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文档简介
习题 一 填空题 1 半导体的导电能力与 温度 光照强度 掺杂浓度 和材料性质有关 2 利用 PN 结击穿时的特性可制成 稳压 二极管 利用发光材料可制成 发光 二级管 利用 PN 结的光敏性可制成 光敏 光电 二级管 3 在本征半导体中加入 5 价 元素可形成 N 型半导体 加入 3 价 元素可形成 P 型半 导 体 N 型半导体中的多子是 自由电子 P 型半导体中的多子是 空穴 4 PN 结外加正向电压时 导通 外加反向电压时 截止 这种特性称为 PN 结的 单向导 电性 5 通常情况下硅材料二极管的正向导通电压为 0 7v 锗材料二极管的正向导通电压为 0 2v 6 理想二极管正向电阻为 0 反向电阻为 这两种状态相当于一个 开关 7 晶体管的三个工作区分别为 放大区 截止区 和 饱和区 8 稳压二极管是利用 PN 结的 反向击穿特性 特性制作的 9 三极管从结构上看可以分成 PNP 和 NPN 两种类型 10 晶体三极管工作时有 自由电子 和 空穴 两种载流子参与导电 因此三极管又 称为 双极型 晶体管 11 设晶体管的压降 UCE 不变 基极电流为 20 A 时 集电极电流等于 2mA 则 100 12 场效应管可分为绝缘栅效应管和 结型 两大类 目前广泛应用的绝缘栅效应管 是 MOS 管 按其工作方式分可分为 耗尽型 和 增强型 两大类 每一类 中又分为 N 沟道和 P 沟道两种 13 查阅电子器件手册 了解下列常用三极管的极限参数 并记录填写题表 2 1 在下表中 题表 2 1 二 选择题 1 杂质半导体中 多数载流子的浓度主要取决于 A A 杂质浓度 B 温度 C 输入 D 电压 2 理想二极管加正向电压时可视为 B 加反向电压时可视为 A A 开路 B 短路 C 不能确定 3 稳压管的稳压区是二极管工作在 D 状态 A 正向导通 B 反向截止 C 反向导通 D 反向击穿 4 当温度升高时 二极管的反向饱和电流将 A A 增大 B 不变 C 减小 5 工作在放大区的某晶体管 如果当 IB从 12 A 增大到 22 A 时 IC从 1mA 变为 2mA 那么它 的 约为 C A 83 B 91 C 100 6 当场效应管的漏极直流电流 ID从 mA 变为 mA 时 它的低频跨导 gm将 C A 增大 B 不变 C 减小 7 uGS 时 能够工作在恒流区的场效应管有 A 和 C A 结型管 B 增强型 MOS 管 C 耗尽型 MOS 管 8 场效应管属于 A 控制型器件 晶体三极管则属于 B 控制器件 A 电压 B 电流 C 电感 D 电容 9 测得某放大电路中三极管各级电位分别为 3v 2 3v 12v 则三极管三个电极分别 是 C 该管是 E A e b c B b c e C b e c D pnp E npn 10 如题图 2 1 所示 二极管均为理想元件 则 VD1 VD2 VD3 的工作状态为 A A VD1 导通 VD2 VD3 截止 B VD2 导通 VD1 VD3 截止 C VD3 导通 VD1 VD2 截止 11 在题图 2 2 示电路中稳压管 VDZ1 的稳定电压为 9V VDZ2 的 稳定电压为 15V 输出电压 UO等于 B A 15V B 9V C 24V 题图 2 1 题图 2 2 三 分析题 1 二极管电路如题图 2 3 所示 已知直流电源电压为 6V 二极管直流管压降为 0 7V 1 试求流过二极管的直流电流 2 二极管的等效直流电阻为多少 D R 6V D R 100 题图 2 3 解 1 流过二极管的直流电流也就是题图 2 3 的回路电流 即 53mA D IA 100 7 06 2 13 2 D R A V 3 1053 7 0 2 二极管电路如题图 2 4 所示 1 设二极管为理想二极管 试问流过负载的电流为多少 L R 2 设二极管可看作是恒压降二极管 并设二极管的导通电压V 试问流过负载7 0 onD U 的电流是多少 L R 3 将电源电压反接时 流过负载电阻的电流是多少 D 题图 2 4 10V E RL 100 解 1 mA100 L R E I 2 mA94 L on D R UE I 3 0I 或 S II 3 二极管限幅电路如题图 1 7 a b 所示 将二极管等效为恒压降模型 且 UD on 0 7V 若 ui 5sin t V 试画出 u0的波形 题图 2 5 解 1 在图 a 中 当 ui 一2 7V 时 V 管截止 u0 一2V 当 ui 一2 7V 时 V 管导通 u0 ui 当 ui 5sin t V 时 对应的 u0波形如图答图 2 5 a 所示 2 在图 b 中 当 ui 1 3V 时 V 管截止 u0 ui 当 ui 1 3V 时 V 管导通 u0 2V 其相 应波形如答图 2 5 b 所示 答图 2 5 4 电路如题图 2 5 所示 已知 稳压管的稳定电压 VE20 4001R 8002RVUZ10 稳定电流 最大稳定电流 求流过稳压管的电流 如果断开 将mAIZ5min mAIZ20max ZI2R 会出现什么问题 的最大值为多少 2R 题图 2 6 解 1 1 20 10 1 25 2 2 12 5 1 2 12 5 2 若断开 则 25mA 20mA 稳压管将因电流过大而被烧坏 2 1 3 2K 2 2 1 10 25 20 5 写出题图 2 7 所示各路的输出电压值 设二极管导通电压 UD 0 7V 题图 2 7 解 U01 1 3V U02 0 U03 1 3V U04 2V U05 1 3V U06 2V 6 分别判断如题图 2 7 所示电路中的晶体管是否有可能工作在放大状态 题图2 7 解 a 可能 b 可能 c 不可能 d 不可能 e 可能 7 已知晶体管工作在线性放大区 并测得个电极对地电位如题图 2 8 所示 试画出各晶体管的电 路符号 确定每管的 b e c 极 并说明是锗管还是硅管 0 7V 8V 0V a 0 7V 8V 0V b 4V 1V 3 7V c 4V 4 3V 9V d 题图 2 8 解 8V 0V 0 7V硅 NPN 8V 0V 0 7V硅 PNP 1V 4V 3 7V锗 PNP 9V 4 3V锗 NPN 4V 题图 a 题图 b 题图 c 题图 d 8 已测得晶体管电极管各电极对地电位如题图 2 9 所示 试判别各晶体管的工作状态 放大 饱 和 截止或损坏 5V 0 3V 0V 3AX81 a 12V 3V 0V d 3DG8 6 6 V 6 3V 7V 3CG21 c 8V 2 5V 3V b 3BX1 题图 2 9 解 题图 a 3AX 为 PNP 锗管 V 正偏 V 反偏 放大状态30 UBE 74 UCE 题图 b e 结反偏 c 结反偏 截止状态 题图 c e 结正偏 c 结正偏 饱和状态 题图 d e 结开路 晶体管损坏 9 现有两只稳压管 他们的稳定电压分别为 6V 和 8V 正向导通电压均为 0 7V 试问 1 若将它们串联连接 则可得到几种稳压值 分别为多少 2 若将它们串联连接 则可得到几种稳压值 分别为多少 10 在题图 2 10 所示电路中 设稳压管的 Uz 5V 正向导通压降为 0 7V 若 ui 10 sin t V 试 画出 u0的波形 题图 2 10 解 当 ui 5V 时 Vz击穿 u0 5V 当 ui 一0 7V 时 Vz正向导通 u0 一0 7V 当一0 7V ui 5V 时 Vz截止 u0 ui 由此画出的 u0波形如答图 2 10 所示 11 在题图 2 11 a 所示电路中 二极管等效为恒压降模型 已知输入电压 u1 u2的波形如题图 2 11 b 所示 试画出 u0的波形 题图 2 11 解 该电路为高电平选择电路 即 u1 u2中至少有
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