第10章工艺集成.ppt

集成电路制造工艺 东华理工大学彭新村xcpeng天津工业大学 第10章工艺集成 集成电路中的隔离 1 CMOS集成电路的工艺集成 2 3 4 双极集成电路的工艺集成 BiCMOS集成电路的工艺集成 天津工业大学 工艺集成 运用各类工艺形成电路结构的制造过程CMOS集成电路的工艺集成双极型集成电路的工艺集成BiCMOS集成电路的工艺集成 天津工业大学 10 1集成电路中的隔离 一 MOS集成电路中的隔离局部场氧化工艺 Localoxidationofsilicon LOCOS 改进的LOCOS工艺浅槽隔离 Shallowtrenchisolation STI CMOS自隔离及寄生MOS示意图 天津工业大学 LOCOS工艺流程 硅片清洗 生长缓冲SiO2层 LPCVD淀积Si3N4 涂胶 天津工业大学 LOCOS掩模板 曝光 显影 刻蚀 天津工业大学 去胶 隔离注入 热氧化 刻蚀氮化硅 天津工业大学 LOCOS工艺的缺点 1 鸟嘴的形成 Bird sbeak 由于氧的横向扩散 硅的氧化反应是各向同性的氧化物在氮化硅下面的生长形成鸟嘴浪费硅片的有效面积2 厚的氧化层造成表面凹凸不平 加重台阶覆盖问题 天津工业大学 改进的LOCOS工艺 回刻的LOCOS工艺侧墙掩蔽的隔离工艺多晶硅缓冲层的LOCOS工艺 PBL 天津工业大学 浅槽隔离 STI STL不会产生鸟嘴更平坦的表面更多的工艺步骤 LOCOS工艺相对简单 便宜 高产率当特征尺寸 0 35um不再适用 天津工业大学 STI工艺流程 掩模板 光刻 刻蚀形成浅槽 天津工业大学 STI工艺流程 高压CVDSiO2 CMPSiO2至Si3N4层 CMP去除Si3N4 天津工业大学 SOI技术介质隔离 绝缘体上外延硅结合STI技术横向和纵向的完全隔离工艺较复杂 天津工业大学 二 双极型电路中的隔离 pn结隔离 形成工作区 光刻出隔离区 离子注入与工作区反型的杂质形成pn结 工艺简单缺点 隔离区较宽 降低集成度 隔离扩散引入了大的收集区 衬底和收集区 基区电容 不利于电路速度的提高深槽隔离 与浅槽隔离类似 天津工业大学 10 2CMOS集成电路中的工艺集成 MOS集成电路工艺的发展 70 80年代 nMOS为IC主流技术 多晶硅栅替代铝栅 源漏自对准结构 离子注入技术提高沟道和源漏区掺杂的控制能力80年代之后 CMOS工艺成为IC主流技术 带侧墙的漏端轻掺杂结构 自对准硅化物技术 浅槽隔离技术 氮化二氧化硅栅介质材料 晕环技术 双掺杂多晶硅技术 化学机械抛光 CMP 大马士革镶嵌工艺和铜互连技术今后发展趋势 超薄SOICMOS器件 纳米硅器件 双栅器件等 天津工业大学 CMOS工艺中的基本模块及对器件性能的影响 CMOSIC中的阱 单阱 SingleWell 双阱 TwinWell 自对准双阱 Self alignedTwinWell 阱的制备工艺 高能离子注入高温退火杂质推进 天津工业大学 单阱 P阱CMOS 静态逻辑电路 N阱CMOS 动态逻辑电路 天津工业大学 双阱 需要两块掩模版更平坦的表面先进CMOSIC工艺中最常用的 天津工业大学 自对准双阱工艺 优点 只需要一块掩模版 减少工艺成本缺点 硅片表面不平坦 影响后续的介质淀积一般先离子注入形成N阱 因为P在高温下的扩散比B慢 避免了氧化时杂质的扩散 天津工业大学 CMOS集成电路中的栅电极 Gate 普通金属栅 铝栅 多晶硅栅 双掺杂自对准多晶硅工艺 高k栅介质及金属栅 钨栅及Ta2O5 天津工业大学 高k栅介质及金属栅 器件尺寸缩小 0 1um 氧化层厚度越来越薄 需要采用高k介质代替SiO2作为栅介质层保证储存足够的电荷来开启MOSFET 并有效防止隧穿及击穿金属栅具有更低的电阻率 能有效地提高器件的速度采用高k栅介质和金属栅是未来的一个发展方向 天津工业大学 CMOS集成电路中的源漏结构 源漏结构及工艺的发展 蒸发或固相扩散离子注入轻掺杂源漏结构源漏扩展结构晕环结构 天津工业大学 轻掺杂源漏 LDD 结构 热电子效应 LDD结构 天津工业大学 LDD工艺流程 低剂量注入形成轻掺杂层 淀积氮化硅层 刻蚀氮化硅层形成侧墙 天津工业大学 高剂量 高能量离子注入形成重掺杂层 退火驱进形成源漏 天津工业大学 晕环注入 haloimplantation 进一步降低短沟效应 降低源漏区横向扩散提高杂质分布梯度以降低源漏串联电阻 天津工业大学 自对准结构和接触 天津工业大学 CMOSIC工艺流程 80年代主流工艺90年代主流工艺当前主流工艺 见课件 天津工业大学 10 3双极型集成电路的工艺集成 平面双极集成电路工艺 标准埋层双极晶体管 SBC 收集区扩散绝缘双极晶体管 CDI 三扩散层双极晶体管 3D SBC晶体管的结构 天津工业大学 SBC双极集成电路工艺流程 见课件 先进的隔离技术 深槽隔离DTI代替pn结隔离 减少隔离面积 增加集成度 多晶硅发射极 减少发射区表面复合速率 改善晶体管电流增益 缩小器件纵向尺寸 自对准发射极和基区接触 自对准 减少光刻 减少器件内部电极接触之间的距离 天津工业大学 10 4BiCMOS的工艺集成 双极集成电路优点 高速 驱动能力强 适合于高精度模拟电路双极集成电路缺点 功耗高 集成度低 CMOS集成电路优点 功耗低 高集成度CMOS集成电路缺点 速度低 驱动能力差 天津工业大学 以CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺以标准双极工艺为基础的双阱BiCMOS工艺 天津工业大学 小结 MOS集成电路中的隔离LOCOS工艺 改进的LOCOS工艺 浅槽隔离双极型集成电路中的隔离pn结隔离 深槽隔离CMOS集成电路中的基本模块阱 单阱 双阱 自对准双阱 栅电极 多晶硅栅 金属栅和高k栅介质层 源漏结构 轻掺杂源漏结构LDD 接触层 自对准硅化物工艺 天津工业大学 COMS工艺流程80年代工艺 LOCOS PSG回流 正胶光刻等 9