2 5稳压二极管1 2 6其它类型二极管 1 2半导体二极管 1 2 1半导体二极管的几种常见结构 第一章 在PN结上加上引线和封装 就成为一个二极管 二极管按结构分 点接触型 面接触型 平面型 PN结面积大 用于工频大电流整流电路 往往用于集成电路制造工艺中 PN结面积可大可小 用于大功率整流和开关电路中 1 2 1半导体二极管的几种常见结构 第一章 PN结面积小 结电容小 用于检波和变频等高频电路 第一章 1 2 2二极管的伏安特性 与PN结一样 二极管具有单向导电性 但是 由于二极管存在半导体体电阻和引线电阻 所以当外加正向电压时 在电流相同的情况下 二极管的端电压大于PN结上的压降 或者说 在外加正向电压相同的情况下二极管的正向电流要小于PN结的电流 一 二极管和PN结伏安特性的区别 第一章 1 2 2二极管的伏安特性 1 正向起始部分存在一个死区或门坎 称为门限电压 开启电压 硅 Uon 0 5v左右 锗 Uon 0 1v左右 2 加反向电压时 反向电流很小Is硅 nA Is锗 A 硅管比锗管稳定 3 当反向电压增大UBR时再增加 反向激增 发生反向击穿 UBR称为反向击穿电压 二极管的特性对温度很敏感 温度升高 正向特性曲线向左移 反向特性曲线向下移 其规律是 在室温附近 在同一电流下 温度每升高1 正向电压减小2 2 5mV 温度每升高10 反向电流增大约1倍 二 温度对二极管伏安特性的影响 第一章 1 2 3二极管的主要参数 1 最大整流电流IF IF是二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流 其值与PN结面积及外部散热条件等有关 2 最高反向工作电压UR UR是二极管工作时允许外加的最大反向电压 超过此值时 二极管有可能因反向击穿而损坏 3 反向电流IR IR是二极管未击穿时的反向电流 4 最高工作频率fM fM是二极管工作的上限频率 第一章 1 2 4二极管的等效电路 能够模拟二极管特性的电路称为二极管的等效电路 也称为等效模型 一 由伏安特性折线化得到的等效电路 第一章 a 理想模型 b 恒压降模型 c 折线模型 第一章 二 二极管的微变等效电路 在二极管工作点附近 电压的微变值与相应的微变电流值之比 称为该点的交流电阻rd 即从其几何意义上讲 当 U 0时 第一章 在交流信号ui幅值较小的情况下 uR的波形是在一定的直流电压的基础上叠加上一个与ui一样的正弦波 该正弦波的幅度值决定于rd与R的分压 1 2 5稳压二极管 第一章 稳压二极管有着与普通二极管相似的伏安特性 其正向特性为指数曲线 稳压二极管反向击穿时 击穿区的曲线很陡 具有稳压特性 一 稳压二极管的伏安特性 第一章 二 稳压二极管的主要参数 1 稳定电压UZ 在规定电流下稳压管的反向击穿电压 2 稳定电流IZ 稳压管工作在稳压状态时的参考电流 最小电流 3 额定功耗PZM 稳压管的稳定电压UZ与最大稳定电流IZM的乘积 4 动态电阻rz 稳压管工作在稳压区时 端电压变化量与其电流变化量之比 5 温度系数 温度每变化1 稳压值的变化量 例1 2 2 第一章 已知 UZ 6V 最小稳定电流Izmin 5mA 最大稳定电流IZmax 25mA 负载电阻RL 600 求 限流电阻R的取值范围 1 2 6其它类型二极管 第一章 一 发光二极管 发光二极管包括可见光 不可见光 激光等不同的类型 发光二极管的发光颜色决定于所用材料 目前有红 绿 黄 橙等色 可以制成各种形状 如长方型 圆形 例1 2 3 第一章 已知发光二极管导通电压UD 1 6V 正向电流为5 10mA时才能发光 试问 1 开关处于何种位置时发光二极管可能发光 2 为使发光二极管发光 电路中R的取值范围为多少 第一章 二 光电二极管 光电二极管是远红外线接受管 是一种光能与电能进行转换的器件 它的几种常见外形如图如下 第一章 光电二极管的伏安特性 在无光照时 与普通二极管一样 具有单向导电性 有光照时 特性曲线下移 它们分布在第三 四象限内 二 光电二极管 第一章 半导体二极管的型号 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下 附录 半导体二极管图片 第一章 半导体二极管图片 第一章 半导体二极管图片 第一章 第一章 1 3双极晶体管 第一章 1 3 1晶体管的结构及类型1 3 2晶体管的电流放大作用1 3 3晶体管的共射特性曲线1 3 4晶体管的主要参数1 3 5温度对晶体管特性及参数的影响1 3 6光电三极管 E B间的PN结称为发射结 Je C B间的PN结称为集电结 Jc 从结构上看主要有两种类型 发射区 集电区 基区 发射极E 基极B 集电极C NPN型 PNP型 第一章 1 3 1晶体管的结构及类型 1 3 2晶体管的电流放大作用 放大的条件 发射结正向偏置 集电结反向偏置 第一章 1 3 2晶体管的电流放大作用 一 晶体管内部载流子的运动 第一章 发射 多子在发射区和基区之间的扩散 3 收集 扩散到集电结的电子受电场力的作用到达集电极 2 扩散与复合 电子在基区与空穴复合 电子靠扩散作用向集电区运动 1 3 2晶体管的电流放大作用 二 晶体管的电流分配关系 第一章 1 3 2晶体管的电流放大作用 三 晶体管的共射电流放大系数 第一章 其中 ICN为发射区的多数载流子经复合后剩余的量 是集电极电流的主要部分 IBN为发射区的多数载流子到达集电极的过程中被复合掉的量 直流电流放大系数 交流电流放大系数 1 3 3晶体管的共射特性曲线 第一章 一 输入特性曲线 输入特性曲线描述了在管压降UCE一定的情况下 基极电流iB与发射结压降uBE之间的函数关系 即 1 UCE 0V时 发射极与集电极短路 发射结与集电结均正偏 实际上是两个二极管并联的正向特性曲线 2 当UCE 1V时 UCB UCE UBE 0 集电结已进入反偏状态 开始收集电子 且基区复合减少 iB减小 特性曲线将向右稍微移动一些 但UCE再增加时 曲线右移很不明显 通常只画一条 非线性区 死区 线性区 正常工作区 发射结正偏NPNSi UBE 0 6 0 7VPNPGe UBE 0 2 0 3V 一 输入特性曲线 第一章 输出特性曲线描述了在基极电流IB一定的情况下 集电极极电流iC与管压降uCE之间的函数关系 即 二 输出特性曲线 第一章 第一章 饱和区 1 iC受uCE显著控制的区域 该区域内uCE的数值较小 一般uCE 0 7V 硅管 2 Uces 0 3V左右 截止区 IB 0的曲线的下方的区域IB 0Ic IceoNPN uBE 0 5V 管子就处于截止状态 二 输出特性曲线 放大区 iC平行于uCE轴的区域 曲线基本平行等距 发射结正偏 集电结反偏 电压uBE大于0 7V左右 硅管 2 iC主要受iB的控制 3 第一章 1 3 4晶体管的主要参数 一 直流参数 2 共基直流电流放大系数 1 共射直流电流放大系数 3 极间反向电流 1 集电极基极间反向饱和电流ICBO 2 集电极发射极间的穿透电流ICEOICEO和ICBO有如下关系ICEO 1 ICBO 2 共基交流电流放大系数 1 共射交流电流放大系数 第一章 1 3 4晶体管的主要参数 二 交流参数 3 特征频率fT 特征频率为使 的数值下降到1的信号频率fT 第一章 1 3 4晶体管的主要参数 三 极限参数 1 最大集电极耗散功率PCM决定于晶体管的温升 2 最大集电极电流ICM3 极间反向击穿电压晶体管的某一电极开路时 另外的两个电极所允许加的最高反向电压即为极间反向击穿电压 1 3 5温度对晶体管特性及参数的影响 第一章 1 温度对ICBO的影响温度每升高10 ICBO增加约一倍 2 温度对输入特性的影响温度升高时 正向特性将左移 反之将右移 3 温度对输出特性的影响温度升高时 增大集电极电流增大 1 3 6光电三极管 第一章 光电三极管根据光照的强度来控制集电极电流的大小 可等效为一只光电二极管与一只晶体管相连 并仅引出集电极与发射极 其符号如图 b 所示 常见外形如图 c 所示 光电三极管与普通三极管的输出特性曲线相类似 只是将参数变量基极电流IB用入射光照度E取代 如图所示 使用光电三极管时 也应该特别注意其反向击穿电压 最高工作电压 最大集电极功耗等极限参数 第一章 第一章 1 4 1结型场效应管1 4 2绝缘栅型场效应管1 4 3场效应管的主要参数1 4 4场效应管与晶体管的比较 1 4场效应管 概述 场效应管 场效应管是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件 仅靠多数载流子导电 因此称其为单极型晶体管 场效应管的分类 结型场效应管JFET MOS型场效应管MOS FET 1 晶体管是电流控制元件 场效应管是电压控制元件 2 晶体管参与导电的是电子 空穴 因此称双极型器件 3 晶体管的输入电阻较低 一般102 104 场效应管的输入电阻高 可达107 1012 场效应管与晶体管 1 4 1结型场效应管 第一章 结型场效应管 JFET 分类 可分为N沟道和P沟道两种 输入电阻约为107 结型场效应管 JFET 结构 g s d N沟道结型场效应管 导电沟道 1 4 1结型场效应管 第一章 一 结型场效应管 JFET 的工作原理 根据结型场效应管的结构 因它没有绝缘层 只能工作在反偏的条件下 对于N沟道结型场效应管只能工作在负栅压区 P沟道的只能工作在正栅压区 否则将会出现栅流 现以N沟道为例说明其工作原理 第一章 1 当uDS 0时 uGS对导电沟道的控制作用当uGS 0时 沟道较宽 当uGS 0时 PN结反偏 PN结加宽 漏源间的沟道将变窄 当uGS继续向负方向增加 沟道继续变窄 当到某一数值时沟道消失 此时所对应的栅源电压uGS称为夹断电压UGS off 一 结型场效应管 JFET 的工作原理 第一章 2 当uGS为UGS off 0某一固定值时 uDS对iD的影响当uDS 0时 虽存在导电沟道 但电压为0 多子不会移动iD 0 当uDS 0时 则有iD 沟道各点与栅极间电压不相等 耗尽层宽度也不同 而iD随uDS增大而增大 当uDS增加使uGD UGS off 漏极一边出现夹断区 预夹断 当uDS继续增大 使uGD UGS off 夹断区加长 iD减小 另一方面uDS增大使iD增大 两种变化相抵消所以iD基本不变 一 结型场效应管 JFET 的工作原理 第一章 3 当uGD UGS off 时 uGS对iD的控制作用当uGD uGS uDS UGS off 时 即uDS uGS UGS off 的情况下 uDS为常量 对应确定的uGS 就有确定的iD 因此可以通过改变uGS来控制iD的大小 低频跨导gm iD uGS用来描述栅源电压对漏极电流的控制作用的参数 一 结型场效应管 JFET 的工作原理 第一章 第一章 UGS一定时 iD与uDS的变化曲线 是一族曲线 1 输出特性曲线 二 结型场效应管 JFET 的特性曲线 第一章 3 夹断区 uGS0 预夹断轨迹 uGD UGS off uDS 0 iD 0 4 击穿区 uDS增加到某一值时 iD开始剧增而出现击穿 2 恒流区 放大区 uDS uGS UGS off 该区内UGS一定 iD基本不随uDS变化 第一章 2 转移特性曲线 UDS一定时 iD与uGS的变化曲线 在恒流区iD与uGS的关系近似为 在可变电阻区 对不同的UDS 转移特性曲线将有很大变化 UGS off 转移特性曲线 输出特性曲线 第一章 结型场效应管 N沟道 P沟道 第一章 1 4 2绝缘栅型场效应管 第一章 MOS场效应管 N沟道增强型的MOS管 P沟道增强型的MOS管 N沟道耗尽型的MOS管 P沟道耗尽型的MOS管 第一章 一 N沟道增强型MOS场效应管结构 漏极D 源极S 栅极G 衬底B 电极 金属绝缘层 氧化物基体 半导体因此称之为MOS管 1 4 2绝缘栅型场效应管 第一章 当uGS较小时 虽然在P型衬底表面形成一层耗尽层 但负离子不能导电 1 工作原理 增强型MOS管 当uGS 0V时 漏源之间相当两个背靠背的PN结 无论uDS之间是否加上电压 不会在D S间形成电流iD 即iD 0 当uGS UGS th 时 沟道加厚 沟道电阻减少 在相同uDS的作用下 iD将进一步增加 当uGS增大uGS UGS th 时 在P型衬底表面形成一层电子层 形成N型导电沟道 在uDS的作用下形成iD 开始无导电沟道 当在uGS UGS th 时才形成沟道 这种类型的管子称为增强型MOS管 第一章 漏源电压uDS对漏极电流iD的控制作用 当uGS UGS th 且固定为某一值时 来分析漏源电压uDS对漏极电流iD的影响 uDS的不同变化对沟道的影响 因为uGD uGS uDS 当uDS为0或较小时 uDS的增大使iD线性增大 此时栅漏之间电压变小使得沟道靠近漏极处变窄 第一章 当uDS增加到使uGD UGS th 时 当uDS增加到uGD UGS th 时 这相当于uDS增加使漏极处沟道缩减到刚刚开启的情况 称为预夹断 此时的漏极电流iD基本饱和 此时预夹断区域加长 伸向S极 uDS增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上 iD基本趋于不变 从外部看iD几乎不因的uDS增大而变化 iD几乎仅决定于uGS 第一章 2 N沟道增强型MOS场效应管特性曲线 uDS一定时 uGS对漏极电流iD的控制关系曲线iD f uGS uDS C 转移特性曲线 在恒流区 iD与uGS的关系为 iD IDO uGS UGs th 1 2 IDO是uGS 2UGS th 时的iD 第一章 2 N沟道增强型MOS场效应管特性曲线 uGS一定时 iD与uDS的变化曲线 是一族曲线iD f uDS uGS C 输出特性曲线 1 可变电阻区 iD与uDS的关系近线性iD 2K uGS UT uDS 2 恒流区 该区内 uGS一定 iD基本不随uDS变化而变化 3 击穿区 uDS增加到某一值时 iD开始剧增而出现击穿 此时uDS称为漏源击穿电压 二 N沟道耗尽型MOS场效应管结构 第一章 耗尽型MOS管存在原始导电沟道 第一章 各类绝缘栅场效应三极管的特性曲线 绝缘栅场效应管 N沟道增强型 P沟道增强型 第一章 绝缘栅场效应管 N沟道耗尽型 P沟道耗尽型 各类绝缘栅场效应三极管的特性曲线 1 4 3场效应管的主要参数 一 直流参数 2 夹断电压UGS off 夹断电压是耗尽型MOS管的参数 当UGS UGS th 时 漏极电流为零 3 饱和漏极电流IDSS 结型场效应管预夹断时所对应的漏极电流 开启电压UGS th 开启电压是MOS增强型管的参数 栅源电压小于开启电压 场效应管不能导通 第一章 4 直流输入电阻RGS DC 栅源间所加的恒定电压UGS与流过栅极电流IGS之比结型场效应管 反偏时RGS DC 约大于107 绝缘栅场效应管RGS DC 约是109 1015 1 低频跨导gm低频跨导反映了栅源电压对漏极电流的控制作用 二 交流参数 第一章 2 极间电容 Cgs 栅极与源极间电容Cgd 栅极与漏极间电容Cds 源极与漏极间电容 三 极限参数 1 最大漏极电流IDM 2 击穿电压U BR DS 3 最大耗散功率PDM 第一章 1 4 4场效应管与晶体管的比较 一 场效应管用栅 源电压控制漏极电流 栅极基本不取电流 晶体管工作时基极总是要索取一定的电流 二 场效应管只有多子参与导电 晶体管多子和少子均参与导电 三 场效应管的噪声系数很小 晶体管的噪声系数大 四 场效应管的漏极和源极可以互换 晶体管则一般不能 五 场效应管比晶体管种类多 组成电路时更加灵活 六 场效应管和晶体管均可用于放大和开关电路 均可构成集成电路 但场效应管集成电路工艺简单 且省电 工作电源电压范围宽 第一章 第一章 1 5 1单结晶体管1 5 2晶闸管 1 5单结晶体管和晶闸管 1 5单结晶体管和晶闸管 根据PN结外加电压时的工作特点 还可以由PN结构其它类型的三端器件 本节将介绍利用一个PN结构成的具有负阻特性的器件 单结晶体管以利用三个PN结构成的大功率可控制整流器件 晶闸管 1 5 1单结晶体管的结构和等效电路 在一个低参杂的N型硅棒上利用扩散工艺形成一个高参杂P区 在P区与N区接触面形成PN结 就构成单结晶体管 UJT 其结构示意图如图1 5 1 a 所示 单结晶体管因有两个基极 故也称为双基极晶体管 其符号如图 b 所示 单结晶体管的等效电路如图 c 所示 图1 5 1单结晶体管的结构示意图和等效电路 二 工作原理和特性曲线 单结晶体管的发射电流IE与e b1间电压UEB1的关系曲线称为特性曲线 特性曲线的测试电路如图1 5 2 a 所示 虚线筐内单结晶体管的等效电路 单极晶体管的特性曲线如图所示1 5 2 图1 5 2单结晶体管特性曲线的测试 应用举例 图1 5 3所示为单结晶体管组成的振荡电路 所为振荡 是指在没有输入信号的情况下 电路输出一定频率 一定幅值的电压或电流信号 由于充电时间常数远大于放电时间常数 当稳定振荡时 电容上电压的波形如图 图1 5 3单结晶体管组成的振荡电路 1 5 2晶闸管 晶体闸流管简称晶闸管 也称为硅可控元件 是由三个PN结构成的一种大功率半导体器件 多用于可控整流 调压等电路 也作为无触点开关 一 结构和等效模型常见的晶闸管外形有螺栓形和平板形 如图 图1 5 4晶闸管的外形 二 工作原理 当晶闸管的阳极A和阴极C之间加正向电压而控制极不加电压时 J2处于反向偏置 管子不导通 称为阻断状态 当晶闸管的阳极A和阴极C之间加正向电压而控制极和阴极加之间也加正向电压时 如图1 5 6所示 J3处于导通状态 两只管子均进入饱和状态 使晶闸管完全导通 这个过程称为触发导通过程 图1 5 6晶闸管的工作原理 三 晶闸管的伏安特性 以晶闸管的控制极电流IG为参数 阳极电流I与A C间电压u的关系称为晶闸管的伏安特性 图1 5 7所示为晶闸管的伏安特性曲线 u 0时的伏安特性称为正向特性 u 0时的伏安特性称为反向特性 图1 5 7晶闸管的伏安特性曲线 四 晶闸管的主要参数 1 额定正向平均电流IF 2 维持电流IB 3 触发电压UG和触发电流Ig 4 正向重复峰值电压UDRM 5 反向重复峰值电压URRM 图1 5 8所示为可控半波整流电路 图1 5 8例1 5 2电路及波形图 第一章 1 6 1集成电路制造工艺简介1 6 2集成双极型管1 6 3集成单极型管1 6 4集成电路中元件的特点 1 6集成电路中的元件 1 6集成电路中的元件 集成电路就是采用一定的制造工艺 将晶体管 场效应管 二极管 电阻 电容 等许多元件组成的具有完整功能的电路制作在同一块半导体基片上 然后加以封装所构成的半导体器件 由于它的元件密度高 体积小 功能强 功耗低 外部连接及焊点少 从而大大提高了电子设备的可靠性和灵活性 实现了元件 电路与系统的紧密结合 本节将简单介绍制造工艺 并说明集成电路中元件的构成及特点 1 6 1集成电路制造工艺简介 在集成电路的产生过程中 在直径为3 10mm的硅晶片上 同时制造几百甚至几千个电路 人们称整个硅晶片为基片 称每一块电路为管心 如图1 6 1所示 基片制成后 再经划片 压焊 测试 封装后成为产品 图1 6 2 a b 所示为圆壳式集成电路的剖面图及外形 图 c d 所示为双列直插式集成电路的剖面图外形 图1 6 2集成电路的剖面图及外形 一 几个工艺名词 1 氧化 在温度为800 1200c的氧气中使半导体表面形成SiO2薄层 一防止外界杂质的污染 2 光刻与淹模 制作过程中所需的版图称为淹模 利用照相制版技术将淹模刻在硅片上称为光刻 3 扩散 在