二极管及其基本电路(精).ppt

3二极管及其基本电路 FundamentalofElectronicTechnology CTGU 2 3 1半导体的基本知识 3 3二极管 3 4二极管基本电路及其分析方法 3 5特殊二极管 3 2PN结的形成及特性 内容 3 1半导体的基本知识 3 1 1半导体材料 3 1 2半导体的共价键结构 3 1 3本征半导体 3 1 4杂质半导体 4 3 1 1半导体材料 根据物体导电能力 电阻率 的不同 来划分导体 绝缘体和半导体 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等 3 1 2半导体的共价键结构 硅晶体的空间排列 3 1 2半导体的共价键结构 硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构 3 1 3本征半导体 本征半导体 化学成分纯净的半导体 它在物理结构上呈单晶体形态 空穴 共价键中的空位 电子空穴对 由热激发而产生的自由电子和空穴对 空穴的移动 空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的 电子空穴对 空穴的移动 空穴的移动 3 1 4杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质 可使半导体的导电性发生显著变化 掺入的杂质主要是三价或五价元素 掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体 N型半导体 掺入五价杂质元素 如磷 的半导体 P型半导体 掺入三价杂质元素 如硼 的半导体 1 N型半导体 因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键 而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子 在N型半导体中自由电子是多数载流子 它主要由杂质原子提供 空穴是少数载流子 由热激发形成 提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子 因此五价杂质原子也称为施主杂质 2 P型半导体 因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时 缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴 在P型半导体中空穴是多数载流子 它主要由掺杂形成 自由电子是少数载流子 由热激发形成 空穴很容易俘获电子 使杂质原子成为负离子 三价杂质因而也称为受主杂质 掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响 一些典型的数据如下 以上三个浓度基本上依次相差106 cm3 3 杂质对半导体导电性的影响 本征半导体 杂质半导体 本节中的有关概念 自由电子 空穴 N型半导体 P型半导体 多数载流子 少数载流子 施主杂质 受主杂质 3 2PN结的形成及特性 3 2 1PN结的形成 3 2 2PN结的单向导电性 3 2 3PN结的反向击穿 3 2 4PN结的电容效应 3 2 1PN结的形成 图3 2 1PN结的形成 在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质 分别形成N型半导体和P型半导体 此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程 因浓度差 空间电荷区形成内电场 内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散 最后 多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡 多子的扩散运动 由杂质离子形成空间电荷区 3 2 2PN结的单向导电性 当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位 称为加正向电压 简称正偏 反之称为加反向电压 简称反偏 1 PN结加正向电压时 PN结加正向电压时的导电情况 低电阻大的正向扩散电流 2 2 2PN结的单向导电性 当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位 称为加正向电压 简称正偏 反之称为加反向电压 简称反偏 2 PN结加反向电压时 PN结加反向电压时的导电情况 高电阻很小的反向漂移电流 PN结加正向电压时 呈现低电阻 具有较大的正向扩散电流 PN结加反向电压时 呈现高电阻 具有很小的反向漂移电流 由此可以得出结论 PN结具有单向导电性 3 2 2PN结的单向导电性 3 PN结V I特性表达式 其中 IS 反向饱和电流 VT 温度的电压当量 且在常温下 T 300K 3 2 3PN结的反向击穿 当PN结的反向电压增加到一定数值时 反向电流突然快速增加 此现象称为PN结的反向击穿 热击穿 不可逆 3 2 4PN结的电容效应 1 势垒电容CB 势垒电容示意图 3 2 4PN结的电容效应 2 扩散电容CD 扩散电容示意图 3 3二极管 3 3 1半导体二极管的结构 3 3 2二极管的伏安特性 3 3 3二极管的参数 实物图片 3 3 1半导体二极管的结构 在PN结上加上引线和封装 就成为一个二极管 二极管按结构分有点接触型 面接触型和平面型三大类 1 点接触型二极管 PN结面积小 结电容小 用于检波和变频等高频电路 3 平面型二极管 往往用于集成电路制造艺中 PN结面积可大可小 用于高频整流和开关电路中 2 面接触型二极管 PN结面积大 用于工频大电流整流电路 b 面接触型 4 二极管的代表符号 3 3 2二极管的伏安特性 二极管的伏安特性曲线可用下式表示 正向特性 反向特性 反向击穿特性 3 3 3二极管的参数 3 3 4温度特性 T VD 2 5mV Si150 200 Ge75 100 型号命名见P44附2AK181N4148电极数材料类型序号作业 3 2 1 半导体二极管图片 3 4二极管基本电路及其分析方法 3 4 1二极管V I特性的建模 3 4 2应用举例 3 4二极管基本电路及其分析方法 3 4 1二极管V I特性的建模 3 4 2应用举例 3 4 1二极管V I特性的建模 1 理想模型 3 折线模型 2 恒压降模型 4 小信号模型 二极管工作在正向特性的某一小范围内时 其正向特性可以等效成一个微变电阻 即 根据 得Q点处的微变电导 则 常温下 T 300K 3 4 1二极管V I特性的建模 3 4 2应用举例 1 二极管的静态工作情况分析 理想模型 恒压模型 硅二极管典型值 折线模型 硅二极管典型值 设 例2 4 2提示 3 4 2应用举例 2 限幅电路 3 5特殊体二极管 3 5 1稳压二极管 3 5 2变容二极管 3 5 3光电子器件 1 光电二极管 2 发光二极管 3 激光二极管 3 5 1稳压二极管 1 符号及稳压特性 a 符号 b 伏安特性 1 稳定电压VZ 2 动态电阻rZ 在规定的稳压管反向工作电流IZ下 所对应的反向工作电压 rZ VZ IZ 3 最大耗散功率PZM 4 最大稳定工作电流IZmax和最小稳定工作电流IZmin 5 稳定电压温度系数 VZ 2 稳压二极管主要参数 3 5 1稳压二极管 3 5 1稳压二极管 3 稳压电路 正常稳压时VO VZ 稳压条件是什么 不加R可以吗 上述电路VI为正弦波 且幅值大于VZ VO的波形是怎样的 稳压二极管的应用举例 稳压管的技术参数 负载电阻 要求当输入电压由正常值发生 20 波动时 负载电压基本不变 解 令输入电压达到上限时 流过稳压管的电流为Izmax 求 电阻R和输入电压ui的正常值 方程1 令输入