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第一章第一章 半导体二极管半导体二极管 1 1 本征半导体本征半导体 单质半导体材料是具有 4 价共价键晶体结构的硅 Si 和锗 Ge 导电能力介于导体和绝缘体之间 特性 光敏 热敏和掺杂特性 本征半导体 纯净的 具有完整晶体结构的半导体 在一定的温度下 本征半导体内的最重要的 物理现象是本征激发 又称热激发 产生两种带电性质相反的载流子 空穴和自由电子对 温 度越高 本征激发越强 空穴是半导体中的一种等效 q 的载流子 空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位 使局部显示 q 电荷的空位宏观定向运动 在一定的温度下 自由电子和空穴在热运动中相遇 使一对自由电子和空穴消失的现象称为 复合 当热激发和复合相等时 称为载流子处于动态平衡状态 2 2 杂质半导体 杂质半导体 在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体 体现的是半导体的掺杂特性 P 型半导体 在本征半导体中掺入微量的 3 价元素 多子是空穴 少子是电子 N 型半导体 在本征半导体中掺入微量的 5 价元素 多子是电子 少子是空穴 杂质半导体的特性 载流子的浓度 多子浓度决定于杂质浓度 几乎与温度无关 少子浓度是温度的敏感函数 体电阻 通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻 在半导体中 存在因电场作用产生的载流子漂移电流 与金属导电一致 还才能在因载流 子浓度差而产生的扩散电流 3 PN3 PN 结结 在具有完整晶格的 P 型和 N 型半导体的物理界面附近 形成一个特殊的薄层 PN 结 PN 结中存在由 N 区指向 P 区的内建电场 阻止结外两区的多子的扩散 有利于少子的漂移 PN 结具有单向导电性 正偏导通 反偏截止 是构成半导体器件的核心元件 正偏 PN 结 P N 具有随电压指数增大的电流 硅材料约为 0 6 0 8V 锗材料约为 0 2 0 3V 反偏 PN 结 P N 在击穿前 只有很小的反向饱和电流 Is PN 结的伏安 曲线 方程 4 4 半导体二极管半导体二极管 普通的二极管内芯片就是一个 PN 结 P 区引出正电极 N 区引出负电极 单向导电性 正向导通 反向截止 正向导通压降 硅管 0 6 0 7V 锗管 0 2 0 3V 死区电压 硅管 0 5V 锗管 0 1V 分析方法 将二极管断开 分析二极管两端电位的高低 若 V阳 V阴 正偏 二极管导通 短路 若 V阳 u 时 uo Uom 当 u u 时 uo Uom 基本运算电路基本运算电路 反相比例运算电路 R2 R1 Rf 同相比例运算电路 R2 R1 Rf 反相求和运算电路 R4 R1 R2 R3 Rf 同相求和
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