中职电子技术基础期中试卷.doc

2012年秋学期电子技术基础 期中测试 2012.11.一、 填空题（0.550）1、半导体中有两种载流子： 和 。2、晶体二极管具有 特性，即加 电压时导通，加 电压时截止。3、晶体三极管具有 作用，是一种 控制型器件，通过 电流的变化去控制较大的 电流变化。4、晶体三极管内部结构有三个区： 区、 区和 区；两个PN结： 和 ；三个电极： 、 和 ，分别用字母 、 、 表示。5、晶体三极管工作在的偏置条件(外部条件)是： 、 工艺条件（内部条件）是： 、 、 。6、晶体三极管根据内部三个区域半导体类型不同，分为 和 两种类型，它们的图形符号分别为 和 ，基区为N型半导体的是 型。7、晶体三极管有三种基本联接方式： 接法、 接法和 接法。三极管的三个电极中， 极既可以作为输入端，又可以作为输出端。9、硅管的门坎电压约为 V，导通电压约为 V；锗管的门坎电压约为 V，导通电压约为 V。10、若测得某晶体三极管的电流为：当IB=20A时，IC =2mA；当IB=60A时，IC =5.4mA，则可求出该管为 ，ICEO为 ，ICBO为 。12、晶体三极管的输出特性曲线是在IB一定时，测出 与 对应值的关系，它可以分为三个区域，即 区、 区和 区。当三极管工作在 区时，关系式IC =IB才成立；当三极管工作在 区时， IC0；当三极管工作在 区时，VCE0；三极管在 区时，具有恒流特性。二、判断题（210）1、晶体二极管一旦发生击穿，就会被烧毁。 （ ）2、N型半导体的多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。 （ ）3、环境温度升高，晶体二极管的反向饱和电流将增大。 （ ）4、在半波整流电路中，二极管极性接反，将无整流作用。 （ ）5、用万用表测量小功率二极管，一般使用R10K挡。 （ ）6用万指针式万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“”号插孔中的测试棒（通常是红色棒）所连接的二极管的管脚是二极管的正极，另一电极是负极。 （ ）7、无论哪种晶体三极管，当处于放大状态时，b极电位总是高于e极电位，c极电位也总是高于b极电位。 （ ）8、晶体三极管的发射区和集电区由同一类半导体构成，所以e极和c极可以互换使用。 （ ）9、对于NPN型三极管，若VBE0，VBEVCE，则该管工作在饱和状态。 （ ）10、分压式偏置放大电路具有稳定静态工作点的作用。 （ ）三、选择题（210）1、某硅二极管反向击穿电压为150伏，则其最高反向工作电压为（ ）A、约等于150伏 B、可略大于150伏 C、不得大于40伏 D、等于75伏2、电路如图所示，图中二极管为理想二极管，当输入电压Vi=0V时，输出电压Vo=（ ）V；当输入电压Vi=20V时，输出电压Vo=（ ）V。A、3V B、0V C、10V D、20V 3、在一块放大电路板上，测得某三极管对地电位如图所示，则管子的导电类型，管脚自左至右的顺序分别为（ ）。A、NPN型，ebc B、PNP型，ebcC、NPN型，bce D、PNP型，bce4在半波整流滤波电路中，如已知V2=10V，则负载RL上的输出电压为（ ）。 A12V B9V C4.5V D10V 5晶体三极管工作在饱和状态时，它的集电极电流IC将 （ ）。 A随IB增加而增加 B随IB增加而减少 C与IB无关，只决定于VG和RC 6、电路如下图所示,设二极管正向电阻为零,反向电阻为无穷大,则电压VAB为（ ）。 A-3V B5V； C8V D-8V ABCD7、三极管各电极对地电位如下图所示,工作于饱和状态的三极管是 ( )。8、上图中处于截止状态的三极管是 （ ）。9、分压式偏置电路中，如Rb1增大，电路中其余条件不变，则IC将 （ ）。 A增大 B减小 C不变 D无法确定四、分析计算题（35）1画出下图放大电路中的交、直流通路。（8）（a） （b）VVo2、试判断下图中的二极管状态，并计算输出电压Vo。（4）3、如图所示放大器中已知VG =15V，RC=3K，Rb=500 K，=60，试估算放大器的静态工作点和输入电阻ri、输出电阻ro、和电压放大倍数AV。（12）4、如图所示分压式偏置电路中中：VG =12V，Rb1=200 K，Rb2=100K，RC=2K,=60