TFT-Array工艺说课讲解.ppt

TFT Array工艺技术概要 1 一 TFT的基本构造二 ARRAY工艺介绍三 4Mask与5Mask工艺对比四 Array现场气液安全 2 主要内容 3 一 TFT的基本构造 4 一 TFT的基本构造 GATE G SiNx a Si n a Si DRAIN SOURCE P SiNx ITO像素电极 GLASS 接触孔 G工程 I工程 D工程 C工程 PI工程 5 PR曝光工程 成膜工程 刻蚀工程 剥离 G层Sputter AL Nb Mo Nd G MaskPR曝光 G层湿刻 剥离 工艺详细流程 G工程 6 工艺详细流程 D I工程图解 PR曝光工程 成膜工程 剥离工程 D层Sputter Cr D MaskPR曝光 D层湿刻2 剥离 PCVD SiNx Island干刻 D层湿刻1 刻蚀工程 成膜工程 PCVD 3层CVD 成膜工程 Channel干刻 7 工艺详细流程 C工程 PR曝光工程 成膜工程 刻蚀工程 剥离 PCVD SiNx C MaskPR曝光 ContactHole干刻 剥离 8 工艺详细流程 PI工程 PR曝光工程 成膜工程 刻蚀工程 Sputter ITO PI MaskPR曝光 ITO湿刻 剥离 剥离 二 ARRAY工艺介绍 9 10 1 1 洗净 11 1 2 洗净方法及原理概述 溅射 Sputter 是指利用电场加速的气体离子对靶材的轰击 使成膜材料从靶材转移到基板的物理成膜方法 Sputter在工艺流程中的位置 12 2 1 Sputter 2 2 Sputter TFT中Sputter薄膜的种类和作用 13 整体图 SMD 1200 基板搬入 加热 搬出 冷却 室 L1 L2 搬送室 Tr 成膜室 X1 X3 14 2 3 Sputter设备 15 3 1 PCVD 16 3 2 PCVD 4 1 PR 曝光 由洗净 涂覆 曝光 显影四大部分组成 洗净 ExcimerUV RB AAJet 直水Spray A k涂覆 除水干燥 Slit涂覆 Spin涂覆 减压干燥 端面清洗 前烘曝光显影 显影1 显影2 循环纯水Spray 直水Spray A K 后烘 17 18 4 2 InlinePR 涂布前洗净 EBR处理 预烘 基板端面的光刻胶除去 N 洗浄液 排气 光刻胶中的溶剂除去 决定光刻胶感光速度 加热盘 非接触方式 改善静电 背面污染 热应力等方面 非接触式栓 刷子 2流体 19 4 3 曝光 基板 弓 補正 20 4 4 显影 显影液回收 清洗槽 风刀干燥 显影槽 基板倾斜 显像液流下 基板全面喷纯水 回收显影液 湿刻的目的湿刻是通过对象材料 一般为金属导电膜 与刻蚀液之间的化学反应 对对象材料进行刻蚀的过程 在TFT LCD工艺中 主要是对Gate层 Mo Al Drain层 Cr 及像素层 ITO 进行刻蚀 21 5 1 湿刻 5 2 湿刻设备概要 湿刻装置的构成 22 水洗 干燥 23 6 1 干刻 成膜工程 工程 涂布 曝光 显像 刻蚀工程 剥离 刻蚀目的 形成TFT基板的各种pattern DE刻蚀的主要对象为非金属膜 反应气体在高频电场作用下发生等离子体 Plasma 放电 等离子体与基板发生作用将没有被光刻胶掩蔽的薄膜刻蚀掉 24 6 2 干刻原理 ETCHINGGAS PLASMA 25 6 3 干刻装置 P C ProcessChamber T C TransferChamber L L LoadLock 大气Robot 从Cassette和L L之间的搬送 大气压和真空两种状态之间的切换 L L和P C之间的搬送 防止不纯物进入P C P C内的特气外泄 真空中进行Plasma的物理 化学反应 进行刻蚀 1 剥离简介 刻蚀 干刻 湿刻 完成后除去光刻胶的过程 26 7 1 剥离 3 各部分作用 27 7 2 剥离 水洗槽 2 剥离装置示意图 28 8 热退火 热退火简介 经过适当时间的热处理 修复晶体损伤 改善晶体性质 淀积 刻蚀等基本加工完成 热退火处理 损伤分解 缺陷复合 再结晶 掺杂物质再分布 薄膜晶体 主要是ITO和N 性质得到提高 29 9 检查与修复 10 ARRAY工艺介绍 4Mask工艺PR后像素照片 30 31 11 ARRAY工艺介绍 工艺不良 PR 显影后接触孔边缘形状不规则 光刻胶Pinhole D断线 PR 曝光 使待刻蚀膜层上的光刻胶形成掩模图形的过程 32 三 4Mask与5Mask工艺对比 33 三 4Mask与5Mask工艺对比 34 三 4Mask与5Mask工艺对比 4Mask D I工程