工艺申请单范例-2010版

纳米加工平台工艺申请表纳米加工平台工艺申请表 2010 版 批号 申请人申请人电话申请人邮箱申请人签字 付费人课题编号付费人邮箱付费人签字 申请日期所属单 位 样品材料样品尺寸 样品数量与编号 试验目的及说明 序号工艺名称工艺要求及说明日期工艺记录和检测结果工艺员计价和确认备注 匀胶 KS L150 ST22 KW 4A 加工数量 3 片 衬底 材料 硅片 尺寸 4 英寸 6 英寸 光刻胶类型 AZ1500 厚度 1 2 0 4 微米 HDMS 预处理 需要 使用匀胶机类型 SSE 国产小匀胶机 Track 匀胶机类型 开始时间 完成时间 衬底尺寸 匀胶次数 检测结果 本步工艺计价 工艺负责人确认 工艺申请人确认 光刻 MA6 BA6 URE 2000 35 加工数量 3 片 衬底材料 尺寸 厚度 硅片 4 英寸 525 微米 光刻胶类型 厚度 AZ1500 1 1 6 微米 光刻最小线宽 2 微米 套刻要求 正反面对准 对准精度 5 微米 使用光刻机类型 Suss MA6 BA6 国产光刻机 光刻机类型 开始时间 完成时间 本工艺总用时 检测结果 本步工艺计价 工艺负责人确认 工艺申请人确认 步进式光刻机 NSR1755i7B 加工数量 3 片 衬底材料 尺寸 厚度 硅片 4 英寸 525 微米 光刻胶类型 厚度 EPL 1 1 6 微米 光刻最小线宽 2 微米 套刻精度 1 微米 开始时间 完成时间 本工艺总用时 检测结果 本步工艺计价 工艺负责人确认 工艺申请人确认 电子束光刻 JBX 5500ZA 加工数量 1 片 衬底材料 尺寸 厚度 硅片 4 英寸 525 微米 光刻胶类型 厚度 AZ1500 1 1 6 微米 光刻最小线宽 30nm 套刻要求 套刻误差小于 40nm 拼接要求 误差小于 40nm 开始时间 完成时间 本工艺总用时 检测结果 本步工艺计价 工艺负责人确认 工艺申请人确认 显影 OPTIspin ST22 加工数量 3 片 衬底 材料 硅片 尺寸 4 英寸 显影液类型 标配 TMAH 使用显影机类型 SSE Track 显影机类型 开始时间 完成时间 本工艺总用时 检测结果 本步工艺计价 工艺负责人确认 工艺申请人确认 干法去胶 M4L 加工数量 3 片 批次 1 批 材料 硅片 尺寸 4 英寸或碎片 需去除光刻胶类型 AZ1500 需去除胶厚 50nm 去胶功率 300W 开始时间 完成时间 本工艺总用时 检测结果 本步工艺计价 工艺负责人确认 工艺申请人确认 喷胶 ST20i 加工数量 3 片 衬底材料 硅片 尺寸 4 英寸 开始时间 完成时间 本步工艺计价 光刻胶类型 AZ4620 目标胶厚 30 微米 图形深宽比 1 2 本工艺总用时 检测结果 工艺负责人确认 工艺申请人确认 晶片键合 CB6L 加工数量 3 对 材料 硅片和玻璃 尺寸 4 英寸 键合类型 阳极键合 是否需要套刻 是 套刻精度 5 微米 键合对数 单次键合用时 开始时间 完成时间 本工艺总用时 检测结果 本步工艺计价 工艺负责人确认 工艺申请人确认 磁控溅射 LAB 18 加工数量 3 片 批次 1 批 衬底材料 硅片 尺寸 2 英寸 膜层材料 厚度 Ti Al Ti Au 50nm 200nm 50nm 100nm 厚度均匀性要求 5 衬底加热温度 200 工艺气体 Ar 或 N2 溅射批数 开始时间 完成时间 本工艺总用时 溅射各层材料 厚度 检测结果 本步工艺计价 工艺负责人确认 工艺申请人确认 电子束蒸发 ei 5z EBE 09 加工数量 3 片 批次 1 批 衬底材料 硅片 尺寸 6 英寸 膜层材料和厚度 Ti Al Ti Au 50nm 200nm 50nm 100nm 厚度均匀性要求 5 衬底温度 200 蒸发台类型 ei 5z EBE 09 使用蒸发台 蒸镀批数 开始时间 完成时间 本工艺总用时 蒸镀各层材料 厚度 检测结果 本步工艺计价 工艺负责人确认 工艺申请人确认 热蒸发 EVA 09 2 加工数量 1 片 批次 1 批 衬底材料 硅片 尺寸 2 英寸 蒸镀次数 开始时间 本步工艺计价 膜层材料和厚度 AG Au 500nm 200nm 厚度均匀性要求 5 衬底温度 完成时间 本工艺总用时 蒸镀材料 厚度 检测结果 工艺负责人确认 工艺申请人确认 PECVD OXFORD 100 加工数量 3 片 批次 3 批 衬底材料 硅片 尺寸 6 英寸 膜层材料和用途 SiO2 绝缘层 厚度 1000nm 折射率 1 46 厚度均匀性要求 5 衬底温度 300 开始时间 完成时间 本工艺总用时 检测结果 本步工艺计价 工艺负责人确认 工艺申请人确认 光学薄膜蒸发 OTFC 900 加工数量 3 片 批次 1 批 衬底材料 硅片 尺寸 4 英寸 膜层材料和厚度 SiO2 ITO 50nm 200nm 厚度均匀性要求 2 衬底温度 200 蒸镀次数 开始时间 完成时间 本工艺总用时 蒸镀各层材料 厚度 检测结果 本步工艺计价 工艺负责人确认 工艺申请人确认 氧化 HDC8000A 加工数量 20 片 批次 1 批 衬底材料尺寸 6 英寸 氧化类型 干氧 湿氧 干湿氧 厚度 1000nm 厚度均匀性要求 3 开始时间 完成时间 本工艺总用时 检测结果 本步工艺计价 工艺负责人确认 工艺申请人确认 快速退火 RTP 500 加工数量 3 片 批次 1 批 衬底材料 尺寸 GaN 片 2 英寸 开始时间 完成时间 本步工艺计价 退火温度和时间 600 15sec本工艺总用时 检测结果 工艺负责人确认 工艺申请人确认 管式退火炉 L4508 07 1 L4508 07 2 加工数量 3 片 批次 1 批 衬底材料 尺寸 GaN 片 2 英寸 退火温度 时间 600 120min 退火气氛 N2 压缩空气 氢气 开始时间 完成时间 本工艺总用时 检测结果 本步工艺计价 工艺负责人确认 工艺申请人确认 IBE 刻蚀 IBE A 150 加工数量 3 片 批次 1 批 需刻蚀材料 硅片 尺寸 2 英寸或碎片 掩膜材料 光刻胶 Ti 等 刻蚀深度 2 微米 粘片 需要 开始时间 完成时间 本工艺总用时 检测结果 本步工艺计价 工艺负责人确认 工艺申请人确认 RIE Tegal903e 加工数量 3 片 批次 3 批 需刻蚀材料 SiO2 SiNx 尺寸 6 英寸或 4 英 寸 掩膜材料 光刻胶 刻蚀尺寸 深度 2 微米 线宽 2 微米 粘片 需要 开始时间 完成时间 本工艺总用时 检测结果 本步工艺计价 工艺负责人确认 工艺申请人确认 III V ICP 刻蚀 ICP 180 加工数量 3 片 批次 1 批 需刻蚀材料 尺寸 GaN 片 2 英寸或碎片 掩膜材料 SiO2 刻蚀尺寸 深度 2 微米 线宽 2 微米 开始时间 完成时间 本工艺总用时 本步工艺计价 工艺负责人确认 粘片 需要检测结果 工艺申请人确认 深硅刻蚀 STS MPX HRM 加工数量 3 片 批次 3 批 材料 Si 片 SOI 尺寸 6 英寸 掩膜材料 SiO2 光刻胶 刻蚀尺寸 深度 10 微米 线宽 2 微米 侧壁陡直度 粗糙度 89 1 度 100nm 开始时间 完成时间 本工艺总用时 检测结果 本步工艺计价 工艺负责人确认 工艺申请人确认 解理 Titan OSM 80TP Y Loomis LSD100 加工数量 3 片 需解理材料 尺寸 蓝宝石 2 英寸 管芯形状 长方形 管芯大小 280 320um2 切深要求 24 微米 使用划片机类型 Titan OSM 80TP Y LSD100 划片机类型 开始时间 完成时间 本工艺总用时 解理刀数 检测结果 本步工艺计价 工艺负责人确认 工艺申请人确认 压焊 747677E 压焊点数 30 点 焊盘 材料 金 尺寸 80 80 微米 焊线 材料 金 线径 25 微米 压焊工艺类型 球焊 楔焊 开始时间 完成时间 本工艺总用时 检测结果 本步工艺计价 工艺负责人确认 工艺申请人确认 裂片 OBM 90TP 加工数量 3 片 需裂片材料 尺寸 片厚 GaN 2 英寸 80 微米 管芯形状 长方形 管芯尺寸 300 300 微米 开始时间 完成时间 本工艺总用时 本步工艺计价 工艺负责人确认 检测结果 工艺申请人确认 倒装焊 FC150 加工数量 3 片 基底 材料 Si 尺寸 10 10 毫米 基底焊盘材料 金 尺寸 50 50 微米 芯片 材料 Si 尺寸 10 10 毫米 芯片焊盘材料 金 尺寸 50 50 微米 焊料 金锡 温度 时间 200 30min 工艺气体 甲酸 N2 焊接工艺类型 热压焊 回流焊 开始时间 完成时间 本工艺总用时 检测结果 本步工艺计价 工艺负责人确认 工艺申请人确认 回流炉 SRO702 加工数量 3 片 批次 1 批 基底 材料 Si 尺寸 10 10 毫米 基底焊盘材料 金 尺寸 50 50 微米 芯片 材料 Si 尺寸 10 10 毫米 芯片焊盘材料 金 尺寸 50 50 微米 焊料 金锡 温度 时间 200 30min 真空度 5mTorr 开始时间 完成时间 本工艺总用时 检测结果 本步工艺计价 工艺负责人确认 工艺申请人确认 CMP 减薄 HRG 150 加工数量 3 片 批次 3 批 需减薄材料 尺寸 厚度 Si 4 英寸 400 微米 减薄后厚度 100 微米 开始时间 完成时间 本工艺总用时 检测结果 本步工艺计价 工艺负责人确认 工艺申请人确认 CMP 研磨 AL 380F 加工数量 3 片 批次 2 批 需研磨材料 尺寸 厚度 Si 4 英寸 100 微米 研磨后厚度 90 微米 开始时间 完成时间 本工艺总用时 本步工艺计价 工艺负责人确认 检测结果 工艺申请人确认 CMP 抛光 AP 380F 加工数量 3 片 批次 2 批 需抛光材料 尺寸 厚度 Si 4 英寸 90 微米 抛光后厚度 80 微米 开始时间 完成时间 本工艺总用时 检测结果 本步工艺计价 工艺负责人确认 工艺申请人确认 八槽清洗机 HL 071004 加工数量 3 片 批次 1 批 需清洗材料 尺寸 厚度 Si 4 英寸 525 微米 使用清洗液 1 号液 2 号液 硫酸双氧水 开始时间 完成时间 本工艺总用时 检测结果 本步工艺计价 工艺负责人确认 工艺申请人确认 Lift off Wet SB 30 加工数量 3 片 批次 3 批 需剥离衬底材料 尺寸 厚度 Si 4 寸 525 微米 光刻胶类型 AZ4620 图形线宽 厚度 100nm 200nm 开始时间 完成时间 本工艺总用时 检测结果 本步工艺计价 工艺负责人确认 工艺申请人确认 SEM JSM 6390 加工数量 3 片 材料 碳纳米线 尺寸 50nm 是否喷金 是 扫描模式 二次电子像 背散射 开始时间 完成时间 本工艺总用时 喷金次数 本步工艺计价 工艺负责人确认 工艺申请人确认 检测结果 喷金仪 JFC 1600 加工数量 3 片 批次 1 批 衬底材料 硅片 尺寸 10 10 毫米 喷 Pt 厚度 10nm 开始时间 完成时间 喷金次数 检测结果 本步工艺计价 工