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文档简介

电子技术 课堂小结 三极管的结构特点 三极 三区 二极三极管的基本特征 具有电流放大作用 三极管具有电流放大作用的两个工作条件 内部条件 三个区的特殊工艺结构 外部条件 发射结正偏 集点结反偏 即 NPN型三极管 Vc Vb VePNP型三极管 Vc Vb Ve 电流分配关系 IE IC IBIC IB一个重要数据 UBE 0 7V或0 3V 电子技术 1 三极管是一种电流控制器件 满足内部条件和外部条件时 具有电流放大作用 2 电流放大作用主要体现在 在基极引入小电流 在集电极就会得到大电流 IC IB3 三极管各极电压 电流之间的关系可以用三极管的输入 输出特性曲线来描述 回忆 二极管的伏安特性 三极管在电路中的三种组态 4 特性曲线 IC V UCE UBE RB IB EC EB 实验线路 5 输入特性 是指当UCE为某一定值时 发射结电压uBE和基极电流iB之间的关系 1 UCE 0时 输入特性曲线与二极管的正向伏安特性曲线相似 存在死区电压UON 开启电压 硅管0 5V 锗管0 1V 当uBE UON时 基极才有电流产生 硅管的导通电压0 7V 锗管为0 3V 2 UCE增大时 输入特性曲线右移 3 当UCE 1V时 曲线不再明显右移而基本重合 一 共发射极输入特性曲线 6 二 共发射极输出特性曲线 输出特性是指在基极电流IB为一常量的情况下 三极管的集电极ic与管压降uCE之间的关系 现在我们所见的是共射输出特性曲线表示以IB为参变量时 Ic和UCE间的关系 即Ic f UCE IB 常数实测的输出特性曲线如图所示 根据外加电压的不同 整个曲线可划分为四个区 放大区 截止区 饱和区 击穿区 7 二 输出特性 IC mA 放大区 发射结正偏 集电结反偏 uBE Uon 且uCE uBE当UCE大于一定的数值时 IC只与IB有关 IC IB 8 饱和区 发射结正偏 集电结正偏 uBE Uon 且uCEIC UCE UCES 0 3V 0 1V 9 截止区 IB 0以下的区域 uBE Uon 且uCE Ube IB 0 IC ICEO 0 10 输出特性曲线簇 当UCE增大到一定值时 集电结就会发生反向击穿 造成集电极电流Ic剧增 这一特性表现在输出特性图上则为击穿区域 11 输出特性三个区域的特点 放大区 发射结正偏 集电结反偏 即 IC IB 且 IC IB 2 饱和区 发射结正偏 集电结正偏 即
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