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文档简介
1 相关的MOS管的理论知识1.1 概述场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108109）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。1.2 分类场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的MOS场效应管、VMOS功率模块等。按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。1.1 作用1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。3、场效应管可以用作可变电阻。4、场效应管可以方便地用作恒流源。5、场效应管可以用作电子开关。2 常用场效应管的脚位图1 使用注意事项对于P沟道mos管，VDS = -6 V, VGS = -4.5 V， ID=- 2.8 A也就是栅极低于源极电压时开始导通。 相反对于N沟道mos管，VDS = 6 V, VGS = 4.5 V， ID=2.8 A也就是栅极高于源极电压时开始导通。容易出现的错误大家注意到无论是N还是P mos管在D-S之间都有二极管，此二极管起保护作用。例1：用作为电池充电开关电路正确的接法如下下图是一幅正确的充电管理原理图此处的Q2如果接成如下方式在上图中用的是P沟道mos管，由于内部二极管的存在使得电池充电时从VCC_OUT通过内部二极管漏向BAT，即使nchrg关断充电管理ic，依然对电池进行充电，失去了控制。例2：用作为开关电路正确的接法如下（低能通，高能断）此处的Q2如果接成如下方式（错误的接法，低能通，高不能断）上图
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