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电子技术电子技术 第一章复习第一章复习 一 填空题一 填空题 1 导电能力介于 和 之间的物质称为半导体 半导 体材料的代表物质是 和 2 在本征半导体中掺入微量杂质 就会使半导体导电能力显著地 3 二极管长期运行时 允许通过的最大正向平均电流称为 4 杂质半导体按导电类型分为 和 两种 5 PN 结又叫空间电荷区 也叫 层或 层 6 二极管的主要参数 反映正向特性的 和反映反向特性的 7 温度 将使半导体的导电能力大大增强 8 三极管工作时 通常在它的 加正向电压 加反向电压 9 穿透电流越大 则三极管性能越 10 对于 NPN 型三极管 当 VBE 0 VBC 0 时 三极管处于 状态 11 三极管集电区比发射区体积大且掺杂 利于收集载流子 12 三极管从结构上看可以分成 和 两种类型 它们工 作时有 和 两种载流子参与导电 场效应管从结构上分 成 和 两种类型 它们的导电过程仅取决于 载流子的流 动 13 晶体三极管属于 控制型器件 场效应管属于 控制 型器件 14 场效应管有三个电极 极 极和 极 15 场效应管的输出特性曲线是指在一定的 下 和 之间的关系曲线 其输出特性曲线分为三个区即 区 区 和 区 二 选择题 1 面接触型晶体二极管比较适用于 A 小信号检波 B 大功率整流 C 大电流开关 D 小电流整流 2 半导体受光照后 其导电能力会 A 增大 B 减小 C 不变 D 丧失 3 场效应管的线形放大区是 A 可调电阻区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区 4 当晶体二极管的 PN 结导通后 则参加导电的是 A 少数载流子 B 多数载流子 C 既有多数载流子又有少数载流子 D 无法判断 5 当硅晶体二极管加上为 0 3V 正向电压时 该晶体二极管处于 状态 A 小阻值电路 B 阻值很大的电阻 C 截止状态 D 内部击穿 6 场效应管的主要特点是 A 输入电阻高 B 输入电阻小 C 噪声大 D 耗电大 7 晶体三极管工作在饱和状态时 它的 IC将 A 随 IB增加而增加 B 随 IB增加而减小 C 与 IB无关 只决定于 RE和 VG D 不变 8 半导体二极管导通的必要且充分条件是 A 加正偏电压 B 加反向电压 C 加大于死区的正偏电压 D 加小于死区电压的正向电压 9 场效应管三个电极中 用 G 表示的电极称为 A 控制极 B 漏极 C 源极 D 栅极 10 当温度升高时 PN 结的导能电压将 A 变大 B 变小 C 不变 D 可能变大也可能变小 三 分析计算题 1 已知三极管的 IC 3mA 50 求 IB IE的值 2 某三极管的 1 脚流进电流为 4mA 2 脚流出的电流为 3 95mA 3 脚流 出的电流为 50 A 判
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