《微波有源器件》PPT课件.ppt

1 接收 发送系统通常由滤波器 低噪声放大器 功率放大器 振荡器 倍频器 混频器以及开关电路 功率合成与分配电路等基本的射频与微波电路模块组成 组成这些模块的更基本单元就是各类有源器件与无源器件 初次进行射频与微波电路设计 感到最难入手的就是有源器件的选择 选择有源器件要考虑的因素很多 首先要满足收发机对诸如振荡器 放大器 混频器等基本模块的指标要求 还要考虑可用技术与实现成本 如何选择有源器件没有固定的程式 经验 对有源器件资料的掌握 对整个收 发系统指标的理解是选择有源器件的重要依据 射频与微波电路常用的有源器件可分为两类 即二极管类型和三极管类型 微波二极管 作混频与检波用的肖特基表面势垒二极管 简称肖特基二极管 作振荡器用的甘氏二有管 Gunndiode 作控制电路用的PIN二极管 微波晶体管 双极晶体管 BipolarTransistors 场效应晶体管 Field effectTransistors 有源器件的选择对射频与微波电路设计极其重要 2 肖特基表面势垒及其单向导电特性 当半导体材料与某些金属接触时 大量电子从半导体侧扩散进入金属 因而在半导体一侧留下不可移动的正离子 即带正电的 空间电荷 形成了 空间电荷层 也即 耗尽层 这些空间电荷与进入金属的电子之间产生自建电场 造成势垒 阻止电子向金属一侧的进一步扩散 上述势垒称为 肖特基势垒 这种由金属与半导体接触在一起形成势垒的结构也叫 金 半结 当 金 半结 加正压 即金属一侧接直流电源正极 半导体一侧接负极时 金 半结中势垒降低 耗尽层变薄 半导体中的电子源源不断地扩散入金属 因而构成大的正向电流IF 反之 当改变外加电压极性时 金 半结势垒增高 耗尽层变厚 半导体电子不能向金属一侧扩散 只有金属一侧少量电子反向进入半导体 构成小的反向电流 简而言之 金 半结 具有单向导电特性 肖特基势垒及其单向导电性 3 面接触型肖特基势垒二极管及其等效电路 1 利用半导体表面工艺制成的面接触型肖特基势垒二极管的结构见图 2 等效电路肖特基势垒二极管的等效电路含有随偏压变化的势垒电阻Rj 由半导体材料体电阻与接触电阻组合的串联电阻Rseries 势垒电容 即结电容Cj 引线电感Ls和封装电容Cp 如图2 3 图2 2肖特基势垒二极管 Cp 图2 3肖特基势垒二极管等效电路 4 肖特基势垒二极管伏 安特性及其应用 肖特基势垒二极管的伏 安特性 可表示为Isat为反向饱和电流 数值极小 在常温下 在正偏电压接近势垒电压时 电流迅速变大 非线性强烈 在反向偏压时电流极小 大致保持Isat值 当V VB时 反向电流迅速增长 VB为反向击穿电压 肖特基二极管本质上是一个整流元件 非线性强 主要应用于混频器及检波电路 广泛应用的双平衡混频器 DMB 就应用配对的两个肖特基二极管 多数DMB用于微波频谱的低端 肖特基势垒二极管的伏 安特性 5 甘氏 Gunn 二极管 甘氏二极管是转移电子器件 具有负阻特性 它可振荡于几种模式 当工作于非谐振渡越时间模式 unresonanttransit timemode 在1 18GHz频率范围内 输出功率最高可达2W 多数为几百毫瓦 当工作于谐振限制空间电荷模式 resonantlimitedspace charge LSA mode 工作频率可到100GHz 脉冲工作 占孔系数10 时 脉冲功率输出到几百瓦 甘氏二极管 6 甘氏二极管结构及等效电路 R 负阻 Rs 体及接触电阻 Cj 等效电容 Ls 封装电感 Cp 封装电容有源工作区 Activeregion 通常为6 8 m长 N 区域厚度1 2 m 是欧姆型材料 电阻率很低 0 001 cm 作为有源区与金属电极过渡层 除了改进金属电极与有源层的接触外 N 区域也防止金属电极中金属离子迁移到有源工作区 甘氏二极管 7 甘氏二极管产生高频振荡的工作原理 在N型砷化镓半导体中导带波矢量图当二极管加上电压 并超过某阈值时 N型砷化镓中的载流子 电子 由二极管中直流电场吸收能量 从主能带导带 低有效质量高迁移率能带 转移到高能电平 高有效质量 低迁移率 的次能带导带 8 甘氏二极管速度场 在室温并未加外电压条件下 热激发能量大约仅为KT0 0 025电子伏特 这个数值远小于主一次能带之间的能量间隔 因而不足以使电子从主能带跃迁到次能带导带 电子几乎全部处于低能态的主能带中 当外加电压时 N半导体中形成外加电场 电子从电场中获得能量 电子漂移速度随电场增大而加快 电子速度为电子迁移率与外加电场的乘积 其关系为ve E在主能带 低能带电子随着外加电场的增加 从电场获得更多的能量 速度变快 当能量超过0 36电子伏特时 主能带里电子就会跃迁到次能带中 电场继续增加 越来越多的电子从主能带跃迁到次能带 其迁移率下降 因而电子漂移速度下降 当跃迁到次能带的电子数大于主能带中电子数时 电子的平均漂移速度随电场增加反而减小 这一过程如图所示 图中曲线的峰值对应的电场即电场的阈值 设Eb表示电子全部迁移到高能带中的电场值 当E Eb时 电子速度近于饱和值107厘米 秒 故图中曲线自峰下降后 当E较大时又略有上升 这是因为E Eb时电子全部在高能带被外电场加速所至 甘氏二极管速度场 9 甘氏二极管具有负阻效应 设 nL E 低能带电子数 L E 低能带电子迁移率 nV E 高能带电子数 V E 高能带低电子迁移率 在两能带总电子数n nL E nV E 当外加电场E Eth 阈值 时 n nL 当Eth E Eb Eb为电子全部路迁到高能带电场 时 电子平均迁移速度 2 1 平均电子迁移率 2 2 显然 当E增加 增加 减少 D为微分迁移率 在Eth E Eb时 为负值 电流密度j E ne D E V L 故J ne DV L V为外加电压 L为n型砷化镓长度 这说明砷化镓在一定电场范围内 一般E在3 103 2 104伏 厘米 具有负电子迁移率 也就是负阻特性 10 畴的形成与甘氏效应 在图2 8中表示的砷化镓半导体二极管样品中 如果存在某种掺杂不均匀性 例如x x0处有一小的掺杂区 那么加上外电压以后该处的电场将高于别处 随外加电压的增高 x0处电场首先超过Eth 结果x0左边有电子积累 右边电子速度快产生电子 抽空 现象 右边开始形成正离子区 这种正负电荷积累层类似于一偶极子 称为偶极畴 图2 8偶极畴形成和电场的分布 11 畴的形成与甘氏效应 由于畴内正负电荷的附加电场与外加电场方向一致 畴内电场增强 当外加电压不变时 导致畴外电场的降低 所以偶极畴又称高场畴 当畴内电场处于Eth E Eb范围内时 畴内电子漂移速度随电场增强而降低 这就使畴内正负电荷进一步积累而长大 畴的长大反过来又使畴内电场更高 畴外电场更低 此过程非常迅速 然而 畴长大过程不会无限止地进行下去 因为畴外电场下降 电子漂移速度也下降 下降到某一程度以后 畴内外电子速度相等 形成稳定畴 在畴产生 长大及稳定的同时 畴也不断向阳极运动 畴到达阳极 即被吸收而消失 在外电路形成电流突变 电场恢复初始状态 新畴又立即在x0处重新形成 这样周而复始 形成畴的自动振荡 图2 8偶极畴形成和电场的分布 12 对应于渡越时间模的外电路电流波形 在畴产生 长大及稳定的同时 畴也不断向阳极运动 畴到达阳极 即被吸收而消失 在外电路形成电流突变 电场恢复初始状态 新畴又立即在x0处重新形成 这样周而复始 形成畴的自动振荡 上述过程对应的外电路振荡电流波形 在转移电子器件中 电流振荡的这种固有模式就是众所周知的甘氏振荡效应 振荡频率由加在二极管甘氏畴渡越时间来确定 渡越时间 2 3 式中vd畴的渡越速度 L为二极管砷化镓半导体长度 vd一般约107厘米 秒 甘氏二极管与外加电压及可调谐振腔电路配合可获得的频率变化达倍频程 图2 9对应于渡越时间模的外电路电流波形 13 甘氏二极管工作模式 甘氏二极管可工作于多种模式 部分取决于器件本身特性 部分取决于外电路特性 下面主要介绍渡越时间模式与限制空间电荷模式 渡越时间模式 transittime Gunn mode 渡越时间模式是非谐振模式 与器件长度及外加直流偏压有关 直流偏压要大于阈值Vth N0L值须是1012 cm2到1014 cm2 N0为掺杂浓度 L为有源区长度 工作频率由有源区有效长度Leff决定 或更确切地理由渡越时间确定 式中 工作频率Hz 畴运动速度cm sLeff 有源区有效长度工作于渡越时间模式时 效率不超过10 通常为4 6 输出功率一般小于1000mw 14 甘氏二极管工作模式 限制空间电荷模式 Limitedspace charge LSA mode 工作于限制空间电荷模式 除与器件本身特性有关外还与外电路 谐振槽路 特性有关 槽路中电磁振荡由甘氏管的脉冲电流激励的 N0L必须是1012 cm2或更高 N0 F必须在2 105到2 104s cm3之间 a给出工作于LSA模的甘氏振荡器简化电路图 b为其波形 c为输出电压 起振条件是甘氏管负电导必须大于槽路电导 c 图2 10负阻模的振荡电路与波形 15 甘氏振荡器实际电路举例 下图给出同轴腔作振荡回路的甘氏振荡器电路 调谐盘或调谐螺钉用来调整槽路谐振频率 高频能量通过耦合环耦合经同轴线输出 图2 11甘氏二极管振荡器 16 PIN二极管 结构 PIN二极管 简称PIN管 是微波控制电路中最重要的一种微波控制器件 PIN管与一般的PN二极管 见图a 不同 在P跟N型半导体材料之间多了一个绝缘区 叫做本征区 严格地说本征区并非完全 绝缘 还有很少的载流子以支持很小的电流 其结构见图b 图c给出几种低功率电平下的封装形式 图2 12A PN二极管 B PIN二极管 C PIN二极管封装 17 PIN二极管 工作特点 不加偏压时 PIN管电阻是很大的 PIN管P N 都是重掺杂的 见图a 杂质分布见图b 本征层的电阻很高 空间电荷的分布 x 及电场的分布E x 见图c d PIN管中P N 层的导电率很高 空间电荷层即耗尽层主要建立在I层中 在I层中除了耗尽层之外的其余厚度为非耗尽层 与非耗尽层相比 耗尽层具有更高的电阻率 因此在不加偏压时PIN管的电阻是很大的 图2 13PIN管中杂质空间电荷及电场分布 18 PIN二极管 工作特点 直流偏压下的PIN管特性在负偏压之下 P 层接负 N 层接正 PIN管中的电场增强 势垒电压加高 耗尽层变厚 如图 e f 因而I层电阻进一步增大 反向电流极小 随着负偏压的增大 耗尽层最后将扩展到整个I层 以后便不再显著变厚 负偏压达到某值时出现雪崩击穿 反向电流急剧增大 此时的负偏压值称为反向击穿电压VB 在正偏压之下 PIN管势垒降低以至消失 P N 层中的载流子源源不断地向I层扩散 形成正向通流 空穴 电子从注入I层到复合消失 平均有一短暂时间 称为载流子平均寿命 而在复合之前则表现为载流子的 动态储存 与其他PN结二极管相比 PIN管中的载流子寿命 比较长 如20 100ns 因此 在管子正向导通期间I层中拥有大量的载流子 I层处于低阻态 正偏压愈大 正向电流愈大 I层乃至整个PIN管电阻愈小 图2 13PIN管中杂质空间电荷及电场分布 19 PIN二极管 工作特点 直流偏压和微波信号等同作用下的PIN管PIN管在正 负偏压下的电阻变化与一般半导体PN管没有多大区别 也即对直流 低频有单向导电性 显然 在正偏压下 PIN管对微波小信号始终导通 但是对于微波大信号 在信号负半周内由于正向偏置电流为I层储存了大量的载流子 而微波频率又极高 在极其短的信号负半周内 I层中的载流子能够立即构成幅度足够的反向电流 所以管子仍然 导通 如图所示 图2 14正偏压及微波信号共同作用下的PIN管 20 PIN二极管 工作特点 直流偏压和微波信号等同作用下的PIN管设I层中的载流子平均寿命为 正向偏流为IF 则I层中载流子的储存量为如 1 s IF 10mA 微波信号频率f 2GHz 信号周期为T 微波电流振幅Im 1A 则在信号负半周之内 从管子的I层中吸出的载流子电量为 2 4 负半周内从I层中吸出的载流子电量仅占I层中储存的电荷总量中的很小一部分 I层中仍然有大量的载流子 仍呈现低阻态 因此很小的正向偏流IF完全可以保证在微波大信号的整个周期内管子是导通的 负偏压下I层中电荷储存近于零 在微波信号正半周期内注入I层的载流子总量十分有限 远不足以改变I层的高阻态 故管子处于截止状态 PIN管对微波信号的通断仅取决于幅度很小的偏压的极性 与微波信号的幅度无关 这是PIN管的一个重要特点 这就是PIN用作微波电路开关的依据 其优点是改变PIN管偏置电压的极性即可控制微波电路的开关功能 图2 15I层中载流子的动态储存 21 PIN管的等效电路 PIN管的等效电路如图 a 其中管芯参量为I层电阻Rj I层电容Cj 串联电阻RS 管子封装参量为引线电感LS 管壳电容CP 在零偏 负偏压之下 I层电阻Rj极大 因此等效电路 图 a 可简化为图 b 在负偏压变化的较大范围内管子中势垒区厚度基本上等于I层厚度 因此结电容Cj基本不变 在微波低端 频率不十分高 等效电路又可进一步简化为图 c d 正偏压之下 I层电阻Rj很小 并联的电容Cj可忽略 因此等效电路可简化为图 e 其中正向电阻Rf Rj Rs 同样 在微波低端 等效电路可进一步简化为图 f g b c d 零偏压 负偏压之下 e f g 正偏压之下图2 16PIN管的等效电路 22 PIN管作微波开关电路应用举例 图2 17是用于移动通信的智能天线 工作于2 4GHz 它是制作在印刷电路板上的相互垂直的两个半波偶极子天线 A和B 偶极子天线辐射场与天线轴垂直方向辐射最强 沿轴方向辐射最小 天线的 智能 体现在根据需要切换天线工作摸式 天线A工作或天线B工作 天线的切换就是用PIN管实现的 图2 17用PIN管控制的智能天线 A B 23 微波晶体管 微波晶体管主要有双极晶体管 BipolarTransistors 和场效应晶体管 Field effectTransistors 双极晶体管中 电子和空穴都参与导电因此在双极晶体管中 P型 N型材料都不能少 硅NPN双极晶体管最高频率可到4GHz 场效应器件 利用多数载流子工作 可以工作到更高的频率 是微波晶体管的主流 24 双极晶体管 现代双极晶体管都用NPN结构形式 有平面结构与外延结构之分 见图2 18a b 异质结双极晶体管 HBT 最高工作频率已达到67GHz 其基极线宽为1 2 m 器件很小时 电流增益达到10 20 当基极线宽较大时 电流增益可到55 当集电极电流很小 基极线宽0 15 m 发射极面积40 m 100 m时 电流增益可超过3800 集电极电流较大时 电流增益大于1500也已实现 而非HBT器件电流增益不超过100 25 Johnsonrelationship 微波双极晶体管服从一组方程 叫做Johnsonrelationship 它们是 电压频率极限 Voltage frequencylimit 式中Vmax 最大容许电压 EmaxLmin Vs 材料饱和速度Eamx 最大电场L v 平均电荷穿过时间 电荷以平均速度穿过材料长度的时间 电流 频率极限 Current frequencylimit Imax 器件最大电流Xco 输出电容的电抗 即1 2 l v C0 功率频率极限 Power frequencylimit Pmax 最大功率 26 Johnsonrelationship 功率增益 频率极限 Powergain frequencylimit Gmax 最大功率增益K 波尔兹曼常数T K氏温度e 电子电荷 1 6 10 19C 最大增益 Maximumgain F 工作频率Ft 截止频率Z0 输出阻抗实部Zin 输入阻抗实部 阻抗比 impedanceratio Cin 输入电容C0 输出电容Tb 电荷渡越时间 27 截止频率Ft 截止频率Ft定义为增益降到1的频率 影响截止频率的因素很多 如载流子饱和速度 对基极一发射极电容充电时间 Teb 对基极一集电极充电时间 Tcb 基区渡越时间 Tbt 基极 集电极耗尽层渡越时间 Tbc 这些时间加起来得到总的渡越时间T 截止频率Ft与T的关系为 2 16a 或 2 16b 式中Ft的单位是Hz 时间单位是秒 s 28 双极晶体管噪声 双极晶体管噪声由几部分构成 一是热噪声 二是发射极一基极散弹噪声 三是基极一集电极散弹噪声 热噪声是温度和基区电阻的函数 P N结产生的散弹噪声跟结电流有关 图2 19给出噪声系数与集电极电流关系 图2 19噪声系数跟集电极电流关系 29 场效应晶体管 场效应晶体管基于改变沟道中电场从而改变沟导的电导率而工作的 分为结型场效应晶体管 junctionfield effecttransistorsJEFT 和金属一氧化物一半导体场效应晶体管 metal Oxide semiconductorFET 砷化镓场效应晶体管 GaAsFET 截止频率比硅双极晶体管截止频率 3 4GHz 要高 噪声系数小于1dB 也比硅双极晶体管小 GaAsFET可用作低噪声放大器C类放大器 振荡器 也可用于微波单片集成电路 超高速A D变换器 高速逻辑器件 除了砷化镓材料外 AlGaAs InGaAsP也得到应用 图2 20 a JFET b MOSFET 30 金属半导体场效应晶体管 图2 21MESFET晶体管金属半导体场效应晶体管 metalsemiconductorfield effecttransistorMESFET 是微波场效应器件中用得最多的器件 也叫做肖特基势垒晶体管 SBT 肖特基势垒场效应晶体管 SBFET 用外延法生长的有源层是掺杂硫或锡离子的N型GaAs 栅电极用蒸发铝得到 源和漏是金 锗合金 见图2 21 31 高电子迁移率晶体管HEMT 微波JFET另一形式是高电子迁移率晶体管HEMT high electronmobilitytransistorHEMT HEMT也叫做TEGFET two dimensionalelectronGaAsFET 或异质结FET heterojunctionFET HFET 见图2 22 这类器件在60GHz增益可达到11dB 90GHz时增益还可达到6 2dB 典型的噪声系数40GHz时为1 8dB 62GHz时2 6dB 发射极每mm功率密度 10GHz时到2W 连续波 为了减少渡越时间提高工作频率HEMT必须做得很薄 要用离子注入 分子束外延 MOCVD工艺制作 在10GHz时 功率密度已达到2W mm 输出功率电平达到4 6W 图2 22 A HEMTtransistor B HFETtransistor 32 等效电路与工作特性曲线 等效电路图2 23表示微波场效应晶体管的结构与等效电路关系 a 是结构示意图 b 是其等效电路 gm表示跨导 cgs cgd cds分别表示栅源 栅漏 以及衬垫电容 Rg Rd Rs Rj和Rds分别表示栅 漏 源 本征沟道和输出电阻 Ids表示漏源电流 Lg Ld和Ls分别表示栅 漏 源电极电感 图2 23微波FET结构与等效电路关系 33 等效电路与工作特性曲线 工作特性曲线FET的工作基础是用加在栅源之间的电压 Vgs 改变栅极肖特基势垒的宽度 从而改变漏源电流 Ids 和电压 Vds 由此可以得到两组特性曲线 一组以Vds为参变量的Ids Vgs曲线 示于图2 24 a 又一组以Vgs为参变量的Ids Vds特性曲线示于图2 24 b 由两组曲线我们可以看到 当Vgs有很小变化时 Ids有较大变化 这就构成了信号的放大 实践证明 对任何低噪声放大管Vgs在0 5 3伏范围 Vds在2到5伏范围 功率FET Vgs在 1到 5伏范围 Vds在5 10伏范围 图2 24Lds Vgs Ids Vds特性曲线 34 FET主要参量 1 截止频率