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场效应管的偏置及其电路的静态分析 1 自给偏压 IDQ USQ IDQRS UGSQ IDQRS 1 电路 2 自给偏压原理 3 静态分析 输入回路方程 当管子工作于放大区时 两式联立可求得IDQ 由此可得 例 在图示电路中 VDD 18V RD 3k RS 1k RG 1M FET的IDSS 7mA UGS off 8V 试求UGSQ IDQ和UDSQ 将有关数据代入上式 得 UGSQ 2 9V IDQ 2 9mA 联立求解 得 2 分压式偏置 图中 1 电路 2 静态分析 故 分压式偏置 增强型 耗尽型 两种偏置电路适用的FET 自给偏压 耗尽型
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