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文档简介

SiliconVLSITechnology 硅基大规模集成电路制作技术 集成电路的发展 单个器件的尺寸越来越小晶片的尺寸越来越大 器件变小 减小光刻的特征线宽 Lateralfeaturesize 从设计上缩小器件的尺寸设计功能强大 集成度更高的器件 晶片变大 硅晶的生产工艺提高 可以生成更大直径的晶体薄膜生长 光刻 蚀刻等制作工艺的性能提高制作生产线的改进 Moore sLaw 半导体材料 硅 1960年以前 Ge和GaAs占半导体的主导地位 1953年 Brattain和Bardeen发现可以利用氧气 水等使半导体表面氧化 1960年 高质量的SiO2直接生长在Si表面1947年 第一个点接触式半导体器件 复合锗晶体 诞生 两年后基于单晶硅的器件产生硅还具有其它良好特性 自此以后成为半导体领域的主导者 IntelCPU的发展 例 SiliconIC 关键步骤或工艺 晶体生长光刻氧化扩散离子注入蚀刻薄膜生长后道工艺 光刻 掩膜和套刻 Photolithography 氧化 薄膜生长 薄膜外延生长 刻蚀 离子注入 CMOS工艺 固体物理知识 半导体掺杂 PNJunction 二极管 MOS电容 nMOSFET
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