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专题八物质结构与性质 选考 第40讲专题提升 0 提升2晶体类型的判断方法1 依据构成晶体的微粒和微粒间的作用判断 1 离子晶体的构成微粒是阴 阳离子 微粒间的作用是离子键 2 原子晶体的构成微粒是原子 微粒间的作用是共价键 3 分子晶体的构成微粒是分子 微粒间的作用为分子间作用力 4 金属晶体的构成微粒是金属阳离子和自由电子 微粒间的作用是金属键 2 依据物质的分类判断 1 金属氧化物 如K2O等 强碱 NaOH KOH等 和绝大多数的盐类是离子晶体 2 大多数非金属单质 除金刚石 晶体硅等 非金属氢化物 非金属氧化物 除SiO2外 几乎所有的酸 绝大多数有机物 除有机盐外 是分子晶体 3 常见的原子晶体单质有金刚石 晶体硅 晶体硼等 常见的原子晶体化合物有碳化硅 二氧化硅等 4 金属单质是金属晶体 3 依据晶体的熔点判断 1 离子晶体的熔点较高 常在数百至一千摄氏度以上 2 原子晶体熔点高 常在一千摄氏度至几千摄氏度 3 分子晶体熔点低 常在数百摄氏度以下至很低温度 4 金属晶体多数熔点高 但也有相当低的 4 依据导电性判断 1 离子晶体溶于水形成的溶液及熔融状态时能导电 2 原子晶体一般为非导体 3 分子晶体为非导体 而分子晶体中的电解质 主要是酸和强极性非金属氢化物 溶于水 使分子内的化学键断裂形成自由移动的离子 也能导电 4 金属晶体是电的良导体 5 依据硬度和机械性能判断离子晶体硬度较大且脆 原子晶体硬度大 分子晶体硬度小且较脆 金属晶体多数硬度大 但也有较低的 且具有延展性 提升3物质的熔 沸点高低的比较方法1 不同类型晶体的熔 沸点高低 存在一般规律 原子晶体 离子晶体 分子晶体 金属晶体的熔 沸点差别很大 如钨 铂等熔 沸点很高 汞 铯等熔 沸点很低 2 原子晶体 由共价键形成的原子晶体中 原子半径小的键长短 键能大 晶体的熔 沸点高 如熔点 金刚石 碳化硅 硅 3 离子晶体 一般来说 阴 阳离子所带电荷数越多 离子半径越小 则离子间的作用力就越强 相应的晶格能就越大 其晶体的熔 沸点就越高 4 分子晶体 1 分子间作用力越大 物质的熔 沸点越高 具有氢键的分子晶体熔 沸点反常的高 2 组成和结构相似的分子晶体 相对分子质量越大 熔 沸点越高 3 组成和结构不相似的物质 相对分子质量接近 分子的极性越大 其熔 沸点越高 4 互为同分异构体的物质 支链越多 熔 沸点越低 5 金属晶体 金属离子半径越小 离子所带电荷数越多 其金属键越强 金属熔 沸点就越高 典题演示 典型例题1 2016 新课标 卷 锗 Ge 是典型的半导体元素 在电子 材料等领域应用广泛 回答下列问题 1 基态Ge原子的核外电子排布式为 Ar 有 个未成对电子 2 Ge与C是同族元素 C原子之间可以形成双键 三键 但Ge原子之间难以形成双键或三键 从原子结构角度分析 原因是 2 3 比较下列锗卤化物的熔点和沸点 分析其变化规律及原因 4 光催化还原CO2制备CH4反应中 带状纳米Zn2GeO4是该反应的良好催化剂 Zn Ge O电负性由大到小的顺序是 5 Ge单晶具有金刚石型结构 其中Ge原子的杂化方式为 微粒之间存在的作用力是 共价键 或非极性键 晶胞参数描述晶胞的大小和形状 已知Ge单晶的晶胞参数a 565 76pm 其密度为 g cm 3 列出计算式即可 解析 1 Ge的原子序数为32 基态Ge原子的核外电子排布式为 Ar 3d104s24p2 4p能级上有2个未成对电子 2 C原子的半径较小 C原子之间通过 肩并肩 方式形成 键 由于锗原子半径大 难以通过 肩并肩 方式形成 键 3 对于组成和结构相似的分子晶体 相对分子质量越大 分子间作用力越大 熔 沸点越高 熔 沸点按GeCl4 GeBr4 GeI4顺序依次升高 4 元素的非金属性越强 其吸引电子的能力越强 元素的电负性越大 则Zn Ge O电负性由大到小的顺序是O Ge Zn 5 Ge单晶具有金刚石型结构 每个Ge原子与4个Ge原子相连 则Ge的杂化方式为sp3 由于是同种元素之间通过共用电子对形成的化学键 Ge原子之间存在的作用力是共价键或非极性键 典型例题2 2016 新课标 卷 东晋 华阳国志 南中志 卷四中已有关于白铜的记载 云南镍白铜 铜镍合金 闻名中外 曾主要用于造币 亦可用于制作仿银饰品 回答下列问题 1 镍元素基态原子的电子排布式为 3d能级上的未成对电子数为 2 硫酸镍溶于氨水形成 Ni NH3 6 SO4蓝色溶液 Ni NH3 6 SO4中阴离子的立体构型是 在 Ni NH3 6 2 中Ni2 与NH3之间形成的化学键称为 提供孤电子对的成键原子是 2 正四面体形 配位键 N 氨的沸点 填 高于 或 低于 膦 PH3 原因是 氨是 填 极性 或 非极性 分子 中心原子的轨道杂化类型为 3 单质铜及镍都是由 键形成的晶体 元素铜与镍的第二电离能分别为ICu 1958kJ mol 1 INi 1753kJ mol 1 ICu INi的原因是 高于 极性 金属 4 某镍白铜合金的立方晶胞结构如右图所示 晶胞中铜原子与镍原子的数量比为 若合金的密度为dg cm 3 晶胞参数a nm 3 1 3 铜和镍是由金属键构成的金属晶体 Cu的外围电子排布式为3d104s1 当它失去一个电子后达到3d10全充满稳定结构 因而再失去一个电子所需能量多 即第二电离能较大 而Ni的外围电子排布式为3d84s2 当它失去一个电子后形成3d84s1 因而再失去一个电子所需能量相对较少 即第二电离能相对较小 典型例题3 2016 新课标 卷 砷化镓 GaAs 是优良的半导体材料 可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等 回答下列问题 1 写出基态As原子的核外电子排布式 2 根据元素周期律 原子半径Ga As 第一电离能Ga As 填 大于 或 小于 3 AsCl3分子的立体构型为 其中As的杂化轨道类型为 大于 小于 三角锥形 4 GaF3的熔点高于1000 GaCl3的熔点为77 9 其原因是 5 GaAs的熔点为1238 密度为 g cm 3 其晶胞结构如

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