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1.片式多层氧化锌压敏电阻陶瓷粉料制备方法本发明公开了一种片式多层氧化锌压敏电阻陶瓷粉料制备方法，其组成（重量）为：；。本发明以氧化锌粉料为主，添加多种氧化物成分，作为添加剂，各种添加剂分别控制晶粒生长、形成晶界、控制电压梯度和漏电流。用此材料制作而成的压敏电阻其电性、机械性及可靠性等方面的性能大大提高，同时可以控制压敏电压可在以下，漏电流以下，具有优良的综合性能。2.低温烧结ZnO多层片式压敏电阻器及其制造方法本发明公开了一种低温烧结多层片式压敏电阻器，一种低温烧结多层片式压敏电阻器，它是由瓷料和内电极层交错排布烧结而成，其特征在于：所述的瓷料的主要原料为平均粒径为的亚微米粉体，所述的内电极层是钯银内电极层，其中钯的比例占钯银内电极重量的，银的比例占钯银内电极重量的，该瓷料和钯银内电极层交错排布，并在的温度范围内烧结而成。本发明还公开了一种上述低温烧结多层片式压敏电阻器的制造方法。3.纳米材料制备的多层片式ZnO压敏电阻器及其制造方法本发明公开了一种纳米材料制备的多层片式压敏电阻器，一种纳米材料制备的瓷料和内电极层交错排布共同烧结而成，其主要特点是瓷料的主体材料的颗粒形貌为球形或近似球形，平均粒径为的纳米粉体，加入（摩尔百分比）的颗粒形貌为球形或近似球形的纳米粉体添加剂，所述的内电极层是钯银内电极层，其中钯的比例占钯银内电极重量的，银的比例占钯银内电极重量的，该瓷料和钯银内电级层交错排布，并在的温度范围内烧结而成。本发明还公开了一种上述纳米材料制备的多层片式压敏电阻器的制造方法。本发明制备的规格的多层片式压敏电阻器的非线性系数大于，漏电流小于微安。4.一种可降低材料成本的多层片式ZnO压敏电阻器化学法合成本发明公开了一种可降低材料成本的多层片式压敏电阻器，一种按常规生产工艺制造的多层片式压敏电阻器，其特征在于所述的多层片式压敏电阻器内部结构中的保护层为纯瓷料或与其它氧化物组成的瓷体，所述的活跃层（有效层）为铋系压敏瓷料或镨系压敏瓷料。本发明的优点在于生产成本低及有利于防爬镀绝缘层的涂覆而产品性能保持在原有水平。本发明还公开了一种上述可降低材料成本的多层片式压敏电阻器的制造方法。5.氧化物粉体制备的多层片式ZnO压敏电阻器及其制造方法本发明公开了一种化学法合成氧化物粉体制备的多层片式压敏电阻器及其制造方法，一种化学法合成氧化物粉体制备的瓷料和内电极层交错排布烧结而成，其特征在于所述的瓷料的主体材料为粉体，加入（摩尔百分比）的化学法合成的粉体添加剂，所述的化学法是指化学共沉淀法、溶胶一凝胶法。本发明制备的规格的多层片式压敏电阻器的非线性系数大于，漏电流小于微安。6.多层片式压敏电阻及其制造方法本发明公开了多层片式压敏电阻及其制造方法，包括内电极与端电极之间存在绝缘层的、内电极与端电极直接连接的、端电极与压敏电阻基片直接连接的多层片式压敏电阻，上述压敏电阻的制造方法包括以下共有的步骤：配制浆料、叠层、切割、排胶、烧结、基片绝缘浆料表面处理、制作两端电极和电镀。本发明对多层片式压敏电阻除端电极外的表面进行绝缘处理，形成的绝缘层致密均匀、不吸水、耐湿性强，使产品焊接于电路后的性能不受环境因素影响，而且在除端电极外的表面进行绝缘处理后，对多层片式压敏电阻的端电极的表面进行电镀镍、锡处理，不仅提高了产品在电路中使用的可焊接性和焊接的可靠性，不必采用可焊锡膏，可以降低成本，尤其适宜大批量生产。7.水基流延法制备多层片式ZnO压敏电阻器的方法水基流延法制备多层片式压敏电阻器的方法，包括：以水为溶剂制备水基流延浆料，将瓷料、粘合剂、分散剂及去离子水球磨混合成水基流延浆料，该浆料中各组分含量为：瓷料，粘合剂，分散剂，余量为去离子水；将浆料流延制得陶瓷膜带，然后印刷一层内电极、叠层、再印刷与前一层内电极错位的另一层内电极，如此重复直至达到设计的层数，切割成生坯片，排胶，烧结成型。采用水基流延，保护了环境，降低了产品成本，适合大规模工业生产；制成的多层片式压敏电阻器体积小，温度特性好，非线性系数高，成本低，适用于表面安装工艺8.一种新型片式压敏电阻及其制造方法本发明涉及一种新型片式压敏电阻及其制造方法，新型片式压敏电阻，由玻璃陶瓷材料层、压敏电阻薄膜和两端覆盖的端电极构成，所述的玻璃陶瓷材料层有三层或三层以上，其各层表面附着有压敏电阻薄膜，构成独石结构，在该独石结构内部平行排列的压敏电阻薄膜与端电极导通。其制造方法步骤如下：制备玻璃陶瓷材料层作为基层；在基层上附着一层压敏电阻薄膜；再覆盖一层基材，并重复上述步骤直到得到设计的层数，得到独石结构生膜片；将生膜片切成单个的压敏电阻，烧结；两端封端电极、电镀。优点是：提高了额定电压和额定电流，具有阻值一致性和耐溶剂性，提高了机械性能，增强了耐热振性、耐焊接热和耐腐蚀性能，在线路防护领域更安全、有效。9.一种低电压/高非线指数的片式压敏电阻及其制造方法本发明公开了一种低电压高非线指数的片式压敏电阻及其制造方法，属于信息技术领域的传感器技术中的压敏元件。该低电压高非线指数片式压敏电阻，其特殊之处在于：是通过如下方式制成的：压敏芯片由两个导电膜片之间夹一层高非线指数的压敏膜片构成的复合结构；导电膜片和压敏膜片及复合膜片均由扎膜工艺制备；复合膜片经高温锻烧制成压敏芯片；压敏芯片用浆和浆封端制成压敏元件。本发明满足微电子技术，通讯技术和半导体技术要求。用此技术制作的片式压敏元件的压敏电压，电压分散性为，值的分散性为。这种方法工艺简单，制造成本低，克服了常用的多层结构工艺中存在的内电极扩散，端电极延伸的问题。该技术适用于大批量生产。10.基于片式压敏电阻的纳秒级静电放电电流试验设备基于片式压敏电阻的纳秒级静电放电电流试验设备，采用由片式压敏电阻的静电脉冲形成电路、静电脉冲控制电路、测量夹具、测试电路及计算机管理系统。能够对片式压敏电阻进行的单次、规定频率和连续等模式的上升时间为的静电放电试验，可以设置放电电压、放电频率、放电次数以及选择试验模式等多项功能。采用鼠笼式快速电流传感器和示波器与工业控制计算机组成的自动测试系统，并采用可视化化的编程环境（如，等），完成片式压敏电阻静电放电试验的数据管理、波形存储于分析、数据查询及报表输出等多项功能。12.一种叠层片式压敏电阻器及其制造方法本发明适用于电子电器行业，提供了一种叠层片式压敏电阻器及其制造方法，电阻器包括下盖、上盖、压敏电阻单元和端电极，压敏电阻单元设在上、下盖之间，上盖、下盖由陶瓷保护材料制作而成，压敏电阻单元由内电极、压敏电阻膜和陶瓷保护膜组成，内电极与压敏电阻膜叠印，陶瓷保护膜套印在叠印的内电极与压敏电阻膜两侧。其制造方法包括配料、制浆、制带、印刷、热水均压、切割、排胶、烧结、封端、电镀等工序。本发明采用陶瓷保护材料和压敏电阻膜套印的方法在压敏电阻除两端外的其余四面形成均匀致密、耐湿的保护层，使产品更易于进行电镀镍、锡处理，大大提高了产品的焊接可靠性。13.一种氧化锌压敏电阻介质材料及电阻器制备方法一种氧化锌压敏电阻介质材料及电阻器制备方法，属于电子材料技术领域。所述氧化锌 压敏电阻介质材料，其组分包括8595的ZnO、26的Bi2O3、15的TiO2、1 3.5的Sb2O3、14的MnCO3、1.25的Co2O3、0.21的Cr2O3、0.11 的ZrO2、0.21的Ni2O3和1.23的SiO2。所述片式氧化锌电阻器制备方法包括按 所述氧化锌电阻介质材料配方配料、混料、磨料、流延浆料配制、流延、内电极印刷、叠片、 烘巴、温等静压、切割、排胶、烧结和端电极制作等步骤。本发明所述氧化锌压敏电阻介质 材料适合于制作片式压敏电阻器；所制备的片式压敏电阻器具有压敏电压低、非线性系数高 和压敏特性稳定的特点，且烧结温度适中、制备工艺简单易控、成本较低。14.氧化锌多层片式压敏电阻的制造方法本发明提供氧化锌多层片式压敏电阻的制造方法。其是限制电压特性和脉冲耐量特性都优良的叠层多层薄片的结构的氧化锌多层片式压敏电阻。其制造方法的特征在于，按照氧化锌（）为摩尔、氧化铋（）为摩尔、氧化锑（）为摩尔、氧化钴（）和氧化锰（）中的种以上为摩尔、氧化铬（）为摩尔、硼酸（）为摩尔、氧化铝（）的浓度为那样准备原料，在这些原料中，使含有全部量的氧化铋（）和氧化锑（）及摩尔氧化锌（）的焙烧原料在的温度范围内进行热处理，加入该焙烧原料和其它原料，形成坯料片材，使该坯料片材叠层、切断，形成坯料芯片后，烧成。15.氧化锌系多层片式压敏电阻及其制造方法本发明提供可以得到良好的绝缘性和对于镀液有充分的耐性而且可以以良好的生产率制造的氧化锌系多层片式压敏电阻。其中，用硼硅酸铋（）系玻璃在以氧化锌（）作为主成分的烧结体芯片的表面上形成保护膜。而且，保护膜通过在的温度烧成而结晶化。藉此，在作为保护膜形成后的工序的镀敷工序中玻璃绝缘膜不发生侵蚀，可以以良好的生产率得到具有良好的绝缘性的氧化锌系多层片式压敏电阻。保护膜以以下的厚度形成。藉此，不会阻碍外部电极、与烧结体芯片上叠层的内部电极、的导通，可以维持稳定的压敏电阻的电特性。16.一种高性能氧化锌复合陶瓷压敏电阻材料及制备方法本发明涉及一种高性能氧化锌复合陶瓷压敏电阻材料及制备方法，属于电子陶瓷制备及应用技术领域。所述陶瓷以氧化锌为主相，采用氧化镨为非线性肇始相，并采用少量、或的氧化物为电位梯度和非线性增强剂，各组分摩尔百分含量如下：，。所述材料制备方法依次包括“混料高能球磨烘干混合整粒过筛模压成型烧结被银”工艺步骤。本发明的压敏电阻材料晶粒细小、显微组织均匀，电位梯度（电流密度为时对应的电位梯度值）提高到，非线性系数为，漏电流（对应的电流密度值）为，具有优良的综合电学性能。本发明的压敏电阻材料可用于制造超、特高压电力系统的避雷器，并可实现避雷器小型化。本发明也可用于手机、家用电器片式或多层片式压敏电阻制备等。17.片式压敏电阻器片式电阻器亦称表面贴装电阻器，它与其它片式元器件（SMC及SMD）一样，是适用于表面贴装技术（SMT）的新一代无引线或短引线微型电子元件。其引出端的焊接面在同一平面上。 片式压敏电阻器（VARISTOR）是压敏电阻器的一种.它是用氧化锌非线性电阻元件作为核心而制成的电冲击保护器件。氧化锌非线性电阻元件是以氧化锌（ zn0 ）为主体材料，添加多种其他微量元素，用陶瓷工艺制成的化合物半导体元件。它的基本特性是电流一电压关系的非线性。当加在它两端的电压低于某个阀电压，即“压敏电压”时，它的电阻值极大，为兆欧级；而当加在它两端的电压超过压敏电压后，电阻值随电压的增高急速下降，可小到欧姆级、毫欧姆级。压敏电阻器与普通电阻器不同，普通电阻器遵守欧姆定律，而片式压敏电阻器的电压与电流则呈特殊的非线性关系。当片式压敏电阻器两端所加电压低于标称额定电压值时，其电阻值接近无穷大，内部几乎无电流流过。当片式压敏电阻器两端电压略高于标称额定电压时，它将被迅速击穿导通，并由高阻状态变为低阻状态，工作电流也急剧增大。当其两端电压低于标称额定电压时，片式压敏电阻器又能恢复为高阻状态。当压敏电阻器两端电压超过其最大限制电压时，压敏电阻器将完全击穿损坏，无法再自行恢复。一般而言,片式压敏电阻器的制作工艺流程如下:叠层,切割,排胶,烧结,倒角,涂敷,端电极,电镀. 片式压敏电阻器广泛地应用在家用电器及其它电子产品中，起过电压保护、防雷、抑制浪涌电流、吸收尖峰脉冲、限幅、高压灭弧、消噪、保护半导体元器件等作用。 片式压敏电阻器的主要参数有:标称电压、电压比、最大控制电压、残压比、通流容量、漏电流、电压温度系数、电流温度系数、电压非线性系数、绝缘电阻、静态电容等。 1压敏电压（VARISTOR VOLTAGE）： MYG05K规定通过的电流为0.1mA，MYG07K、MYG10K、MYG14K、MYG20K标称电压是指通过1mA直流电流时，压敏电阻器两端的电压值。 所谓压敏电压，即击穿电压或阈值电压。指在规定电流下的电压值，大多数情况下用1mA直流电流通入压敏电阻器时测得的电压值，其产品的压敏电压范围可以从109000V不等。可根据具体需要正确选用。一般V1mA=1.5Vp=2.2VAC，式中，Vp为电路额定电压的峰值。VAC为额定交流电压的有效值。ZnO压敏电阻的电压值选择是至关重要的，它关系到保护效果与使用寿命。如一台用电器的额定电源电压为220V，则压敏电阻电压值V1mA=1.5Vp=1.51.414220V=476V，V1mA=2.2VAC=2.2220V=484V，因此压敏电阻的击穿电压可选在470480V之间。 2最大允许电压（最大限制电压 MAXIMUM ALLOWABLE VOLTAGE）： 此电压分交流和直流两种情况，如为交流，则指的是该压敏电阻所允许加的交流电压的有效值，以ACrms表示，所以在该交流电压有效值作用下应该选用具有该最大允许电压的压敏电阻，实际上V1mA与ACrms间彼此是相互关联的，知道了前者也就知道了后者，不过ACrms对使用者更直接，使用者可根据电路工作电压，可以直接按ACrms来选取合适的压敏电阻。在交流回路中，应当有：min(U1mA) (2.22.5)Uac，式中Uac为回路中的交流工作电压的有效值。上述取值原则主要是为了保证压敏电阻在电源电路中应用时，有适当的安全裕度。对直流而言在直流回路中，应当有：min(U1mA) (1.62)Udc，式中Udc为回路中的直流额定工作电压。在信号回路中时，应当有：min(U1mA)(1.21.5)Umax，式中Umax为信号回路的峰值电压。压敏电阻的通流容量应根据防雷电路的设计指标来定。一般而言，压敏电阻的通流容量要大于等于防雷电路设计的通流容量。 3通流容量（ Imax （8/20us）： 通流容量也称通流量，是指在规定的条件（以规定的时间间隔和次数，施加标准的冲击电流）下，允许通过压敏电阻器上的最大脉冲（峰值）电流值。一般过压是一个或一系列的脉冲波。实验压敏电阻所用的冲击波有两种，一种是为8/20s波，即通常所说的波头为8s波尾时间为20s的脉冲波，另外一种为2ms的方波. 所谓通流容量，即最大脉冲电流的峰值是环境温度为25情况下，对于规定的冲击电流波形和规定的冲击电流次数而言，压敏电压的变化不超过 10时的最大脉冲电流值。为了延长器件的使用寿命，ZnO压敏电阻所吸收的浪涌电流幅值应小于手册中给出的产品最大通流量。然而从保护效果出发，要求所选用的通流量大一些好。在许多情况下，实际发生的通流量是很难精确计算的，则选用220KA的产品。如手头产品的通流量不能满足使用要求时，可将几只单个的压敏电阻并联使用，并联后的压敏电不变，其通流量为各单只压敏电阻数值之和。要求并联的压敏电阻伏安特性尽量相同，否则易引起分流不均匀而损坏压敏电阻。 4最大限制电压（CLAMPING VOLTAGE (MAX.)）： 最大限制电压是指压敏电阻器两端所能承受的最高电压值，它表示在规定的冲击电流Ip通过压敏电阻时次两端所产生的电压此电压又称为残压，所以选用的压敏电阻的残压一定要小于被保护物的耐压水平Vo,否则便达不到可靠的保护目的，通常冲击电流Ip值较大，例如2.5A或者10A，因而压敏电阻对应的最大限制电压Vc相当大，例如MYG7K471其Vc=775(Ip=10A时)。 5最大能量(能量耐量)： 压敏电阻所吸收的能量通常按下式计算W=kIVT(J) 其中I流过压敏电阻的峰值 V在电流I流过压敏电阻时压敏电阻两端的电压 T电流持续时间 k电流I的波形系数 对： 2ms的方波 k=1 8/20s波 k=1.4 10/1000s k=1.4 压敏电阻对2ms方波，吸收能量可达330J每平方厘米；对8/20s波，电流密度可达2000A每立方厘米，这表明他的通流能力及能量耐量都是很大的 一般来说压敏电阻的片径越大，它的能量耐量越大，耐冲击电流也越大，选用压敏电阻时还应当考虑经常遇到能量较小、但出现频率次数较高的过电压，如几十秒、一两分钟出现一次或多次的过电压，这时就应该考虑压敏电阻所能吸收的平均功率。 6电压比： 电压比是指压敏电阻器的电流为1mA时产生的电压值与压敏电阻器的电流为0.1mA时产生的电压值之比。 7额定功率： 在规定的环境温度下所能消耗的最大功率。 8最大峰值电流 （ SURGE CURRENT (8/20s) ）： 一次以8/20s标准波形的电流作一次冲击的最大电流值，此时压敏电压变化率仍在10%以内。2次：以8/20s标准波形的电流作两次冲击的最大电流值，两次冲击时间间隔为5分钟，此时压敏电压变化率仍在10%以内。 9残压比： 流过压敏电阻器的电流为某一值时，在它两端所产生的电压称为这一电流值的残压。残压比则为残压与标称电压之比。 10漏电流： 漏电流又称等待电流，是指压敏电阻器在规定的温度和最大直流电压下，流过压敏电阻器的电流。 11电压温