同济大学模拟电子技术期末试卷(二)_第1页
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文档简介

同济大学模拟电子技术期中试卷前六章基础内容一、选择题。 （每题3分，共36分）1.在本征半导体中，电子浓度_空穴浓度。A.大于 B.小于 C.等于 D.不定2.使用万用表直流电压挡,测的电路中晶体管各极相对于某一参考点的电位如图2所示,从而可判断出该晶体管工作在_。A.饱和状态. B.放大状态 C.截止状态 D.倒置状态3.共模抑制比是_之比.A差模输入信号与共模输入信号B输出量中差模成分与共模成分C差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)D交流放大倍数与直流放大倍数(绝对值)4.差动放大电路的主要优点是 。A、稳定的放大性能 B、较高的输入电阻C、能有效地抑制零点漂移 D、有稳定地静态工作点5.稳压管的稳压区是工作在_。A正向导通区 B反向截止区 C反向击穿区6.二极管两端地反向偏置电压增高时，在达到 _电压以前，通过的电流很小。A击穿 B最大 C短路7.如图所示电流放大电路的输出端直接与输入端相连，则输出电阻Ri _。AR1 B（1+）R1 CR1/ 1+ DR1/ 8.变容二极管在电路中使用时，其PN结是_。A正向运用 B反向运用9.当晶体管工作在放大区时，_。A发射结和集电结均反偏； B发射结正偏，集电结反偏；C发射结和集电结均正偏。10.在非线性失真中，饱和失真也称为（ ）A顶部失真 B底部失真 C双向失真11简单地把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起_形成PN结。A能够 B不能 C不一定 12.当二极管两端正向偏置电压大于_电压时，二极管才能导通。A击穿 B饱和 C门槛二、填空题。 （每空2分，共12分）1.写出下列正弦波电压信号的表达式：A.峰峰值10V，频率10kHz ( )B.均方根值220V，频率50Hz ( )C.峰峰值100mV，周期1ms（ ）D.峰峰值0.25V，角频率1000rad/s( )2.一电压放大电路输出端接1k负载电阻时，输出电压为1V，负载电阻断开时，输出电压上升到1.1V。则该放大电路的输出电阻R。为（ ）。3.共模信号是指大小相等，极性（ ）的信号。三、两只处于放大状态的三极管，测得、脚对地电位分别为-8V、-3V、-3.2V和3V、12V、3.7V，试判断管脚名称，并说明是PNP型管还是NPN型管，是硅管还是锗管？ （6分）四、如图所示的电路中，已知ui=30sintV，二极管的正向压降可忽略不计，试画出输出电压的波形。（5分）五、电路如图所示，已知VCC=VEE=15V.晶体管T1,T2的100,rbb=200RC=RL=6k,RE=7.2k1.估算T1,T2管的静态工作点ICQ,VCEQ （5分）2.计算AVD=VO/(Vi1-Vi2),Rid,Rod （8分）六、FET恒流源电路如图，设已知管子的参数、，试证明AB两端的小信号电阻。（8分）七、图中RS、Re、Rb1、Rb2、RC、RL、VCC均已知；求：IC、IB、VCB （8分）八、已知某放大电路电压增益的频率特性表达式为 (
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