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HIT基础电子技术电子教案 PN结2006 06 PN结的形成 N P 图01 01 08PN结的形成 HIT基础电子技术电子教案 PN结2006 06 N P 图01 01 08PN结的形成 HIT基础电子技术电子教案 PN结2006 06 N P 图01 01 08PN结的形成 HIT基础电子技术电子教案 PN结2006 06 以上在N型半导体和P型半导体结合面上形成的物理过程过程概括如下 因浓度差 多子的扩散运动 由杂质离子形成空间电荷区 空间电荷区形成内电场 内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散 扩散电流 漂移电流 HIT基础电子技术电子教案 PN结2006 06 PN加正向电压时的导电情况 IF 图01 01 11PN结加正向电压 R E HIT基础电子技术电子教案 PN结2006 06 PN结加反向电压时的导电情况 图01 01 12PN结加反向电压 R E IS HIT基础电子技术电子教案 PN结2006 06 图01 01 13势垒电容示意图 势垒电容CB 反向区 HIT基础电子技术电子教案 PN结2006 06 扩散电容CD 图01 01 14扩散电容示意图
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