练习3 场效应管及放大电路

练习练习 3 场效应管及放大电路场效应管及放大电路 1 场效应管是利用外加电压产生的 来控制漏极电流的大小的 A 电流 B 电场 C 电压 2 场效应管是 器件 A 电压控制电压 B 电流控制电压 C 电压控制电流 D 电流控制电流 3 三极管是 器件 A 电压控制电压 B 电流控制电压 C 电压控制电流 D 电流控制电流 4 结型场效应管利用删源极间所加的 来改变导电沟道的电阻 A 反偏电压 B 反向电流 C 正偏电压 D 正向电流 5 场效应管漏极电流由 的漂移运动形成 A 少子 B 电子 C 多子 D 两种载流子 6 P 沟道结型场效应管的夹断电压 Vp为 A 正值 B 负值 C vGS D 零 7 N 沟道结型场效应管的夹断电压 VP为 A 正值 B 负值 C 零 8 P 沟道耗尽型 MOS 管的夹断电压 VP为 A 正值 B 负值 C 零 9 vGS 0 时 不能工作在放大区的场效应管是 A 结型管 B 耗尽型 MOS 管 C 增强型 MOS 管 10 N 沟道耗尽型 MOS 管产生预夹断的条件是 A vDS vGS VP B vDS vGS VT及 vGS VT C vDS vGS VT D vDS vGS VP及 vGS VP 11 N 沟道增强型 MOS 管产生预夹断的条件是 A vDS vGS VP B vDS vGS VT及 vGS VT C vDS vGS VT D vDS vGS VP及 vGS VP 12 各种场效应管对电压 vDS极性的要求由 决定 A vGS的极性 B 耗尽型还是增强型 C 沟道的类型 13 结型场效应管中 外加电压 vGS 和 vDS 的极性 A 无特殊要求 B 必须相反 C 必须相同 14 P 沟道耗尽型 MOS 管中 外加电压 vGS的极性为 A 正 B 负 C 可正可负 15 P 沟道耗尽型 MOS 管中 外加电压 vDS的极性为 A 正 B 负 C 可正可负 16 P 沟道增强型 MOS 管中 外加电压 vGS的极性为 A 正 B 负 C 可正可负 17 P 沟道增强型 MOS 管中 外加电压 vDS的极性为 A 正 B 负 C 可正可负 18 结型场效应管通常可采用两种直流偏置电路 即自偏压方式和分压式自偏压电路 A 正确 B 错误 19 增强型 MOS 管也可以采用与结型场效应管同样的两种偏置方式 A 正确 B 错误 20 耗尽型 MOS 管不能采用自偏式方式 A 正确 B 错误 21 下图所示电路中能进行正常放大的是电路 A a B b C c a b c 22 为使下图所示电路具有放大作用 必须 A 在源极加一电阻 R B 在栅极与 Rg2间加一电阻 Rg3 C 去掉电阻 Rg2 D 将电源 VDD改 为 VDD 23 电路如下图所示 其中 图 a 是 组态 A 共源 共射 B 共漏 共射 C 共漏 共集 D 共源 共集 图 b 是 组态 A 共源 共射 B 共漏 共射 C 共漏 共集 D 共源 共集 a b 24 两级放大电路的组成框图如下图所示 给你提供的元件有三级管 其 100 rbe 1k 场效应管 其 gm 2ms Rc或 Rd约为 10k Re或 R 源极电阻 约为 1k 信号源的频率范 围为 20Hz 10kHz 要求当信号源内阻 Rs从 1k 变到 100k 负载电阻 RL从 10k 变到 1k 时 且 同时希望 和 RL的接入不影响该电路的 静态工作点 电路的体积 重量要小 该电路应选用 耦合方式 A 直接耦合 B 阻容耦合 C 变压器耦合 第一级放大电路应选用 组态 A 共源 B 共射 C 共漏 D 共集 第二级放大电路应选用 组态 A 共源 B 共射 C 共基 D 共集 练习练习 3 场效应管及放大电路场效应管及放大电路 1 B 2 C 3 D 4 A 5 B 6 A 7 B 8