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文档简介

电子技术 真空管 第一代电子器件 晶体管 第二代电子器件 小 中规模集成 第三代电子器件 大规模集成 第四代电子器件 超大规模集成 第五代电子器件 特大规模集成巨大规模集成 第一章半导体二极管和三极管 导电性能 导体 绝缘体 半导体 半导体特点 1 1半导体的基本知识 温度 导电能力 热敏元件 光照 导电能力 光敏元件 掺入微量杂质 导电能力 二极管 三极管 一 本征半导体 本征半导体 完全纯净的 结构完整的半导体 共价键结构 激发 热 光 导电方式 自由电子导电 自由电子和空穴同时参与导电 空穴导电 在本征半导体中 自由电子和空穴成对出现 呈电中性 T 载流子数量 温度对半导体器件性能影响很大 二 杂质半导体 1 N型半导体 电子半导体 在本征半导体中掺入微量杂质元素 掺入微量五价元素 使自由电子浓度大大增加的半导体 N型半导体 电子半导体 载流子 电子 空穴多子少子 2 P型半导体 空穴半导体 掺入微量三价元素 使空穴浓度大大增加的半导体 P型半导体 空穴半导体 载流子 空穴 电子多子少子 一 PN结的形成 1 2PN结及其单向导电性 结合 多子扩散 内电场 阻止多子扩散 增强少子漂移 动态平衡 PN结 耗尽层 空间电荷区 二 PN结的单向导电性 1 外加正向电压 P区接电源正极 N区接电源负极 正向接法 空间电荷区变窄形成较大的正向电流PN结处于导通状态导通时呈低阻 反向接法 空间电荷区变宽I 反向饱和电流 很小 截止时呈高阻PN结处于截止状态温度增加 反向电流增加 外加反向电压 N区接电源正极 P区接电源负极 结论 PN结正向导通 反向截止 导通时呈低阻 截止时呈高阻 PN结的单向导电性 一 基本结构 1 3半导体二极管 正向 U死区电压 U I 二 伏安特性 反向 U U BR U I 击穿 毁坏 三 主要参数 1 最大整流电流IOM 二极管长时间使用时 允许通过二极管的最大正向平均电流 当电流超过允许值时 PN结将过热而使管子损坏 2 反向工作峰值电压URWM 一般为反向击穿电压的一半或三分之二 3 反向峰值电流IRM 二极管上加URWM时的反向电流值 该值大 说明二极管的单向导电性能差 四 含二极管电路的计算 折线化的伏安特性 考虑正向导通压降 忽略正向导通压降 理想二极管 2 如何用三用表判断二极管的P端 N端 例2 若E 4V 求U0 解 将D开路 求其两端开路电压U 若U 0 则D导通 反之D截止 故D导通 U0 0V 故D截止 U0 2V 解
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