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课程名称：射频集成电路设计方法学专题 3%9E 先修课程： 微波电路、微波技术 :d#NnR0L 适用学科范围：电磁场与微波技术 pEg R3PhKdQ 课程目的和基本要求： hJ2bgQo 射频，通常指包括高频、甚高频和超高频，其频率在3 MHz-1000 MHz ，是无线通信领域最为活跃的频段。在最近十几年里，无线通信技术得到了飞跃式的发展，射频器件快速的代替了使用分立半导体器件的混合电路，这些技术都是对设计者的挑战。现在使用的数字、模拟手机电话，个人通信服务和一些新技术都离不开RFIC的应用和设计，例如，无线局域网、汽车的无钥进入、无线收费、全球自动定位（GPS）自动导航系统、自动跟踪系统、远端控制。形成了对收发信机射频集成电路（RFIC）的巨大需求。随着特征尺寸的减小，深亚微米工艺MOS管的特征频率已经达到50GHz以上，使得利用CMOS工艺实现GHz频段的高频模拟电路成为可能，并在全世界形成了一个研究热点。 T RFIC 的特性 0 jP00 RFIC 的仿真方法 z6P3x| RFIC设计中的问题：噪声、线性化和滤波 ThAyK; 介绍 ckN(W,xp 噪声 HwWMqA 射频电路中的线性化和失真 mnQjX ? 动态范围 $=jPk+ 滤波问题 $qtU ;eEGY UoCT7X 主要的技术回顾 ! jX+ox 介绍 ay:P.5) 双极晶体管描述 Tc3ihLvG 小信号模式 b*FU*)RwR 晶体管模式中的噪声源 a(x.uG, 双极晶体管的设计 1(:bBl CMOS 晶体管 E2qB : 阻抗匹配 t7*G91Hoq& 介绍 c69U1 阻抗匹配 ngY 串联和并联电感和电容之间的转换 aR=5en: 互感的概念 8g# c%eZ 阻抗变换器 qXP1Q3 宽带阻抗变换网络 ,%kecN LC振荡器的Q值 uGuc._= S，Y，Z 参数 dt-Qu,8- YZ+c&V ZzwsZ?8 在IC技术中使用和设计无源电路器件 R92*w 介绍 Xmf 薄膜电阻和肌肤效应 3JlC/v#0 寄生电容 EonqRe$ 寄生电感 la4L4o 金属线的电流分布 Qag|nLoT 金属-绝缘-金属电容和聚乙烯电容 m+D2hK* 片装螺旋电感和转换器 q=P fXp 片装传输线 S_(&UeTC 片装无源器件高频测量和嵌入技术 ?Ia4H 封装 3 gxf$)? 低噪声放大器的设计 9A-$a4R 介绍基本的放大器 .Lrj8 反馈放大器 68v xI|EZ 放大器的噪声 C#A) 放大器的线性化 Sphai 差分对和其它的差分放大器 bcqN DC偏置网络 OHZ767v 宽带低噪声放大器设计实例 l)#Ri Vj3yK WEno+Z=1 混频器 uEBQoP2 介绍 GqV%6 混频和非线性 #N; $ 基本混频器的操作 MRC%!. 混频器噪声 2q+la|1Cr 线性化 t9ER;.e 提供隔离度 scv|d 高频滤波电路 -W9gH 介绍 $Yb#$/ 二阶滤波器 t yDLC 集成射频滤波器 vpi l$Uq 高Q值lvbq _;#9!& 负阻电路的线性化 sSNCosb Q值得自动调节 #.o0m guU 高阶滤波器 pGshDDn 主要的技术回顾 :4U0I:J# 介绍 3hLqAj 功率容量 qZ&a76t 计算效率 2Sjt=LOc= 匹配的考虑 =E!xS;N A，B，C类放大器 i0iez9B D类放大器 $M39 #a E类放大器 _=?2 3 RF集成电路放大器分类概述 EDtCNqBS2 l Rm0t_ ifvUl 课程主要教材： 5N1Ns Radio Frequency Integrated Circuit Design, John Rogers Calvin Plett，2003 ARTECH HOUSE, INC.2003 BKX 9 SL Z/R!y?lG 参考资料： SHwRX? B| 1 RF Microelectronics by Behzad Razavi, Prentice Hall guE2THnz3D 2 The Design of CMOS Radio Frequency Integrated Circuit by Thomas .H. Lee ,Cambridge University Press 3p&jLFphL 3“Practical RF System Design,” by William F. Egan, Wiley Inter-science. .&PzkqWZ 4RF and Microwave Circuit Design fo