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文档简介

PN结二极管的制备 主要内容 PN结二极管的制备 0 准备 p Si 1 制备单晶硅片 2 硅片表面的化学清洗 PN结二极管的制备 1 氧化 问题 1 为什么要双面氧化 2 氧化层的厚度需要大于设计的厚度 为什么 PN结二极管的制备 2 涂胶 问题 1 涂胶过程 2 光刻胶分类 作用 常用的光刻胶 3 涂胶后 曝光前 对光刻胶加固的过程是什么工艺 PN结二极管的制备 Mask1 黑色部分都是不透光的 中间的白色部分是做扩散的位置 Mask的剖面图 PN结二极管的制备 3 曝光 问题 1 光刻的作用 2 图中使用的是正胶 如果用负胶如何修改工艺 PN结二极管的制备 4 显影 问题 1 什么是显影工艺 2 显影液选择的注意事项 PN结二极管的制备 5 腐蚀 问题 1 腐蚀分为哪两种形式 各有什么特点 2 选用腐蚀液要注意什么 PN结二极管的制备 6 去胶 1 通常用什么方法去胶 问题 PN结二极管的制备 7 杂质扩散 1 硅片要经过适当的清洗后 2 应该扩散什么杂质3 杂质扩散源有哪些 4 以液态扩散源简要说一下扩散的化学原理 5 这只是杂质的预淀积 问题 PN结二极管的制备 8 驱入 在未被氧化层保护的区域形成了n p结 n 中的 号表示高掺杂 问题 PN结二极管的制备 9 金属化 1 金属化的目的 2 淀积金属薄膜有几种方法 3 低于或等于500oC 退火来改善金属层与硅之间的欧姆接触 问题 PN结二极管的制备 10 涂胶 目的 通过光刻去除扩散结区域之外的多余的金属薄膜 PN结二极管的制备 Mask2 Mask 黑色部分都是不透光的 四周的白色部分是刻蚀金属的位置 Mask的剖面图 问题 可不可以用Mask1 PN结二极管的制备 11 曝光mask2板 问题 如果采用负胶 如何修改掩膜板Mask2 PN结二极管的制备 12 显影 问题 显影液的选择 PN结二极管的制备 13 腐蚀 1 此次腐蚀的目的 2 腐蚀液的
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