EEPROM存储器概述

非易失性存储器概述非易失性存储器概述 一 介绍一 介绍 这篇文章论述了非易失性存储器 NVM 基本概况 第 1 部分介绍了非易失性存储器的主 要背景以及一些存储器的基本术语 第 2 部分主要阐述了非易失性存储器的工作原理 通 过热电子注入实现编程 第 3 部分包含了非易失性存储器的擦除原理 以及隧道效应 第 4 部分介绍了用于预测非易失性存储器的编程特性的模型 用 幸运电子 模型来表述 热电子注入模式 第 5 部分主要介绍非易失性存储器可靠性 包括在数据保存 耐受力和 干扰影响下的可靠性 关键词 非易失性 存储器 热电子注入 隧道效应 可靠性 保存 存储干扰 EEPROM Flash EEPROM 存储器分为两大类 易失性存储器和非易失性存储器 易失性存储器在掉电后会失去其所 存储的数据 故而需要继续不断的电源才能保存数据 大部分的随机存取存储器 RAM 都是易失性的 非易失性存储器则在掉电后不会丢失数据 一个非易失性存储器 NVM 本质上是一个 MOS 管 由一个源极 一个漏极 一个门极 以及一个浮栅 与常用的 MOSFET 不同的是 NVM 多了一个浮栅 浮栅与其它部分是绝缘的 非易失性存储器又 细分为两个主要的分类 浮栅型和电子俘获型 Kahng 和 Sze 在 1967 年发明了第一个 浮栅型器件 在这种器件中 电子受隧道效应的影响 通过一个 3nm 厚的二氧化硅层 从 一个浮栅中转移到基层中 通过隧道效应 非易失性存储器可以更容易地被擦除或改写 通常隧道效应只在厚度小于 12nm 的氧化物中存在 浮栅中存储电子后 可以使得阈值电 压被降低或者提高 而阈值电压的高低也就分别代表了逻辑值 1 或 0 在浮栅型存储器件中 电子 也即是数据 存储在浮栅中 故而掉电后 数据不会丢失 所有的浮栅型存储器件都是一样的存储单元结构 如下图 1 所示 一个存储单元由门极 MOS 管堆叠而成 第一个门是浮栅门 被埋在栅氧化层 Gate Oxide 和内部多晶硅绝 缘层 IPD 之间 位于控制门 Control Gate 的下方 内部多晶硅绝缘层将浮栅隔绝起 来 它可以是氧化物 或者氧化物 氮化物 氧化物层 ONO SiO2 绝缘层将 MOS 管包 围起来 作为保护层 使其免受划伤和杂质污染 第二个门极是控制门 这个门是可以被 外部所接触到的 浮栅门常用在 EPROM 里 Electrically Programmable Read Only Memory 和 EEPROM 里 Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory 图 1 基本的浮栅门结构 电子俘获型器件最早于 1967 年发明 是最早的电改写 Electrically Alterable 半导体器件 在这类器件中 电子 即数据 存储在分立的氮化物陷阱中 并且掉电后仍能保持 电子 俘获型器件通常用在 MNOS Metal Nitride Oxide Silicon 金属氮 氧化物半导体 3 4 SNOS Silicon Nitride Oxide Semiconductor 硅氮 氧化物半导体 5 和 SONOS Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor 硅氧化物 氮化物 氧化物半导体 6 中 典型的电子俘 获型存储器结构可参考图 2 图 2 MNOS 存储单元 MNOS 存储器件中的电子是通过量子隧道效应 由沟道注入到氮化物中 注入要穿过一层 超薄的氧化物 通常厚度在 1 5 3nm 之间 第一个 EPROM 浮栅型器件 其浮栅是由重掺杂的多晶硅组成 这种材质之前通常用在雪 崩注入 MOS 存储器中 FAMOS 其中的栅氧化层的厚度约为 100nm 以防止浮栅与基层 之间短路或者漏电 EPROM 写入时 对漏极 Drain 施加一个偏置电压 使之产生雪崩效 应 此时电离物中的电子即可通过漏极注入到浮栅中 FAMOS 只能用 VU 或者 X 射线进行 擦除 EPROM 一般被当作系统样机设计中的工具 现在 EPROM 有两种 一种陶瓷封装 提供了石英窗口 可供 UV 照射来进行改写 另一种塑封 没有石英窗口 这种器件是一 次改写器件 OTP OTP 器件的优点是价格便宜 然而 组装后无法进行额外的测试 陶 瓷封装的 EPROM 相对较贵 组装后也可以进行额外的测试 存储内容也可由 UV 光来改写 尽管早在 1970 年代 UV 擦除 电编程的存储器件成功商业化 但制造一种电擦写的存储 器件 EEPROM 仍有相当大的吸引力 H lizuka 等人发明了第一只可电擦写的 NVM 即层 叠式雪崩注入 MOS 存储器件 SAMOS 专业名词 翻译不准 还是尽量搜英文吧 SAMOS 由一个外部控制极 两个多晶硅极组成 外部控制极使得电擦除成为可能 并且能 提高擦除效率 EEPROM 可以通过电来改写数据 从而取代了 UV 照射方法 相比 UV 照射 来说 EEPROM 的优势在于更便宜的封装价格 更方便的擦写 劣势就是 EEPROM 的存储 单元的体积相比 EPROM 要大上两三倍 所以 EEPROM 的晶粒体积更大 EEPROM 存储单 元由两个晶体管组成 一个浮栅晶体管 一个选择极晶体管 如图 3 所示 当要改写数据 时 通过选择极晶体管来选择或反选某个浮栅 再加上纠错电路或者冗余电路 晶料的体 积又变得更大了 图 3 具有选择极的 EEPROM 在 20 世纪 80 年代 一种新的非易失性存储器被发明出来 它就是 Flash EEPROM 这个产 品最初只不过是把 EPROM 改变了一下 使其变得可以电擦写而已 这种器件通过热电子 注入效应来进行写入 通过隧道效应进行擦除 Flash EEPROM 不能按位擦写 每次都只能 擦除整片芯片或者其中某一个扇区 由于 Flash 不需要 EEPROM 进行位擦除所需要的选择 极 故而 Flash 移除了选择极 因此 flash 的存储单元比 EEPROM 小两到三倍 这种类型的 Flash EEPROM 的单元结构与图 1 的类似 术语翻译此处省略 二 基本编程方法 针对浮栅型和电子俘获型器件 编程需要将电子分别注入到浮栅或氮化层中 要改变 NVM 中的电荷 或者说数据 有两个基本的方法可以使用 薄氧化物中的 FN 隧道效应 厚度 小于 12nm 或者是热电子注入 1 隧道效应 在 NVM 中最重要的改写方法之一就是隧道效应 当一个大的电压 Vcg 施加于是控制极上时 它的能带结构会受到影响 如下图 4 所示 图 4 浮栅型存储器通过隧道效应编程时的能带结构示意图 如上图 ec和 ev分别为传导带和化合带 Eg是能隙 对于硅材质来说为 1 1 电子伏带 fb硅 二氧化硅能量垫垒 对电子来说是 3 2 电子伏特 对空洞来说是 4 7 电子伏特 施加 电压 Vcg产生的电场形成电位势 对于基带中的电子来说 势垒提供了一个隧道 最被电 子通过栅氧化物 聚集到多晶硅浮栅中 对于 IPD 和栅氧化层来说 它们的能带是不一样 的 这主要是因为他们的材料厚度差异所导致 IPD 厚度在般在 25 到 45nm 之羊 而栅氧 化层只有 5 12nm 浮栅中的电子会产生一个隧道电流 如下式 1 其中 2 3 h 表示普朗克常数 表示注射表面的能量垫垒 对硅 二氧化硅来说 是 3 2 电子伏特 q 表示每个电子所带的电荷 1 6x10 19库仑 m 表示一个自由电子的质量 m 表示电子在能隙中的有效质量 0 42m h 2 inj表示注射表面的电场 V cm Vapp 氧化物隧道的跨导电压 Vfb 表示平能带电压 tox 表示隧道氧化层的厚度 式 1 显示隧道电流随着电压 Vapp 的增加而呈指数增长 增加的电流同时又会增加氧化层 上的电场强度 图 5 显示了 NVM 跨扇区的电子隧道效应电位 Vcg 与源极电压 Vs 漏极电 压 Vd 以及基极电压 Vsub 是一致的 图 5 Flash 编程中的隧道效应 另外 还有一种方法可以进行 Flash 编程操作 此方法称为漏极隧道法 在某些对编程速 度有要求的场合 此方法可能更适用 如图 6 所示 更小的注射面积意味着更大的隧道电 流 图 6 用漏极隧道法对 Flash 进行编程 2 热电子注入 HCI NVM 也可以采用热电子注入方法来进行编程 热电子注入方法如下 对于以 P 型半导体 为基材 N 型半导体作 NVM 的存储器 采用热电子注入 对于 N 型半导体为基材 P 型 半导体作 NVM 的存储器 采用热空穴注入 热空穴注入的速度非常慢 因为空穴的质量 和硅 二氧化硅能势垒问题 也因为如此 目前所有 NVM 制造商均采用 P 型半导体为基材 N 型半导体作 NVM 来制造存储器 对于单个存储单元来说 热电子注入编程的时候是通过漏极给浮栅注入热电子 当漏极加 上电压 Vd 时 热电子被侧向电场加速 沿道沟道进入到更高电势的栅极耗尽区 一旦电 子获得足够能量 就可以穿过基层与绝缘层能量垫垒 3 2 电子伏特 在正电压 Vd 和沟道电压的作用下 被注入到 N 沟道氧化物存储单元中的电子会返回到基 材中 除非这时候有一个更高的正电压 Vcg 来将电子推回浮栅中 NVM 热电子注入过程 中的能垫带如图 7 所示 图 7 NVM 热电子注入过程中的能垫带 当浮栅完全充电后 门电流 Ig 会减少到零为止 这是因为氧化物电场电压 Eox 开始排斥 电子 在注入过程中 是吸引电子 一般来说 Vcg 给浮栅充电 而 Vd 增加编程的速度 正如图 8 所示的跨扇区 NVM 热电子注入过程 Vcg 和 Vd 分别为 15V 和 10V 而 Vs 和 Vsub 为地电位 图中 P 面也有显示 它也是分离 N 沟道和 P 型 MOS 管的必要步骤 图 8 热电子注入过程中的编程方法 三 基本擦除方法 第二部分讲到了两种编程方法 隧道效应法和热电子注入法 为了对 NVM 重新编程 第 一步就是要擦除其中的数据 这一部分将介绍工业中通用的擦除方法 注入到浮栅中的电子被电垫位 3 2 电子伏特的氧化物能势垒所困住 由于硅氧化物的潜在 电位势大于 3 0 电子伏特 所以电子本身的自发辐射可忽略不计 由于浮栅中充满带负电 荷的电子 故而阈值电压 Vt 变得更高 有两种方法可以将电子从浮栅中移除 UV 照射 隧道效应 1 UV 照射 如图 9 通过 UV 辐射 电子获得足够的能量来越过能势垒 这样电子会从浮栅中逃逸出 来 回到基层的控制门中 这样就减少了 Vt 通常将 Vt 从编程状态变为中性或者擦除状 态 需要 10 分钟的时间 图 9 UV 照射擦除 NVM 时的能势带示意图 2 隧道效应 隧道效应也可以用来擦除 NVM 其中一个方法就是给控制极一个大的反向电压 此时的能 势带结构如图 10 所示 Vcg 增加了电场强度 从而产生一个势垒 这个垫垒使得电子可 以从浮栅中逃逸出来 经过薄薄的氧化层 到达基层中 图 10 隧道效应擦除 NVM 时的能势带图 图 11a 和图 11b 显示了两种擦除 Flash 的方法 对于均匀的隧道来说 可以加一个大的负 电压 Vcg 或者可以给漏极一侧的隧道加 Vd 电压 反向电压 Vcg 和正向电压 Vd 都会起 作用 图 11a 均匀隧道效应擦除 Flash 图 11b 漏极隧道效应擦除 Flash 一般来说 均匀隧道效应比漏极隧道效应要慢一点 但是漏极隧道效应容易引起一些可靠 性的问题 这主要是由于漏极区域小 电流密度大 而大电子束会集中在漏极的一小部分 区域上 从而有可能导致氧化层的损坏 四 热电子注入模式 在隧道热电子注入 CHE 编程方法中 电子产生于耗尽沟道和漏之间的强场效应区 具 有足够能量的电子被注入到浮栅 从而达到编程的效果 此时阈值电压 Vt 也增加为正电压 由于注入效率的问题 这种编程方法速度比较慢中 其编程速度主要取决于三个方面 热电子注入会在漏极产生碰撞电离效应 从而产生少载流子 电子 和多载流子 空穴 具有高能量的多载流子会聚焦到基层上 产生基层电流 Isub 而少载流子会聚集到漏极 产生漏极电流 Ids 如果氧化物电场 Eox 的方向与电子注入方向一致 则少载流子会越 过氧化物极的能量势垒 同时产生热电子注入门电流 Ig 至于浮栅型存储器 这些注入的 电子会给浮栅层充电 有两种方法都可以用来描述热电子注入所产生的层电流 一种为幸运电子模式 另一种为 有效电子温度模式 1 幸运电子模式 幸运电子模式由 Shkckley 发明 就概念上来说 幸运电子模式可以描述如下 热电子为了 到达浮栅 则需要从侧沟道电场中获得足够的动能 从而改变方向 以穿越二氧化硅能势 垒 图 12 表示了这一模式 幸运电子模式包含了三个事件 A B 事件 一个沟道电子必须要从 Elat 获得足够的能量 变得执起来 热电子运动必须改 变方向 以朝着硅 二氧化硅接触面的方向飞去 这个过程的可能性被定义为电子获得足够 穿过能势垒能量的可能性 图 12 幸运电子模式的三个过程 B C 事件 一旦热电子改变了方向 它必须经受住足够的碰撞 这个事件的可能性称为 PSEMI PSEMI 定义为热电子穿过硅 二氧化硅接触面而不受到任何碰撞的几率 C E 事件 在经过硅 二氧化硅接触面到达浮栅层的途中 电子在氧化物像势层中受到任何 的碰撞 这个几率称为 Pinsul 定义为一个电子在氧化物像势层中不遭遇任何碰撞的几率 以上三个几率互不影响 那么将每个单独的几率联合起来 即是热电子注入的几率 由此 可得到层电流为 其中 lr 改变方向的平均自由路 92nm Leff 浮栅晶体管的有效沟道长度 cm Ids 漏 源极电流 A 浮栅充电会改变阈值电压 Vt 如下 其中 DVT VT Programmed VT Initial DQfg Qfg Programmed Qfg Initial Change in floating gate charge 浮栅中充电能量为 其中 Dt 为编程时间 s 浮栅充电将 Vt 从初始或自然阈值 Vti 改变为 其中 Ctf 为浮栅层与控制层的电容 图 13 显示了编程 初始或擦除状态的典型特性 此图显示 Ids Vcg 曲线与其它 曲线相互平行 Ids Vcg 曲线从初始状态到擦除状态到编程状态的位移等同于 DQfg Cfg 图 13 Ids Vcg 转换特性 五 非易失性存储器的可靠性 非易失性存储器有一些非常重要的功能特性 通过这些特性可用来评估存储单 元的性能 这些特性分为两个主要的类型 耐久力和保持力 为了理解这两个 特性 必须要理解与氧化物层和内部多晶硅绝缘层 IPD 相关的基本要素 陷阱是 MNOS SNOS 和 SONOS 存储器的数据存储位置 他们也容易导致 EPROM EEPROM Flash EEPROM 的可靠性失效 氧化物层和 IPD 质量都 会对耐久性和保持力产生影响 氧化层的失效机理主要是由于电子注入或隧道效应过程中的强电应力引起的氧 化物击穿和逆断层 主要的情况可能为氧化物缺陷和氧化硅结合键断裂 氧化 物击穿 一般发生在一定区域内充上一定电荷量之后 Qbd Qbd 是一个用来 测试氧化物质量的电性测试方法 结合键断裂主要定义为编程 写操作过程中 电子被氧化层捕获 这些捕获的电子会给结电场进行充电 这样会导致一定量 的电荷转移到浮栅中 或者从浮栅中逸出 正如早前所说 非易失性存储器的基本单元为 IPD IDP 用来隔绝浮栅与其它 电极 如控制层 源极 漏极 基层 因此 为了保证没有漏电 IPD 应该是 零缺陷的 而浮栅是一个多晶硅层 它在 IPD 生长过程中被氧化 由于晶界的 强氧化过程 它表面可能会形成突起和内陷 这种表面的不均匀会在强电场作 用下会产生很高的漏电流 这样会成为绝缘层 IPD 的一个缺陷 图 14 显示了 强电场作用下的表面不均匀性所引起的后果 图 14 表面不均匀引起的 IPD 漏电流 其它影响 IPD 质量的因素还有 浮栅多晶硅层的掺杂 多晶硅沉积和氧化过程 中的温度影响 在 IPD 中 比较通用的是用多层介质堆栈如氧化物 氮化物 氧 化物 ONO 来减少漏电流 因为 ONO 有较低的缺陷度和高的电场性能 电 场强度会减少电荷损失 这样会有更少的电子从浮栅的陷阱中逸出 典型的 ONO 堆栈的厚度分别为 5 10nm 底层氧化物 20nm 氮化物 3nm 顶层 氧化物 底层氧化物位于浮栅上方 而顶层氧化物位于控制层的下方 1 耐久特性 耐受特性给出了不同的阈值电压窗口下的可编程次数 编程 写操作 擦除操作 他们之间的阈值电压是不一样的 如图 15 所示 图 15 典型的 EEPROM 阈值电压与操作次数对比 非易失性存储器可能频繁地进行擦写 而这样做的代价就是会给氧化层引入损 伤 如氧化层击击穿或结合键断裂 所以 编程次数并不是无限的 比如 大 部分商用 EEPROM 器件的保证编程寿命为 100 万次 在编程过程中对存储单 元的损伤一般称为退化 而存储器能耐受的编程次数称为耐久力 阈值电压窗 口关闭发生在编程和擦除操作的阈值电压不能区分开的时候 由于氧化层在注 入电子之前已经存在电子 从而会导致阈值窗口关闭的现象 而由于编程和擦 除操作过程中的高电场强度 Einj 的影响 陷阱也会不断产生 因此 为了耐受 得住编程过程中的热电子注入或 FN 隧道效应所产生的强电应力 氧化层必须 要保证很高的品质 2 保持特性 当一个存储单元不再能保存电荷 数据 时 可以说这个存储单元已没有保持 数据的能力 非易失性存储器能保存数据的时间长短 不论有没有上电工作 称之为保持力 在浮栅型存储器中 存储的电荷可能会从氧化层或者 IPD 中逃 逸出去 这主要是由于游离子和氧化物缺陷所引起的阈值电压偏移所致 电荷 损失分为很多种 从名称上来说 有热电子辐射所致电荷损失 电子去陷去所 致电荷损失 污染 如正电游离子 所致电荷损失 为了提高保持力 就要提 高氧化物和 IPD 的质量 保持力可以测量浮栅放电的时间来进行评估 当电荷损失发生时 Vt 电压漂移 会遵循下式 8 其中 dQFG CFG 和 dVT分别代表浮栅电荷损失 浮栅电容 浮栅电压漂移 等式 9 显示了了电子损失的数量 而 10 式则显示了电子损失数量与漏电流和 保持时间的相关性 9 10 对于 Cgf 为 30fF Vt 漂移为 3V 电子损失数为 5 6x105时 表 1 显示了保持 时间 以及漏电流 Leakage Current ILeakage A Retention Time dt Years 1x10 200 28 5x10 210 56 1x10 212 84 5x10 225 68 2 85x10 2210 表 1 保持时间与漏电流的关系 从此表可以看出 在漏电流为 2 85x10 22 A 时 NVM 产生 3V 的阈值电压漂移 需要 10 年 3 存储干扰 广泛使用的非易失性存储器要求数据保持力在 10 年以上 当编程或擦除过程 中出现干扰的时候 存储单元所遭受的应力会有所上升 四个最主要的存储单 元干扰分别是 DC 电压擦除 DC 编程 编程干扰 读干扰 在编程过程中 DC 编程和编程干扰都会对存储单元产生影响 而 DC 擦除操作也有可能会干 扰存储单元 最后 当存储单元还未确定存储单元的逻辑值时 读操作也会对 存储单元产生影响 这种影响称之为读干扰 如图 16 显示了显示了存储阵列 的原理图和存储单元的干扰 图 16 干扰下的存储阵列原理图 在上图中 存储阵列通过列线连接到每个单元的漏极 COL 1 COL 2 and COL 3 这些线代表位线 是用来选择或者反选存储单元 存储阵列也有组线连接 到控制极 ROW 0 and ROW 1 这些代表字线 也是用来选择或者反选存 储单元的 从之前的热电子注射讨论中可以看出 位线和字线必须都加上电压 存储单元才能被编程 如果其中某一条没有上上 则热电子并不会被注入 那么四种存储干扰有 1 DC 擦除 这种干扰发生在存储单元已经编程的时候 Cell A 当 COL 2 和 ROW 1 交叉的单元被编程的时候 这些已经编程的单元也在同一条字线上 ROW 1 在 编程过程中 ROW1 上的电压会被提高到 15V 由于 IPD 上的电压 会产生很强的电场强 度 有可能引起导致电子从浮栅中传导到基层中去 这些电荷损失 以及随之而来的编程 阈值电压的降低 有可能引起严重的数据损失 2 DC 编程 正如刚才所提到的状况一样 当存储单元没有被编程的时或者刚刚被擦除 过的时候 Cell B 这些没有编程的单元也与正要编程的单元 COL 2 ROW 1 也在同一条 字线上 ROW 1 这时未编程单元的浮栅上只有很少的电子 和很低的阈值电压 Vt 当 ROW1 升高到 15V 的时候 横跨沟通层介质的电强强度有可能强到使电子产生隧道效应 从而电子会从基层进入到浮栅中去 进而增加阈值电压 Vt 这样的话 这个并不想要编程 的单元就被编程了 这种情况称之为软写 3 编程干扰 情况如上 当一个已经编程的单元 Cell C 与将要编程的单元 COL 2 ROW 1 共用一条地址线 COL 2 时 这个单元也会在浮栅和漏极之间产生强的电场强度 这可能 引发隧道效应 使电子从浮栅中跑到漏极去 遂减少阈值电压 Vt 4 读干扰 当一个已经擦除过数据的单元 和一个正在读操作的单元共用一条字线的时 候 有可能发生读干扰 读操作会使这条共用的字线处于 5V 的电压之下 而此单元的漏 极电压在 1V 左右 而未选择的那个单元它的源极 漏极与选择单元一样 而基极电压为 0V 六 结论 NVM 概论是从非易失性存储器的背景及 NVM 工业所使用的技术开始介绍的 NVM 编程通用的两种方法 热电子注入以及隧道效应 在隧道效应中 氧化层 的厚度必须小于 12nm 而在热电子注入的情况下 这个厚度并没有严格界定 用来擦除数据的两种方法是 UV 照射和隧道效应 UV 照射一般用于 EPROM 而隧道效应一般用于 EEPROM 和 Flash EEPROM 后两种器件氧 化层厚度必须小于 12nm 相比隧道效应 UV 照射所用的时候更长 一般的 UV 擦除时间为 10 分钟 而隧道效应擦除为 1ms 到 10ms 之间 根据施加电压 的不同而不同 最快的编程方法是热电子注入法 一般只需要 100ms 为了更好的理解热电子 注入 我们介绍了幸运电子模式 这个模式介绍了如何评估不同事件下的工作 电流 尽管热电子注入的效率较低 但它的速度比较快 这得益于它较高的电 场强度 对于每个器件来说 可靠性都是必须要面对的问题 除了耐久力和保 持力 编程和擦除过程中的存储干扰也必须被考虑到 参考文献 略 附原文如下 附原文如下 A Nonvolatile Memory Overview By Jitu J Makwana Dr Dieter K Schroder E mail j makwana schroder asu edu This paper presents a basic nonvolatile memory NVM overview Section I begins with the introduction including a brief background of NVM s and the common terms used in the memory industry The description and explanation of how an NVM is programmed adding electrons using hot carrier injection is covered in section II Section III covers the erasing or removing of electrons from floating gates of NVM s A brief mechanism of Fowler Nordheim tunneling is covered Section IV introduces the model that can be used to predict the NVM programming characteristics The hot carrier injection model addressed is the Lucky Electron model Section V covers the reliability aspects of NVM s The common reliability issues an NVM encounters are the data retention endurance and disturbs I INTRODUCTION Memory can be split into two main categories volatile and nonvolatile Volatile memory loses any data as soon as the system is turned off it requires constant power to remain viable Most types of random access memory RAM fall into this category Nonvolatile memory does not lose its data when the system or device is turned off A nonvolatile memory NVM device is a MOS transistor that has a source a drain an access or a control gate and a floating gate It is structurally different from a standard MOSFET in its floating gate which is electrically isolated or floating Nonvolatile memories are subdivided into two main classes floating gate and charge trapping Kahng and Sze proposed the first floating gate device in 1967 1 In this memory electrons were transferred from the floating gate to the substrate by tunneling through a 3 nm thin silicon dioxide SiO2 layer Tunneling is the process by which an NVM can be either erased or programmed and is usually dominant in thin oxides of thicknesses less than 12 nm Storage of the charge on the floating gate allows the threshold voltage VT to be electrically altered between a low and a high value to represent logic 0 and 1 respectively In floating gate memory devices charge or data is stored in the floating gate and is retained when the power is removed All floating gate memories have the same generic cell structure They consist of a stacked gate MOS transistor as shown in figure 1 The first gate is the floating gate that is buried within the gate oxide and the inter polysilicon dielectric IPD beneath the control gate The IPD isolates the floating gate and can be oxide or oxide nitride oxide ONO The SiO2 dielectric surrounding the transistor serves as a protective layer from scratches and defects The second gate is the control gate which is the external gate of the memory transistor Floating gate devices are typically used in EPROM Electrically Programmable Read Only Memory and EEPROM s Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory Figure 1 A typical floating gate memory structure Charge trapping devices were invented in 1967 2 and were the first electrically alterable semiconductor devices In charge trapping memory devices charge or data is stored in the discrete nitride traps and is also retained when the power is removed Charge trapping devices are typically used in MNOS Metal Nitride Oxide Silicon 3 4 SNOS Silicon Nitride Oxide Semiconductor 5 and SONOS Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor 6 Figure 2 shows a typical MNOS charge trapping memory structure Figure 2 An MNOS memory cell structure The charges in MNOS memories are injected from the channel region into the nitride by quantum mechanical tunneling through an ultra thin oxide UTO which is typically 1 5 3 nm The first EPROM a floating gate device was developed using a heavily doped polysilicon poly Si as the floating gate material known as the floating gate avalanche injection MOS memory FAMOS 7 The gate oxide thickness was of the order of 100 nm to prevent weak spot or shorting path between the floating gate and the substrate Charging of the EPROM was achieved by biasing the drain junction to avalanche breakdown where the electrons in the avalanche plasma were injected from the drain region into the floating gate The FAMOS could only be erased by ultraviolet UV or x ray The EPROM was perceived as a tool for system prototyping before a design was committed to Read Only Memory ROM Today one can obtain EPROM s in either a ceramic package with a quartz window that allows for UV exposure or a plastic package without a quartz window These memories are known as one time programmable OTP EPROM s OTP s are inexpensive however additional testing after assembly is not possible EPROM s in ceramic packages with a quartz window are expensive but do allow additional testing since the memory can be erased using UV light Although the 1970 s saw the UV erasable electrically programmable memories become commercially successful there was an ever present attraction toward making the EPROM s electrically erasable EEPROM H Iizuka et al 8 proposed the first electrical erasing NVM known as the stacked gate avalanche injection MOS SAMOS memory SAMOS memory consisted of double poly Si gates with an external control gate The external control gate made electrical erasability possible and as a result improved the erasing efficiency The EEPROM s basic approach with electrical means of restoring the charged floating gate to its original uncharged status replaced UV emission approach Cheaper packaging and a greater ease of use were the first advantages of EEPROM s over their UV erasable counterparts The disadvantage of EEPROM s was the cell size that was two to three times the size of an EPROM cell that resulted in a larger die size EEPROM cells consist of two transistors one a floating gate transistor and the other a select gate transistor as shown in figure 3 The select gate transistor is used to select or deselect floating gate transistors for programming or erasing Die size was further increased to incorporate error correction circuitry or redundancy circuits Figure 3 An EEPROM with select gate transistor During the 1980 s a novel nonvolatile memory product was introduced referred to as Flash EEPROM 9 The first products were merely the result of adapting EPROM s in such a way that the cell could be erased electrically as well These devices used hot electron injection for programming and tunneling for erasing This new genre of Flash EEPROM s could not be erased by bytes but could only be erased by the entire chip or large sections of the chip Since the need to erase by bytes as in EEPROM s was no longer needed in Flash EEPROM s the select transistor was removed from the cell structure Thus the Flash EEPROM s were two to three times smaller than earlier EEPROM cells The generic cell structure of a Flash EEPROM is similar to a generic cell structure shown in figure 1 Below is a nomenclature or a list of memory terms not exhaustive used in the literature industry and education fields Bit The basic unit of memory 1 or 0 Byte A group of 8 bits Cell The physical semiconductor structure that stores one bit of data Array Repetition of memory cell in a two dimensional matrix RAM Random access memory is fast temporary storage for your computer ROM Read only memory is fast permanent storage for your computer Program The operation of adding or removing electrons from the storage medium of a memory cell Sometimes called Write Charge is altered in the storage medium and thus the threshold voltage Erase The operation of adding or removing electrons from the storage medium of a memory cell Charge is altered in the storage medium and thus the threshold voltage Floating gate 1st Polysilicon or discrete nitride traps Read The process of determining the state of the bit cell Endurance Write erase cycles a memory can endure before failure typical guarantee is 10 K cycles Injection Common terms HCI Hot carrier Injection HEI Hot electron Injection CHEI Channel Hot electron Injection Process of adding charge using high fields Tunneling Process of adding removing charge but does not require high fields Gate oxides are thin 12 nm Data Retention Typically a time value pertaining to a memory cell s ability to retain data Disturb Charge gain or loss in a memory cell gate disturb read disturb program disturb etc EPROM Electrically programmable read only memory EEPROM Electrically programmable and erasable read only memory Flash Term used to describe erasing of a memory in large sections II BASIC PROGRAMMING MECHANISMS