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文档简介

前三题为必做题 全为英文描述题干 1 写出电阻 R 电容 C 电感 L 的 V I 关系式 2 给出的电压值求 NPN 型三极管的 晶体管的开启电压为 0 7v B V C V E V VbVeVc 0 10 7v 20 7v 3 在满足深度负反馈的条件下 求出以下放大电路的 O V 整份试卷包含所有面试方向的题 最后一部分是 IC layout 方向的笔试题 1 简述 CMOS 的工艺流程 2 给出 nand2 的管级图画出其 layout 3 下图电路图中有两个 MOSFET MA and MB 假设每个 MOSFET 有两个 gate finger 右下 版图应如何连接 才能使 MA and MB 匹配 4 画出不同的电流镜图 并简述各自特点 面试时问到的问题 技术部 1 晶体管的工作原理 2 你在青软实训学到了什么 3 你觉得怎样布局 布线 该注意哪些方面 4 Latch up 的原理 形成示意图并提取其电路图 5 ESD 的工作原理 做 ESD 时你觉得应该注意哪些方面 负责人 一直不停地从你回答的话中找问题 问问题 1 自对准工艺 SALICIDE 原理 后做栅会出现什么后果 2 CMOS 的工艺流程 3 Latch up 的原理以及防止措施 Guard ring 的作用 保护作用具体是
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