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第一部分，认识常见元件。板卡上的常见元件，主要为电容、电阻、电感、二极管、三极管、场效应管、常见芯片和pcB等，下面我们分别介绍这些元件。1.电容(electrical capacity)。电容是板卡设计中必用的元件，其品质的好坏已经成为我们判断板卡质量的一个很重要的方面。电容的功能和表示方法。由两个金属极，中间夹有绝缘介质构成。电容的特性主要是隔直流通交流，因此多用于级间耦合、滤波、去耦、旁路及信号调谐。电容在电路中用“C”加数字表示，比如C8，表示在电路中编号为8的电容。电容的分类。电容按介质不同分为：气体介质电容，液体介质电容，无机固体介质电容，有机固体介质电容电解电容。按极性分为：有极性电容和无极性电容。按结构可分为：固定电容，可变电容，微调电容。电容的容量。电容容量表示能贮存电能的大小。电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，容抗与交流信号的频率和电容量有关，容抗XC=1/2f c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量)。电容的容量单位和耐压。电容的基本单位是F（法），其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。由于单位F 的容量太大，所以我们看到的一般都是F、nF、pF的单位。换算关系：1F1000000F，1F=1000nF=1000000pF。每一个电容都有它的耐压值，用V表示。一般无极电容的标称耐压值比较高有：63V、100V、160V、250V、400V、600V、1000V等。有极电容的耐压相对比较低，一般标称耐压值有：4V、6.3V、10V、16V、25V、35V、50V、63V、80V、100V、220V、400V等。电容的标注方法和容量误差。电容的标注方法分为：直标法、色标法和数标法。对于体积比较大的电容，多采用直标法。如果是0.005，表示0.005uF=5nF。如果是5n，那就表示的是5nF。数标法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是10的多少次方。如：102表示10x10x10 PF=1000PF，203表示20x10x10x10 PF。色标法，沿电容引线方向，用不同的颜色表示不同的数字，第一、二种环表示电容量，第三种颜色表示有效数字后零的个数（单位为pF）。颜色代表的数值为：黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9。电容容量误差用符号F、G、J、K、L、M来表示，允许误差分别对应为1%、2%、5%、10%、15%、20%。电容的正负极区分和测量。电容上面有标志的黑块为负极。在PCB上电容位置上有两个半圆，涂颜色的半圆对应的引脚为负极。也有用引脚长短来区别正负极长脚为正，短脚为负。 当我们不知道电容的正负极时，可以用万用表来测量。电容两极之间的介质并不是绝对的绝缘体，它的电阻也不是无限大，而是一个有限的数值，一般在1000兆欧以上。电容两极之间的电阻叫做绝缘电阻或漏电电阻。只有电解电容的正极接电源正（电阻挡时的黑表笔），负端接电源负（电阻挡时的红表笔）时，电解电容的漏电流才小（漏电阻大）。反之，则电解电容的漏电流增加（漏电阻减小）。这样，我们先假定某极为“+”极，万用表选用R*100或R*1K挡，然后将假定的“+”极与万用表的黑表笔相接，另一电极与万用表的红表笔相接，记下表针停止的刻度（表针靠左阻值大），对于数字万用表来说可以直接读出读数。然后将电容放电（两根引线碰一下），然后两只表笔对调，重新进行测量。两次测量中，表针最后停留的位置靠左（或阻值大）的那次，黑表笔接的就是电解电容的正极。电容使用的一些经验及来四个误区。一些经验：在电路中不能确定线路的极性时，建议使用无极电解电容。通过电解电容的纹波电流不能超过其充许范围。如超过了规定值，需选用耐大纹波电流的电容。电容的工作电压不能超过其额定电压。在进行电容的焊接的时候，电烙铁应与电容的塑料外壳保持一定的距离，以防止过热造成塑料套管破裂。并且焊接时间不应超过10秒，焊接温度不应超过260摄氏度。个误区：电容容量越大越好。很多人在电容的替换中往往爱用大容量的电容。我们知道虽然电容越大，为IC提供的电流补偿的能力越强。且不说电容容量的增大带来的体积变大，增加成本的同时还影响空气流动和散热。关键在于电容上存在寄生电感，电容放电回路会在某个频点上发生谐振。在谐振点，电容的阻抗小。因此放电回路的阻抗最小，补充能量的效果也最好。但当频率超过谐振点时，放电回路的阻抗开始增加，电容提供电流能力便开始下降。电容的容值越大，谐振频率越低，电容能有效补偿电流的频率范围也越小。从保证电容提供高频电流的能力的角度来说，电容越大越好的观点是错误的，一般的电路设计中都有一个参考值的。同样容量的电容，并联越多的小电容越好，耐压值、耐温值、容值、ESR(等效电阻)等是电容的几个重要参数，对于ESR自然是越低越好。ESR与电容的容量、频率、电压、温度等都有关系。当电压固定时候，容量越大，ESR越低。在板卡设计中采用多个小电容并连多是出与PCB空间的限制，这样有的人就认为，越多的并联小电阻，ESR越低，效果越好。理论上是如此，但是要考虑到电容接脚焊点的阻抗，采用多个小电容并联，效果并不一定突出。ESR越低，效果越好。结合我们上面的提高的供电电路来说，对于输入电容来说，输入电容的容量要大一点。相对容量的要求，对ESR的要求可以适当的降低。因为输入电容主要是耐压，其次是吸收MOSFET的开关脉冲。对于输出电容来说，耐压的要求和容量可以适当的降低一点。ESR的要求则高一点，因为这里要保证的是足够的电流通过量。但这里要注意的是ESR并不是越低越好，低ESR电容会引起开关电路振荡。而消振电路复杂同时会导致成本的增加。板卡设计中，这里一般有一个参考值，此作为元件选用参数，避免消振电路而导致成本的增加。好电容代表着高品质。“唯电容论”曾经盛极一时，一些厂商和媒体也刻意的把这个事情做成一个卖点。在板卡设计中，电路设计水平是关键。和有的厂商可以用两相供电做出比一些厂商采用四相供电更稳定的产品一样，一味的采用高价电容，不一定能做出好产品。衡量一个产品，一定要全方位多角度的去考虑，切不可把电容的作用有意无意的夸大。2.电阻（electrical resistance）电阻在板卡设计中是被大量采用的元件，电阻的质量直接影响到电路的品质。电阻的作用和表示。电阻最基本的作用就是阻碍电流的流动，在电路中可以起到分流、限流、分压、偏置等作用。电路中用“R”加数字表示，如R6表示编号为6的电阻。在上图中主板DIMM插槽部分，有高频耦合电阻，来进行内存模组和内存总线之间的阻抗匹配。一般在DIMM插槽旁边是终结电阻器。终结电阻在数据总线的终端。我们知道，如果数据总线的终端悬空，信号到了线路终端就会反射回来产生严重的干扰。终结电阻正是解决了高频信号的反射问题，保证了信号的完整性。终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻值高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。在DDR SDRAM的数据总线上一般600欧姆的电阻。现在的DDR-II内存芯片内置了终结电阻，这样是内存芯片和终结电阻匹配的更完美，信号品质更好。同时也简化了PCB的设计。为板卡设计带来了新思路。在现在的板卡设计中比较常见还有保险电阻。保险电阻类似保险丝，同时其自身有一定的阻值，能限制电流的大小。某些板卡上使用了自恢复保险，当通过其电流过大时，就会熔断，阻止电流的通过。故障排除后，则自动恢复导通。 上图中Audigy2 ZS声卡在IEEE 1394输入部分用到的白色金属保险电阻，这类保险电阻常用于电流比较大的IEEE 1394接口和USB接口电路中。右边的绿色扁平状保险电阻为主板和显卡等常用的保险电阻。电阻的单位和表示方法。电阻的单位是欧姆（），其他单位有：千欧（K），兆欧（M）等。换算关系是：1兆欧=1000千欧=1000000欧。电阻的标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。数标法主要用于贴片等小体积的电路，如：202 表示 20x10x10=2K， 203则表示20x10x10x10=20K。色环标注法即使用一定的颜色，对应相应的阻值。在现在的板卡上应用不多，故不赘述。3.电感（electrical inductance）板卡上电感决定着供电电路的品质，目前的板卡设计上，电感高档化是一个趋势。上图中为ATI 9800XT上用到的带屏蔽的电感、贴片电感和NVIDIA的Geforce 6800ultra上用到的3个V121和2个S200。3个VT121最大通过电流30A。2个S200，能耐20A电流。理论上5颗电感总共能耐电流在30x3+20x2=130A，100A以上的电流是一个非常了不起的数字。电感及其表示方法。电感是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数而成。电感的特性是通直流阻交流。直流可通过线圈，直流电阻就是导线本身的电阻，压降很小。当交流信号通过线圈时，线圈两端将会产生自感电动势。自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍交流的通过。所以，频率越高，线圈阻抗越大。电感在电路中可与电容组成振荡电路。电感在电路中常用“L”加数字表示。如我们上图中的L12、L13等。电感的单位和标注。电感的基本单位为：亨（H） 换算单位有：1H=1000mH，1H=1000000uH。电感的标注：直标法和色标法。其中色标法与电阻类似。4.二极管（diode）和三极管（triode）。二极管的应用非常广泛。几乎所有的电路中，都要用到二极管。二极管的特点、原理和表示。晶体二极管是一个由P型半导体和N型半导体形成的P-N结，在界面处两侧形成空间电荷层，有自建电场。二极管最重要的特性就是单向导电性。在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。当没有外加电压时，由于P-N结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等，这样就处于电平衡状态。当施加正向电压时，外界电场和自建电场的互相抵消使载流子的扩散电流增加引形成正向电流。当施加反向电压时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。当外加的反向电压增高到一定程度，P-N结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，这就是二极管的击穿现象。二极管在电路中常用“D”加数字表示，如： D8表示编号为8的二极管。二极管的分类。按照所用的半导体材料，可分为硅二极管（Si管）和锗二极管（Ge管）。按照用途，可分为稳压二极管、开关二极管、检波二极管、整流二极管等。按照管芯结构，可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。三极管内部含有2个P-N结，并且具有放大能力的的器件。三极管的原理、分类和表示。三极管顾名思义具有三个电极。前面我们提到的二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b表示）。其他的两个电极成为集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三极管，另一种是PNP型的三极管。这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补。比如OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q10表示编号为10的三极管。三极管的作用和参数。三极管最基本的作用是放大。把微弱的电信号变成一定强度的信号，这种转换仍然遵循能量守恒，只是将电源的能量转换成信号的能量而已。三极管的一个重要参数就是电流放大系数。当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流倍的电流，即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化，基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的放大作用。5.场效应管(field-effect transistor)。场效应晶体管(FET)简称场效应管，属于电压控制型半导体器件。输入电阻高、噪声小、功耗低、无二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。在现在的板卡的供电设计上应用广泛。上图中为ATI9800XT上的供电电路部分用的8片mosfet芯片和ASUS主板上给mosfet部分加装的散热片。场效应管的分类和表示。场效应管分成结型和绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）有两个PN结而得名。绝缘栅型场效应管（JGFET）的栅极与其它电极完全绝缘而得名。在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管（金属-氧化物-半导体场效应管，MOSFET）。按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型分为沟道和P沟道两种。按导电方式来划分，场效应管分为耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管有耗尽型，也有增强型。在电路中，常用“O”加数字表示，如：O21表示编号为21的的场效应管。场效应管与晶体管的比较场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管。而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。场效应管利用多数载流子导电，称之为单极型器件。而晶体管是既利用多数载流子，也利用少数载流子导电，称之为双极型器件。有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，灵活性较好。场效应管可以在小电流和低电压的条件下工作，制造工艺上来说可以把多个场效应管集成在一块硅片上，简化了电路设计。6.板卡上常见的几类芯片EEPROM和FLASHROM。EEPROM是电擦除非易失型存储器。存储单元由浮栅型场效应管构成。利用高压下的隧道效应，令浮栅带电写入。同样利用高压下的隧道效应，但电压极性相反，因此令浮栅不带电擦除。EEPROM工作电压为5V，在写入时，需要加上一定的编程电压。在声卡，显卡上比较常用。FLASH ROM也是电擦除非易失型存储器（快擦写存储芯片），利用浮栅型场效应管构成。利用热电子注入，使浮栅带电写入。利用高压下的隧道效应，使浮栅失去电子擦除。FLASH ROM的工作和刷新电压都是5V。多见于主板上。 PWM（Pulse Width Modulation）。在目前广泛采用的开关电源供电方式中，PWM控制器IC芯片提供脉宽调制，并发出脉冲信号，使多个MOSFET管轮流导通。同时扼流线圈作为储能电感使用并与相接的电容组成LC滤波电路。PWM芯片包含内部和外部线路，当脉宽调制要做周期循环时将由它来决定这个频率的快慢，当一个信号要发送到每一个MOSFET用以接通这些MOSFET时它就可以直接控制进行速度调节。监控芯片。现在的显卡和主板的设计上多采用监控芯片，并配合相应的windows系统下的程序，可以对显卡、主板的温度、电压等方面进行监控，提供了丰富功能的同时也体现了产品设计的人性化。上图中在ATI9800XT用到的LM63芯片，可以提供系统温度监测，配合内置温度感应电路和高版本的催化剂驱动一同实现动态超频的Overdrive功能。在主板上常用到的ITE的IT8712F芯片，可以提高电压监控。 对于其他的一些USB2.0芯片，RAID芯片，IEEE1394和AC97声效芯片，类别很多。同时由于芯片设计能力的提高和制造工艺的成熟，这些功能扩展芯片多被强大的功能丰富的南桥芯片中集成的功能所取代。在保证良好的兼容性的同时将成本进一步的降低，同时PCB设计更加简洁。芯片的高度集成化和功能的多样性是未来板卡发展的一个趋势。7.PCB（Printed Circuit Board）设计。PCB印刷电路板是所有板卡设计的母体。几层树脂材料粘合在一起的，内部采用铜箔走线。一般为四层，最上和最下的两层是信号层，中间两层是接地层和电源层，将接地和电源层放在中间。很容易的对信号线作出修正。工作站主板的PCB多为六层，因为信号线必须距离足够远的距离，来防止电磁干扰。六层板PCB一般有三个或四个信号层、一个接地层、以及一个或两个电源层，以提供足够的电力供应。现在的显卡设计上为了保证高频的信号质量，采用8层、10层甚至12层PCB。我们可以简单的分析，在PCB的设计中，要抑制以下不良效应的影响：反射信号、延时和时序错误、多次跨越逻辑电平门限错误、过冲与下冲、串扰、电磁辐射等。针对这些不良影响，要严格控制关键网线的走线长度，同时要合理规划走线的拓扑结构、抑止电磁干扰。优良的板卡设计，除去选择高质量的元器件、合理的电路以外，PCB的组件布局和电气联机方向的正确结构设计是系统稳定的关键。优质的元件加上优良的PCB设计才能最大限度的实现PCB的稳定。第二部分，DIY常用软件。1.显卡类工具。我们分为ATI和NVIDIA两个类别来介绍相应的软件。ATI BIOS EDITOR。ATI BIOS EDITOR是一款非常小巧的ATI显卡的BIOS编辑软件。可是对VPU，显存频率、容量、TV输出等很简单的进行调节。使以前为了改一个参数就要看半天代码的事情变的非常简单。下载完ATI BIOS EDITOR压缩包解压后有四个部分，其中EGA3.CPI是显卡字符文件，就是在ATI卡启动时加入字符。RadEdit是帮助文件，Vendor文件是PCI VendorID目录。RadClk.exe是DOS程序，RadEdit.exe就是windows下的程序，如上图。在BIOS Title中显示核心和现存类型，Vendor ID显示厂商信息。下面的是关键的核心和显存频率调节。在Memory timings里是显存类型调节。一般我们不要去改动。在TV输出部分有PAL和NTSC，PAL是欧洲的50Hz的标准，NTSC是美国的60Hz的标准。关于添加开机字符，可以修改Fonts部分，为了保证显卡的稳定一般还是不要去做改动。在最下面是程序的控制控制栏部分。Load打开已有的BIOS文件，Save是保存修改后的BIOS文件。Current是引导出当前的显卡BIOS文件，备份显卡内的BIOS文件速度非常快。关于修改要注意的几个事情：在修改前频率前要用PowerStrip等频率调节软件对频率进行测试，稳定后方可修改。在我们修改了某个显卡BIOS文件以后，可以利用这个软件进行检测，通过检测以后才可以刷入显卡的EEPROM芯片。这个过程就是“检测和”即用RadEdit打我们修改的显卡BIOS文件，会提示Checksums bad。然后点击确定。把文件另存为ati.rom。这样这个ati.rom就是我们修改得到的BIOS。然后利用DOS下的刷新工具flashrom刷入即可。命令为：flashrom -s 0 ati.rom.（0是数字）ATI Winflash。ATI官方发布的可以在Windows环境下直接进行显卡BIOS刷新的工具。运行ATi Winflash时，首先刷新程序会对显卡进行检测，这个时候会出现短暂的黑屏。然后就出现了刷新程序的主界面。检测完毕以后，会对ATI显卡的核心类型，设备ID、驱动ID，以及EEPROM芯片的类型、容量等做一个详细的描述。单击“Load Image”按钮，载入修改好的文件。确定后，单击“Program”按钮，这个时候会出现短暂的黑屏，不要断电。几秒种，程序提示刷新成功，重启系统，显卡BIOS修改完成。NVIDIA BIOS EDITOR。NVIDIA BIOS EDITOR可以非常方便的修改NVIDIA显卡的各项参数。修改内容包括以下几个方面：常规选项。 设备ID。更改开机显示字符，比如将“Geforce4 TI4400 ”改为“quadro4 900XGL”。 显卡的ID。第一ID号，显然应该由0251改为0258，第二显卡厂商ID，随意改为Elsa等，第三子设备ID，改为相应厂商的子设备号。 开机画面显示信息。开机显示信息是系统启动显示的信息，最多可显示80个字符。 初始化设置。“起用STRAP覆写”，可以通过“Strap Register”去升级显卡。如果没有选中，则会影响AGP边带寻址和其他一些功能。“禁用AGP边带寻址”选项。“AGP边带寻址”是高级显卡的一个功能，具有此项功能的显卡在性能上比没有的要高出许多。如果选择后系统不稳定，就打勾。“禁用快写”选项。如果这一项被选中，说明该显卡是在测试中的新硬件。正常情况下必选择。GPU、显存时钟频率的调整。修改完核心频率定和显存频率以后，改完一定要按DUP才能生效。有的时候需要在NVBIOSEditor的十六进制编辑菜单下完成。修改完保存即可。修改完显卡bios以后，用nvflash在纯DOS下键入nvflash u f nvidia.rom即可。 此过程不能掉电。2.简单的测试工具。Acpu和内存参数检测工具WCPUID，可以详细的检测CPU的倍频、外频，L1 cache、L2 cache以及支持的多媒体指令等等。CPUZ也有类似WCPUID的一些功能，但是我们一般常用到的是它的内存参数检测功能。可以将内存的参数全部显示出来。给我们调节内存带来了很大的方便。B显卡测试工具3DMark03。3DMark03针对显卡有四个Game测试。其中Wings of Fury是一个基于DirectX7的测试，使用了vertex shaders 1.1。Battle of Proxycon和Trolls Lair两项测试是基于DirectX8的测试，使用了pixel shaders 1.4和vertex shaders 1.1。Mother Nature场景基于PixelShaders2.0和Vertex Shader2.0引擎。两个CPU测试、五个特征测试和三个声卡测试。我们点击Image Quality，可以对每一项测试进行相关的设置。点击Texture Filtering，可以对分辨率等进行设置。最后点击Run 3DMark即可。C整体测试软件SiSoftware Sandra Professional。类似的还有AIDA32等等，这类软件大而全，可以对系统做全面的检测。同时可以进行一些简单的测试。软件内置了一些有代表性的测试成绩，可以在测试完毕后进行一些比较。第三部分，硬件改造的技巧。具备一定的硬件改造的基本功，并辅以一定的技巧，这样在改造过程中才能得心应手。1.焊接的技巧。焊功是需要常时间的练习的，没有捷径可寻。这里我们只是讲一些技巧来辅助大家更好的进行板卡的修理和改造。A焊接工具的选择。在工具的选择上我们要注意几点。电烙铁要求烙铁尖，要细顶部的直径在1mm以下，功率为25W左右，不要选用大功率的，有条件的可以使用温度可调节带ESD保护的焊台。焊丝要细，纯度要高。进口焊芯直径为0.4mm 或0.5mm，部分品质不好焊丝标的参数达不到。要实际的去分辨，不要看参数。助焊剂可以增加锡水的流动性，依靠表面张力作用光滑的包在引脚和焊盘的间隙。用松香代替，需将松香压成碎面撒放在焊接处最佳。焊接后用酒精清除PCB上的助焊剂，无水乙醇酒精含量不少于99.8%。尖头镊子、吸锡网、小硬毛刷、放大镜等辅助工具。B板卡上旧元件的拆除。板卡上旧元件的拆除是焊接过程中非常重要的一步，我们要注意几个方面。引脚大的插件可以用吸锡器直接将锡吸去。对于多脚的贴片元件，可以先上一定量的锡和助焊剂，待锡熔化后，将芯片整体取下。然后再将锡加热，同时让PCB有锡的一面向下，在背面轻轻的拍打，即可除去残锡。对于小针脚的帖片元件，我们可以用吸锡线辅助，除去残锡。还可以用一个头部非常尖细的皮老虎将熔化后的锡吹走，非常方便，但要注意安全并将PCB上的残锡详细的检查全部清理掉。C板卡上元件的手工焊接。焊接时先在芯片所有的引脚上涂上助焊剂。焊接的过程中可以先用双面胶把QFP等封装的小芯片贴在焊盘上，保证引脚和PCB上的电路对应。在烙铁的尖部粘上焊锡，然后轻微接触引脚，直到看到焊锡流如引脚与焊盘的缝隙。注意烙铁与引脚平行，防止发生搭载。电烙铁不要长时间的停在芯片引脚上以免过热损坏器件或焊锡过热而烧焦PCB。焊接完毕然后清除多余的焊锡，然后用小是刷子沾上无水酒精，沿引脚方向顺向反复擦拭，用力要适中。清理助焊剂，防止腐蚀。然后检查有无虚焊，并用万用表实际测量用放大镜检查焊接的质量。焊接效果好的话焊接器件与PCB 之间有一个平滑的熔化过渡，非常明亮而且没有残留的杂物，焊点清晰。如发现有问题再重新焊接并清理引脚。2.板卡的改造技巧。A功能改造。核心改造。我们以现在比较常见的显卡功能改造为例。在上图中，依次为FireGL X2-256，ATI9800pro和ATI9800se的核心。我们可以看到FireGL X2-256显示芯片同ATI9800 Pro显示芯片的区别只是DIE旁边的PCB上的一个定位识别电阻的位置不同。ATI9800pro和ATI9800se的区别只是管线识别电阻的位置的差别。核心DIE通过这些功能电阻就可以判断是否开启专业OpenGL加速和是否打开另外4条渲染管线。例如我们要将ATI980pro显卡改造为FireGL X2-256第一步就是改变ATI9800pro-256定位识别电阻的位置，让核心开启专业OpenGL硬件加速。这里我们不焊接电阻，而是把ATI9800 Pro相对于FireGL X2-256位置不同的定位识别电阻位上的空焊位置用导电胶水连起来。这样电流从电阻小的连接位置流过，避开了9800pro的识别位置，等效于改焊电阻。然后再用我们上面的提到的工具对BIOS修改以后重新刷入即可。电压改造。我们以常见的Semtech公司的SC1175csW芯片为例。这是在板卡设计上常用到的两相的同步电压模式PWM控制器，它采用小巧的SOIC 20 pin封装形式。具有两路的开关控制，用来管理芯片的电源供应。两条通道独立工作为芯片提供两个电压值：供应内部电路的3.3V和供应输入输出缓冲的2.5V。可以提供SSTL终结，具有很高的精度，效率大于90。改造原理也非常简单：从 PWM测试回路(-IN1)pin 18 (1.25V 基准电压)分得不同的参考电压，与从输出端的取样电压比较，然后反馈到PWM 中的误差放大器中，然后调整脉冲宽度,根据反馈的电压来调整输出电压，以达到稳压的目的。这个过程中的几个电阻，就影响着电路电压。如果输出电压是 uV,反馈电压是uV,这种情况下输出电压稳定。如果反馈电压低于uV,PWM即提高对应的输出电压，使其从新达到uV输出。这样，通过提升或降低反馈电压，影响PWM的误差放大器，从而降低或拉高基准电压，即达到升高或降低GPU供电电压的目的。根据该芯片的针脚定义，我们从pin18接适当阻值电阻到GND，进行分压。_根据公式Vout=1.25x（1+R12/R1），R12=1300，R1=7700,我们可以接一5K的电阻把电压提高到1.75V或是接一个10K的电阻把电压提高到1.65V。这里我们不用采用焊接电阻的方法，我们可以采用一个很巧妙的方法：把一个10K的贴片电阻用AB胶轻轻沾到PCB上（也可以沾到PWM上pin18和pin20的中间）待胶水沾合牢固后，用导电胶水从两个脚引出一条线，分别连到贴片电阻的两端，这样便完成了供电电路的改造。B散热改造。散热改造是DIY最常见的改造内容，主板的散热改造。主板