第八章存储器和可编程逻辑器件.ppt

第八章存储器和可编程逻辑器件 本章主要内容 半导体存储器 随机存取存储器 可编程逻辑器件 现场可编程逻辑阵列 FPLA 只读存储器 1 只读存储器 ROM 9 1半导体存储器 存储量 字 位字 2nn 地址线数 存储器容量 32K 8地址线数 15 1 只读存储器 ROM 的存储结构 二极管ROM的实现图 地址 数据 A 1 A 0 D3 D2 D1 D0 0 0 1 0 0 1 0 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 W0 W1 W2 W3 ROM的数据表 D3 W0 W2D2 W1 W2 W3D1 W1 W2D0 W0 W1 W3 地址 数据 A 1 A 0 D3 D2 D1 D0 0 0 1 0 0 1 0 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 W0 W1 W2 W3 只读存储器 ROM 阵列图 ROM的阵列框图 ROM的阵列框图 ROM的阵列图 只读存储器 ROM 阵列图 1 数据存储 2 用ROM实现组合逻辑函数 只读存储器 ROM 的应用 D3 A1 A0 0 2 D2 A1 A0 1 2 3 D1 A1 A0 1 2 D0 A1 A0 0 1 3 用ROM实现组合逻辑函数 输入输出 例 用ROM实现二进制码转换为格雷码 G3 m 8 9 10 11 12 13 14 15 G2 m 4 5 6 7 8 9 10 11 G1 m 2 3 4 5 10 11 12 13 G0 m 1 2 5 6 9 10 13 14 二进制码转换为格雷码的阵列图 逻辑符号图 ROM的分类 PROM programmableread onlymemory 可编程ROM用专门的编程器写入数据一次 一次性使用 EPROM erasableprogrammableread onlymemory 可察除ROM用编程器写入数据 可重复使用 察除时用紫外线照射 EEPROM E2PROM electricallyerasableprogrammableROM 电可察除ROM在芯片上有一专用电压端 当给它加上要求的电压后 就可写入新的数据 可重复使用 9 2可编程逻辑器件 可编程逻辑器件 PLD 分类 现场可编程门阵列 FPGA FieldProgrammableGateArray Xilinx公司把基于查找表技术 SRAM工艺 要外挂配置用的EEPROM的PLD叫FPGA复杂可编程逻辑器件 CPLD ComplexProgrammab1eLogicDevice Altera公司把基于乘积项技术 Flash 类似EEPROM工艺 工艺的PLD叫CPLD PLD缓冲器表示法 PLD电路的表示方法 PLD的与关系表示法 PLD电路的表示方法 表示芯片自己连接好的 表示编程后连接起来的 PLD的或关系表示法 表示芯片自己连接好的 表示编程后连接起来的 PLD的与门简略表示法 两种可编程逻辑器件 PLD 的结构特点 PROM结构 FPLA结构 FPLA的简化结构 非正式场合 例 用FPLA实现下列多输出函数 FPLA的应用 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 FPLA实现阵列图 例 用FPLA实现四位二进制码转换为格雷码的代码转换阵列图 FPLA的实现阵列图 例9 3 分析下图中所示时序逻辑电路 1 写出激励方程J1 K1 J2 K2 次态方程Q1n 1 Q2n 1和输出Z 2 列出该电路的状态表 画出状态图 3 指出电路的功能 FPLA电路的分析 J1 K1 1J2 K2 X Q1 1 写激励 次态和输出函数 01 0 10 0 00 1 11 0 11 1 00 0 10 0 01 0 1 0 1 0 1 1 1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 2