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半导体p n结的整流效应原理 如果外加一个电压 使负极与n半导体链接 正极与p半导体链接 电子和空穴都向p n结移动 最后相互结合 这些电子与空穴的移动产生电流 如右图b所示 此时所加的外电压为正偏压 随着电压的增加电流同时增大 如图5所示 2020 3 20 图5P n结的伏安特性 2 2020 3 20 如果外加的电压相反 即处于反偏压 电子和空穴都会离开p n结 在p n结附近出现一个没有载流子的的耗尽区 就像绝缘体一样 没有电流通过 由于p n结只允许电流沿一个方向流过 它可以只让电流中的正向电流流过 而将反向电流阻挡 所以p n结能够将交流电转变成直流电 如图5 15 这种p n结又称整流二极管 图5 15p n结的整流效应 3 2020 3 20 p n结的反向击穿 在p n结处于反向偏压时 一般只有很小的漏电流 这是由于热激发的少量电子和空穴引起的 但是 如果反向偏压太大 通过p n结的的绝缘区的漏电流的载流子将会被大大加速 从而激发出其他的载流子 导致在反向偏压下也产生一个很大的电流 右图所示 这种现象称为p n结的反向击穿 从该现象可以定出p n结的反向许可电压 4 2020 3 20 当电路上的电压可以通过调节半导体掺杂和p n结的结构来改变p n结的反向许可电压 当电路上的电压超过反向许可电压时 p n结的反向电流将迅速增加 其结果不仅有可能损坏p n结 也会对电路的其他部分产生影响 但是 有时也可以利用p n结的反向电流特性制备稳压二极管或齐纳 Zener 二极管
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