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文档简介

1.3场效晶体管课型： 新 课授课班级：153授课时数：1教学目标：1掌握场效晶体管结构特点和类型。2了解场效晶体管电压放大原理。教学重点：1场效晶体管类型、结构特点和工作原理。2场效晶体管与三极管的比较。教学难点：场效晶体管电压放大原理。教学过程：A引入半导体三极管是利用输入电流控制输出电流的半导体器件，称为电流控制型器件。场效晶体管是利用输入电压产生电场效应来控制输出电流的器件，称为电压控制型器件。B新授课1.3场效晶体管1.3.1结型场效晶体管1符号和分类（1）电路符号和外形三个电极：漏极（D）、源极（S）、栅极（G），D和S可交换使用，电路符号和外形如图所示。（2）分类结型场效晶体管可分为P沟道和N沟道两种。2电压放大作用（1）放大电路（2）总结：场效晶体管共源极电路中，漏极电流受栅源电压控制。场效晶体管是电压控制器件，具有电压放大作用。1.3.2绝缘栅场效晶体管栅极与漏、源极完全绝缘的场效晶体管，称绝缘栅场效晶体管。1电路符号和分类四种场效晶体管的电路符号如图所示。N沟道增强型P沟道增强型N沟道耗尽型 P沟道耗尽型 N沟道箭头指向内。沟道用虚线为增强型，用实线为耗尽型，N沟道称NMOS管。 P沟道箭头指向外。沟道用虚线为增强型，用实线为耗尽型，P沟道称PMOS管。2结构和工作原理以N沟道增强型MOSFET为例。（1）结构 N型区引出两个电极：漏极（D）、源极（S）。 在源区和漏区之间的衬底表面覆盖一层很薄的绝缘层，再在绝缘层上覆盖一层金属薄层，形成栅极（G）。 从衬底基片上引出一个电极，称为衬底电极。（2）工作原理工作原理示意图如图所示。 当= 0时，漏极电流 0，处于截止状态。 增大，超过开启电压，形成漏区和源区间的导电沟道。若此时在漏极和源极之间加正向电压 0，就会形成漏极电流。总结：越大，导电沟道越宽，沟道电阻越小，越大。则通过调节可控制漏极电流。（3）输出特性和转移特性（与晶体管类似）。3电压放大作用MOS场效晶体管放大电路与结型场效晶体管放大电路的工作原理相似。不同的是N沟道增强型场效晶体管的的正向电压应大于开启电压才能正常工作。而N沟道耗尽型场效晶体管的不仅可取负值，取正值和零均能正常工作。P沟道MOS管的工作电路只需将相应的电压方向改变即可。1.3.3MOSFET和三极管的比较1MOSFET温度稳定性好。2MOSFET输入电阻极高，因此，MOSFET放大级对前级的放大能力影响极小。3MOSFET存放时，应使栅极与源极短接，避免栅极悬空。4MOSFET的源极和漏极可以互换使用。C 练 习：1场效晶体管是一种_控制器件，用_极电压来控制_极电流。它具有高_和低_特性。2场效晶体管有_场效晶体管和_场效晶体管两大类，每类又有_沟道和_沟道的区分。D小 结：1场效晶体管分为结型场效晶体管和绝缘栅型场效晶体管。2场效晶体管
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