线性电子电路试题.doc

浙江省2003年4月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码：02340一、填空题(每空1分，共20分)1.利用晶体二极管的_和_特性，可以构成整流、稳压、限幅等各种功能电路。2.半导体中，由浓度差引起非平衡载流子运动，形成_电流，由外加电场引起载流子运动形成_电流。3.已知某晶体三极管的VBE=0.7V,VCE=1.0V,则该管工作在区，由_材料制造。4.晶体管工作在放大状态时，其发射结的结电容主要是_电容，集电结的结电容主要是_电容。5.通常将反型层称为增强型MOS管的源区和漏区之间的_沟道，其中由_形成的沟道称为N沟道。6.场效应管工作在非饱和区时，其ID和VDS之间呈_关系，故又称该区为_。7.在晶体管放大器中，即能放大电压也能放大电流的是_组态放大电路；可以放大电压但不能放大电流的是_组态放大电路。8.放大电路的失真分为_和_两大类。9.放大电路中，引入直流负反馈的作用是_，引入交流负反馈的目的是改善放大器的_。10.深度负反馈条件是_，此时反馈放大器的增益近似等于_。二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共20分)1.当PN结外加正向电压时，扩散电流( )漂移电流。A.大于 B.小于 C.等于 D.近似等于2.当P型半导体和N型半导体相接触时，在P型和N型半导体交界处，形成一个区域，下列的哪种名称不能描述该区域?( )A.阻挡层 B.耗尽层 C.空间电荷区 D.突变层3.有四个晶体三极管：已知它们的电流放大系数及穿透电流ICEO的值，使用时选用哪个更合适?( )A.=200,ICEO=10A B.=10,ICEO=0.1AC.=50,ICEO=0.1A D.=100,ICEO=10A4.常温下，某晶体三极管在ICQ=1mA处，rbe=1.6K，=50,则 等于( )。A.200 B.300 C.400 D.5005.某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自漏极流出，大小为8mA，则该管是( )。A.P沟道结型管 B.耗尽型PMOS管C.耗尽型NMOS管 D.增强型PMOS管6.场效应管工作在放大状态时，其静态工作点应设置在输出特性曲线的( )。A.非饱和区 B.饱和区 C.截止区 D.击穿区7.具有相同参数的相同放大电路的两级放大器，在组成它的各个单级放大器的截止频率处，总的电压放大倍数下降( )。A.3dB B.6dB C.20dB D.9dB8.集成运算放大器实质上是一种( )。A.交流放大器 B.高电压增益的交流放大器C.高电压增益的直接耦合放大器 D.高增益的高频放大器9.多级负反馈放大电路容易引起自激振荡的原因是( )。A.各级电路的参数很分散 B.回路增益| |大C.闭环增益大 D.放大器的级数少10.负反馈可以改善放大器的性能，下述哪种说法不准确?( )A.减少放大器增益 B.改变输入电阻 C.改变输出电阻 D.改善噪声系数三、简答题(每小题5分，共15分)1. 设二极管为理想，试判断图三(1)电路中，各二极管是否导通，并求VAO的值。2. 设图三(2)所示电路中三极管为硅管，=50，试通过估算判断它的静态工作点位于哪个区?3. 在图三(3)所示电路中，已知MOS管的,VGs(th)=1.0V,试求IDQ,VGSQ,VDSQ的值。四、分析计算题(每小题9分，共45分)1.放大器电路如图四(1)所示，已知场效应管的gm=2ms,rds忽略不计，所有电容对交流呈短路。求：(1)电压放大倍数Av；(2)输入电阻Ri和输出电阻Ro；(3)只考虑CD的影响，求低端转折频率fL的值。2.差动放大电路如图四(2)所示，已知IEE=1mA，所有管子特性相同，=100,=0,|VA|=100V，求：(1)差模输入电阻Rid和差模输出电阻Rod；(2)差模电压放大倍数Ad=o/(i1-i2)；(3)由T3管构成的恒流源的等效内阻ro3.3.电路如图四(3)所示。(1)采用01输出时，该电路属于何种类型与极性的反馈放大电路?(2)采用02输出时，该电路属于何种类型与极性的反馈放大电路?(3)假设为深度负反馈，试求第2种情况下的电压增益Af=o2/i.4.运放电路如图四(4)所示，各运放均为理想，试求(1)03和o(t)及02和03的关系；(2)写出o(t)和s(t)之间的关系式。5 电路如图四(5)所示，所有运放均为理想且最大输出电压为12V，设i1=i2=0V时，o=+12V(1)当i1=-10V，i2=0V时，经过多少时间，o由+12V跳变为-12V?(2)o变成-12V后，i2由0V变为+15V，求再经过多少时间，o由-12V跳变为+12V?(3)说明A1、A2各为什么单元电路。浙江省2003年7月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码：02340一、填空题(每小题2分，共20分)1.杂质半导体中的多数载流子是由_产生的，少数载流子是由_产生的。2.一般而言，击穿电压在6V以下的属于_击穿，6V以上的主要是_击穿。3.三极管工作在放大区时，各电极之间的电流关系是IC=_IB，IE=_IC.4.根据外加电压的不同，晶体三极管的输出特性曲线族可划分为放大区、区、饱和区和_区。5.已知场效应管VGS(th)=4V，当VGS=6V时，ID=1mA，试写出饱和区转移特性的表达式ID=_，当VGS=3V时，ID=_。6.在JFET中，沟道的导电能力受VGS和VDS的控制与MOS管类似，不同的是这种控制是通过改变PN结_中的_来实现的。7.放大器中的线性失真可分为_失真和_失真两类。8.直接耦合放大电路中因温度变化引起的漂移称为_。采用电容耦合方式是否存在这种现象?_。9.若希望减小放大电路从信号源索取的电流，则可采用_负反馈；若希望负载变化时输出电压稳定，则应引入_负反馈。10.若引入反馈减弱了输入信号的作用，使放大倍数_，这样的反馈称为_。二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共20分)1.当PN结反向工作时，其结电容主要是( )。 A.势垒电容 B.扩散电容 C.平板电容 D.势垒和扩散电容并存2.温度升高时，晶体二极管的VD(on)将( )。 A.增大 B.减小 C.不变 D.近似不变3.晶体管的混合型等效电路模型在下列哪种情况下才能应用?( ) A.小信号，管子处在饱和区 B.大信号，管子处在放大区 C.小信号，管子处在放大区 D.大信号，管子处在饱和区4.某晶体三极管的iB从20A变化到40A时，对应的iC从2mA变化到5mA，则该管的等于( )。 A.100 B.150 C.200 D.3005.P沟道增强型MOS管工作在饱和区的条件是( )。 A.VGSVGS(th),VDSVGS-VGS(th) B.VGSV GS(th),VDSVGS-VGS(th) C.VGSVGS-VGS(th) D.VGSVGS(th),VDSVGS(th), VDSVGS-VGS(th)B. VGSVGS(th), VDSVGS-VGS(th)C. VGSVGS-VGS(th)D. VGSVGS(th), VDS i B. f i C. f0,VCB0B. VBE0,VCB0C. VBE0D. VBE0,VCB1,|VBE(on)|=0.7V,求Ic1,Vc1和Ic2的值。3.图三(3)所示为某场效应管的转移特性，请说明其属于何沟道、何种类型?并指出它的VGS(th)或VGS(off)等于何值?(图中iD的假定正向为流进漏极)四、分析计算题(每小题9分，共45分)1.放大电路如图四(1)所示，已知ICQ=1mA,=100,rbb=0,|VA|=，电容对交流短路，试求：(1)输入电阻Ri和输出电阻Ro；(2)电压增益Av和源电压增益Avs。2.差分放大电路如图四(2)所示，已知T1,T2参数对称，=100,rbb=0，I=2mA求：(1)T1的静态工作点(ICQ1、VCQ1)； (2)差模电压增益Avd的值；(3)共模抑制比KCMR的值。3.反馈放大电路的交流通路如图四(3)所示，试：(1)判别级间反馈的类型；(2)设电路满足深度负反馈条件，计算电压增益Avf=vo/vi4.电路如图四(4)所示，运放A是理想的，已知R2=5k，R3=1k，C1=47F，R1=0.83k(1)若输入为中频正弦交流信号，求中频增益Avi=vo/vi的值；(2)电路的下限截止频率fL=?5.电路如图四(5)所示，图中二极管和运放均为理想，试通过分析，绘出vovi的关系曲线，要求写出分析过程。浙江省2005年4月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码：02340一、填空题(每小题2分，共20分)1.P型半导体中多数载流子为_，少数载流子为_。2.PN结的反向击穿有_和_两种击穿。3.三极管工作在饱和状态时，其发射结_，集电结_。4.当某三极管VBE=0.7V，VCE=0.3V，则该管工作在_区，集电极电流和基极电流关系是_。5.场效应管的导电过程仅仅取决于_载流子的运动；因而它又称做_器件。6.在场效应管放大电路中，就VGS而言，_型MOS管是单极性的，而_型MOS管可以是双极性的。7.放大器的失真分为_失真和_失真两大类。8.在相同条件下，阻容耦合放大电路的零点漂移_，而直接耦合放大电路的零点漂移_。9.共发射极放大电路输出电压Uo与输入电压Ui的相位关系是_，共基极放大电路输出电压Uo与输入电压Ui的相位关系是_。10.设计一个负反馈放大电路，要使输入电阻增大应引入_型负反馈，若要稳定输出电压应引入_型负反馈。二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共20分)1.杂质半导体中少数载流子浓度( )。A.只与温度有关 B.取决于掺杂浓度，几乎与温度无关C.与温度无关 D.与掺杂浓度和温度都无关2.判别晶体管是否工作在饱和状态，最简单的是测量( )。A.IB B.VCEC.VBE D.IC3.若三极管的发射极电流为1mA，基极电流为20A，则集电极电流为( )mA。A.0.98 B.1.02C.1.2 D.0.84.场效应管是( )器件。A.电流控制电流 B.电流控制电压C.电压控制电流 D.电压控制电压5.在差动式放大电路中，共模输入信号等于两个输入端信号的( )。A.和值 B.差值C.平均值 D.乘积值6.由PNP管组成的共射放大电路，若测得VCEQ=-VCC,-VCC为电源电压，则可判断该三极管处于( )。A.放大状态 B.饱和状态C.截止状态 D.击穿状态7.希望放大器具有大的输入电阻和稳定的输出电流，应引入( )负反馈。A.电压串联 B.电压并联C.电流串联 D.电流并联8.共集电极电路信号从( )。A.基极输入，集电极输出 B.发射极输入，集电极输出C.基极输入，发射极输出 D.发射极输入，基极输出9.集成运算放大电路的输入级通常采用( )电路。A.共集电极放大 B.共发射极放大C.差动放大 D.共基极放大三、简答题(每小题5分，共15分)1.试分析图三(1)所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。2.电路如图三(2)所示，已知MOS管的nCox()=250A/V2,VGs(th)=2.0V,试求ID,VGS,VDS的值。3.图三(3)所示为某场效应管的转移特性，请说明其属于何沟道、何种类型?并指出它的VGS(th)或VGS(off)等于何值?(图中iD的假定正向为流进漏极)四、分析计算题(每小题9分，共45分)1.电路如图四(1)所示，晶体管的80，rbe=1k。（1）求出Q点；（2）分别求出RL和RL3k时电路的和Ri；（3）求出Ro。2.放大电路如图四(2)所示，T1管和T2管的均为40，rbe均为3k。试问：若输入直流信号uI1=20mv，uI2=10mv，则电路的共模输入电压uIC=？差模输入电压uId=？输出动态电压uo=?3.放大电路如图四(3)。要求：（1）指出级间反馈支路，判断其反馈类型；（2）按深度负反馈估算其闭环放大倍数；（3）说明输入电阻和输出电阻的变化趋势。4.电路如图四(4)所示，设图示电路中的运算放大器为理想的，电阻阻值在图中已标出。试写出Uo/Ui=?浙江省2006年4月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码：02340一、填空题(本大题共10小题，每空1分，共20分)请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。1.N型半导体中多数载流子为_，少数载流子为_。2.PN结反偏，内电场增强，空间电荷区变宽，_运动减弱，_运动加强，PN结截止，电阻大。3.为保证三极管工作在放大状态UC、UB、UE之间的关系是：对NPN型：_；对PNP型：_。4.当某三极管VBE=-0.7V，VCE=-0.3V，则该管工作在_区，是由_材料制造的。5.场效应管从结构上分成_和_两种类型。6. _沟道结型场效应管的夹断电压VGS（off）为正，_沟道结型场效应管的夹断电压VGS（off）为负。7.多级放大电路连接（耦合）的两个主要方式是_连接和_连接。8.共漏极放大电路具有输入电阻_输出电阻_的特点。9.集成运算放大器的两个输入端是_输入端和_输入端。10.为了减小放大电路的输出电阻，应引入_负反馈，为了增大放大电路的输入电阻，应引入_负反馈。二、单项选择题(本大题共10小题，每小题2分，共20分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。1.稳压管的稳压区是其工作在（）A.正向导通B.反向截止C.齐纳击穿D.雪崩击穿2.某晶体三极管的iB从30A变化到50A时，对应的iC从2mA变化到6mA，则该管的等于（）A.100B.120C.200D.3003.晶体三极管的反向电流ICBO是由_运动形成的。（）A.多数载流子B.少数载流子C.扩散D.少数载流子和多数载流子共同4.对于放大电路，所谓开环是指（）A.无信号源B.无反馈通路C.无电源D.无负载5.场效应管是一种（）A.双极型器件B.电流控制器件C.单极型器件D.多子工作的器件6.当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏D.前者反偏、后者正偏7.晶体管的混合型等效电路模型中的rbb是（）A.发射结电阻B.基区体电阻C.集电结电阻D.集电区体电阻8.由集成运放组成的反相加法运算电路，组成何种类式的负反馈电路?（）A.电压串联B.电压并联C.电流串联D.电流并联9.在输入量不变的情况下，若引入反馈后_，则说明引入的反馈是负反馈。（）A.输入电阻增大B.输出量增大C.