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文档简介

硅片扩散前的表面准备无锡尚德太阳能电力有限公司 SUNTECHPOWERCO LTD 邵爱军2003年7月 目录 概述 硅片表面处理的目的 概述 硅片表面的机械损伤层 一 硅锭的铸造过程 单晶硅 多晶硅 概述 硅片表面的机械损伤层 二 多线切割 概述 硅片表面的机械损伤层 三 机械损伤层 概述 金属杂质对电池性能的影响 概述 表面织构化 单晶硅片表面的金字塔状绒面 单晶硅片表面反射率 化学腐蚀液的配制多晶硅片的清洗腐蚀 九槽清洗机 注 纯水是电阻率为18M cm的去离子水 化学腐蚀液的配制单晶硅片的清洗和制绒 九槽清洗机 超声波清洗单晶硅片的表面油污比较严重 需要在60 清洗剂的水溶液中 利用超声波震荡清洗15分钟 化学腐蚀的原理 热的NaOH溶液去除硅片表面机械损伤层 HF去除硅片表面氧化层 HCl去除硅片表面金属杂质 盐酸具有酸和络合剂的双重作用 氯离子能与Pt2 Au3 Ag Cu Cd2 Hg2 等金属离子形成可溶于水的络合物 工艺过程与工艺条件 各槽设定时间 分钟 注 单晶硅制绒过程中 3号槽须用盖子密封 减少乙醇的挥发 清洗液浓度的检测与调整滴定管的使用以及滴定技术 滴定管是滴定时准确测量溶液体积的容器 分酸式和碱式两种 酸式滴定管的下部带有磨口玻璃活塞 用于装酸性 氧化性 稀盐类溶液 碱式滴定管的下端用橡皮管连接一个带尖嘴的小玻璃管 橡皮管内有一玻璃球 以控制溶液的流出速度 清洗液浓度的检测与调整 一 氢氧化钠 NaOH 浓度的检测 清洗液浓度的检测与调整 二 盐酸 HCl 浓度的检测 NaOH HCl NaCl H2O40 36 5MNaOH VNaOH MHCl VHCl 其中MNaOH已知为80克 升 VHCl 10毫升 VNaOH通过测量可知 则未知的盐酸溶液浓度MHCl可以由计算得到 MHCl 7 3 VNaOH 清洗液浓度的检测与调整
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