最新电大《光伏电池材料》形考作业任务01-04网考试题及答案.doc

最新电大光伏电池材料形考作业任务01-04网考试题及答案100%通过考试说明：光伏电池材料形考共有4个任务。任务1至任务4是客观题，任务1至任务4需在考试中多次抽取试卷，直到出现01任务_0001、02任务_0001、03任务_0001、04任务_0001试卷，就可以按照该套试卷答案答题。做考题时，利用本文档中的查找工具，把考题中的关键字输到查找工具的查找内容框内，就可迅速查找到该题答案。本文库还有其他教学考一体化答案，敬请查看。01任务01任务_0001一、单项选择题（共10道试题，共20分。）1.关于四氯化硅以下说法错误的是（）A.无色而有刺鼻气味的液体B.熔点-70，沸点57.6C.可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用D.不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂2.观察晶体中位错最简单的方法是（）。A.浸蚀观察法B.透射电镜法C.手触感觉法D.肉眼观察法3.室温一个大气压下，液态水的自由度为（）。A.1B.2C.3D.04.西门子法作为硅的提纯工艺，所用的原料主要是（）A.99.9999%（6个9）的为太阳能级硅B.99.999999999%（11个9）的为电子级硅C.95%-99%的冶金级硅D.P型硅半导体5.二元相图通常采用（）的坐标系。A.温度-压力（T-p）图B.温度-浓度（T-x）图C.三棱柱模型D.压强-浓度（p-x）图6.关于硅单质说法错误的是（）。A.原子晶体，是深灰色而带有金属光泽的晶体B.熔点为1420，沸点为2355C.在常压下具有金刚石型结构D.具有类似金属的塑性7.以下（）不是自然界中的硅同位素。A.28SiB.29SiC.30SiD.32Si8.关于二氧化硅以下说法错误的是（）A.制造冶金硅的主要原料之一B.能与HF反应C.SiO2不溶于水，但能于热的浓碱溶液反应生成硅酸盐，反应较快D.石英是地壳中分布很少的矿物9.杂质原子与基体原子尺寸相当，容易形成（）A.空位B.置换原子C.间隙原子D.位错10.关于位错密度说法错误的是（）。A.是单位体积晶体中所包含的位错线总长度B.也可理解为穿越单位截面积的位错线的数目C.位错密度大或小，相应材料的力学性能均较佳D.通常情况下制得位错密度较小的材料二、判断题（共10道试题，共20分。）1.在绝对温度零度和无外界激发的条件下，硅晶体没有自由电子存在，完全不导电。A.错误B.正确2.可很方便制备得到位错很少的多晶硅片。A.错误B.正确3.硅晶体的半导体性源于共价键。A.错误B.正确4.点缺陷的平衡浓度随温度升高呈指数关系增加。A.错误B.正确5.硅在地壳中的丰度为25.90%，仅次于氧，硅的含量在所有元素中居第二位。A.错误B.正确6.柏氏矢量说明了畸变发生在什么晶向，是一个没有大小的量。A.错误B.正确7.内能是随缺陷增加而增加的，所以空位越多越不稳定。A.错误B.正确8.硅烷就是甲硅烷。A.错误B.正确9.硅是通过自由电子导电的，所以载流子就是自由电子。A.错误B.正确10.刃型位错和螺型位错的判断可以通过晶体发生局部滑移的方向是与位错线垂直还是平行来区分。A.错误B.正确三、连线题（共10道试题，共30分。）1.将晶体的特性与解释一一对应。（1）各向异性A.晶体常具有沿某些确定方位的晶面劈裂的性质（2）长程有序B.粒子排列具有三维周期性、对称性（3）解理性C.在不同方向上，晶体的物理性质不同，如电阻率、导电性能、导热性能、介电常数、光的折射、弹性、硬度等（1）C（2）B（3）A2.将晶体结构与晶胞中原子数一一对应。（1）简单立方结构A.4（2）体心立方结构B.2（3）面心立方结构C.1（1）C（2）B（3）A3.将各种硅化合物与描述一一对应。（1）二氧化硅A.沸点31.5，室温下无色透明液体（2）三氯氢硅B.可以从河砂中水洗去掉粘土等杂质和进行筛分得到（3）四氯化硅C.在潮湿空气中与水蒸气发生水解作用会产生烟雾（1）B（2）A（3）C4.（1）A（2）B（3）C5.将硅材料与描述一一对应。（1）电子级硅A.99.9999%（2）冶金级硅B.99.999999999%（3）太阳能级硅C.95%-99%（1）B（2）C（3）A6.将晶体生长方式与实例一一对应。（1）固相生长A.水汽凝结为冰晶（2）液相生长B.盐水溶液结晶（3）汽相生长C.石墨在高温高压的条件下转变为金刚石（1）C（2）B（3）A7.将各种硅化合物与作用一一对应。（1）二氧化硅A.可作为西门子法提纯硅材料的中间产物（2）三氯氢硅B.制造冶金硅的主要原料之一（3）甲硅烷C.大量地用于制高纯硅，高温易热解（1）B（2）A（3）C8.将各类晶体缺陷与实例一一对应。（1）点缺陷A.位错（2）线缺陷B.空位（3）面缺陷C.相界（1）B（2）A（3）C9.将硅的用途与性质一一对应。（1）二极管A.通过掩蔽、光刻、扩散等工艺，可在一个或几个很小的硅晶片上集结成一个或几个完整的电路（2）集成电路B.可以把光能转化成电能（3）光电池C.制成晶体二极管后即能整流又能检波（1）C（2）A（3）B10.将各种硅化合物与熔沸点一一对应。（1）四氯化硅A.熔点-185，沸点-111.8（2）三氯氢硅B.熔点-70，沸点57.6（3）甲硅烷C.熔点-128，沸点31.5（1）B（2）C（3）A四、不定项选择题（共10道试题，共30分。）1.关于硅的电阻率说法错误的是（）。A.在高纯硅中掺入极微量的电活性杂质，其电阻率会显著下降B.硅的电导率对外界因素（如光、热、磁等）高度敏感C.N型半导体中也有自由电子，但数量很少，称为少数载流子D.N型半导体和P型半导体的导电能力都比本征半导体大得多2.关于石英说法错误的是（）。A.与晶体硅一样是原子晶体B.每个硅原子以SP3杂化形式同四个氧原子结合，形成SiO4四面体结构单元C.由一个个的简单SiO2分子组成D.石英砂开采、加工成本较低3.下列属于晶体的宏观特性的有（）A.长程有序B.固定熔点C.解理性D.各向异性4.金刚石结构的晶胞中原子数为（），配位数为（）。A.4、4B.8、4C.8、8D.12、45.两侧晶粒位向差为1的晶界属于（）。A.亚晶界B.小角度晶界C.大角度晶界D.刃位错6.不能用于区分晶体与非晶体的是（）A.原子排练是否有序B.是否具有确定的熔点C.密度的大小D.熔点的高低7.关于固溶体与中间相说法错误的是（）。A.某一组元作为溶剂，其他组元为溶质，所形成的与溶剂有相同晶体结构、晶格常数稍有变化的固相，称为固溶体B.形成的新相的晶体结构不同于任一组元，新形成的固相叫中间相C.固熔体一般具有较高的熔点及硬度D.Cu-Ni合金属于中间相8.关于临界晶核说法错误的是（）。A.当晶胚的尺寸小于临界晶核，晶胚不稳定，难以长大，最终熔化而消失B.晶胚的尺寸大于临界晶核，晶胚就成为稳定的晶核而后继续长大C.均匀形核与非均匀形核的临界晶核大小不同D.临界半径与过冷度T无关9.关于硅的卤化物说法错误的是（）。A.都是无色的B.都是共价化合物C.一般都是无毒的D.熔点、沸点都比较低10.解理面通常是晶面间距较大的晶面。在金刚石结构中，下面晶面的晶面间距最大的是（）。A.111B.100C.110D.12002任务02任务_0001一、单项选择题（共10道试题，共20分。）1.关于采用区域提纯法去除硅中硼杂的区域提纯杂质描述正确的是（）A.几乎无法效果去除B.效果一般完全去除C.取决于温度效果显著D.取决于硼的含量2.占据晶格间隙位置的杂质原子为（）。A.间隙杂质原子B.替位杂质原子C.本征点缺陷D.原生长缺陷3.在工业硅的生产炉中，温度在2000以上的部分，（）。A.只有熔炼过程中生成的SiCB.底下是SiC，其上面是产品工业硅C.全部都是产品工业硅D.以上皆不是4.生产直拉单晶硅生产时，单晶炉内需要通入（）作为保护气体炉体内通常是（）。A.常压的空气B.氧气低压的空气C.低压的氩气D.低压的氮气氢气5.太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是（）。A.空位B.杂质原子C.位错D.二次缺陷6.金刚石结构的晶体中位错滑移最容易产生的滑移面是（）。A.110面B.111面C.100面D.101面7.Dash工艺主要解决的是（）。A.加入转晶B.减少缺陷（位错）C.放肩D.热应力8.CZ法生长单晶硅工艺依次有加料、熔化以及（）。A.放肩生长、缩颈生长、等径生长、尾部生长B.等径生长、缩颈生长、放肩生长、尾部生长C.缩颈生长、放肩生长、等径生长、尾部生长D.缩颈生长、等径生长、放肩生长、尾部生长9.吸附时不发生任何化学变化，是（）。A.化学吸附B.不可逆过程C.物理吸附D.以上皆不是10.区熔法制备单晶硅时，需要（）。A.不需要坩埚B.需要一个石英坩埚用于溶化C.需要一个石英坩埚和一个石墨坩埚D.需要一个石墨坩埚二、不定项选择题（共10道试题，共30分。）1.关于对czCZ法和fzFZ法说法描述正确的是（）。A.生长时都需借助要采用籽晶B.熔化时都需要采用坩埚C.都需要采用真空气氛保护D.都需要使用缩颈工艺2.磷在硅中很容易去除，在于（）。A.磷在硅熔液中很快得到蒸发B.磷的密度小C.磷在硅中的分配系数小于1D.磷的熔点低3.无坩埚区域提纯（）。A.也可用于晶体生长B.避免了坩埚的污染C.熔硅不会流动是由于其很大的表面张力D.硅也能采用水平区域提纯法4.化学法提纯高纯多晶硅的工艺包括（）。A.中间化合物的合成B.中间化合物的分离提纯C.中间产物被还原或者是分解成高纯硅还原成高纯硅D.区域提纯5.关于完全互溶的A、B双组分的溶液与其混合蒸汽所组成的相图，说法正确的是（）。A.被两条曲线分为三个区域B.降温到液相线上，正好产生第一个气泡，故液相线又称为泡点曲线C.升温到气相线上，正好产生第一个气泡，故气相线又称为泡点曲线D.降温到液相线，产生第一个液滴，故液相线称为露点曲线6.关于晶转说法正确的是（）。A.晶体和坩埚的旋转方向相同，以改善热场的对称性B.吊索和晶体出现共振时效果最好C.过高的晶转会使固液界的形状太凹D.在某些晶转下，棱线或者小平面与直径的读取同步，引起直径的读值和拉速的大幅度跳动7.具有金刚石结构的的晶体中的解理面包括位错线的优先方向为（）。A.100晶向晶面族B.211211晶面族晶向C.111晶面族111晶向D.210晶向110晶面族8.直拉单晶炉的主室包括（）。A.石英坩埚B.石墨坩埚C.石墨加热器D.热绝缘筒和地盘9.工业吸附对于吸附剂的要求包括（）。A.具有较大的内表面，吸附容量大B.选择性高C.具有一定的机械强度，抗磨损D.有良好的物理及化学性能，耐热冲击，耐腐蚀10.以下对吸附描述正确的是升温和降压有助于（）。A.物理吸附的进行吸附是可逆的B.脱咐的进行物理吸附是不可逆的C.升温对于物理吸附影响很小化学吸附是可逆的D.化学吸附是不可逆的降压只是让水蒸气更容易挥发三、判断题（共10道试题，共20分。）1.FZ硅占领了85%以上的硅单晶市场。A.错误B.正确2.冶金法制备高纯多晶硅与改良西门子法相比，前者的成本更低，但是电耗更多。A.错误B.正确3.只通过湿法冶金技术来提纯硅材料，是很难将工业硅提纯到满足制作太阳能电池所需的要求。A.错误B.正确4.化学吸附是放热过程，而物理吸附是吸热过程。A.错误B.正确5.改良西门子法是一个闭路循环系统，多晶硅生产中的各种无聊得到充分的利用，排出的废料极少。A.错误B.正确6.改良西门子法能对产生的氢气、氯化氢、氯硅烷等副产物进行回收利用。A.错误B.正确7.硅是自然界分布最广泛的元素之一，是介于金属和非金属之间的半金属。A.错误B.正确8.分子筛具有极性，对非极性分子具有较强的亲和力。A.错误B.正确9.MCZ法磁致粘滞性控制了流体的运动，也减少了熔体的温度波动。A.错误B.正确10.改良西门子法的原料主要是硅石。A.错误B.正确四、连线题（共10道试题，共30分。）1.将化学反应与作用一一对应。（1）SiHCl3+H2Si+3HClA.中间产物的合成（2）Si+3HClSiHCl3+H2B.工业硅的合成（3）3SiO2+2SiC=Si+4SiO+2COC.中间产物的还原（1）C（2）A（3）B2.将元素及其在硅熔体中的分凝系数一一对应。（1）OA.1.25（2）CB.0.07（3）BC.0.8（1）A（2）B（3)C3.将Cz法中的设备与描述一一对应。（1）石英坩埚A.底部比较厚，以起到较好的绝热效果（2）石墨坩埚B.电阻会随着使用次数的增加而升高（3）石墨加热器C.纯度和耐热性能要求很搞（1）C（2）A（3）B4.将工业硅生产过程中的注意事项与作用一一对应。（1）保持适宜的SiO2与碳的分子比A.避免炉内过热造成硅的挥发或再氧化生成SiO（2）保证反应区有足够高的温度B.分解生成的SiC使反应向有利于生成硅的方向进行（3）及时捣炉，帮助沉料C.防止过多的SiC生成（1）C（2）B（3）A5.将氧的存在方式及其描述一一对应。（1）热施主A.热处理温度处于550850（2）新施主B.处理温度处于300500（3）氧沉淀C.适当的温度下进行热处理时会脱溶（1）B（2）A（3）C6.将FZ单晶硅中的杂质与描述一一对应。（1）OA.危害大（2）CB.浓度低，影响小（3）NC.增强机械性能（1）A（2）B（3）C7.将工艺与提纯方法一一对应。（1）硅烷法A.精馏（2）改良西门子法B.吸附（3）冶金C.物理提纯（1）B（2）A（3）C8.将Cz法中的工艺与描述一一对应。（1）缩颈生长A.减少位错（2）放肩生长B.硅片取材的部位（3）等径生长C.肩部夹角接近180，这样可以提高多晶硅的利用率（1）A（2）C（3）B9.将工业硅的应用与用量一一对应。（1）生产合金A.5%（2）有机硅B.40%（3）半导体器件和太阳能电池C.55%（1）C（2）B（3）A10.将吸附的设备与工艺一一对应。（1）流体和固体吸附剂置于同一容器内A.半连续操（2）固定吸附床B.连续操作（3）移动吸附器C.间歇操作（1）C（2）A（3）B03任务03任务_0001一、单项选择题（共10道试题，共20分。）1.硅片中磷扩散进行掺杂的原料是（）。A.PH3B.PH5C.POCl3D.B2O32.生产1kg铸造多晶硅所需的能耗是（）kWh。A.30B.1840C.815D.以上都不对3.最常用于测试半导体材料电阻率的方法是（）。A.扩展电阻法B.四探针法C.两探针法D.范德堡法4.一般制造一个重量为250300kg的铸造多晶硅锭需要（）时间。A.3545hB.2535hC.5565hD.1525h5.用于测试硅片中少数载流子类型的测试是（）。A.四探针法B.X射线法C.整流法D.显微镜观察法6.铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（）。A.布里奇曼法B.电磁铸锭法C.浇铸法D.热交换法7.电磁铸锭法说法错误的是（）。A.熔体与坩埚不直接接触B.电磁力对硅熔体的作用，可能使硅熔体中掺杂剂的分布更为均匀C.硅锭中晶粒较细小D.较少晶体缺陷8.硅的熔点约为（）。A.1200B.800C.2200D.14209.铸造多晶硅的晶粒的大小一般为（）。A.10cm左右B.1mm左右C.100m左右D.10mm左右10.单晶硅片的电阻率一般控制在（）。A.24cm左右B.0.52cm左右C.0.10.3cm左右D.13cm左右二、不定项选择题（共10道试题，共30分。）1.硅片清洗的作用是（）。A.提高绝缘性能B.去除边缘腐蚀时的油污、水气、灰尘C.降低杂质离子对P-N结性能的影响D.降低杂质的存在带来的硅片的电阻率不稳定2.以下哪些工艺是热交换法制备多晶硅必须的（）。A.化料B.晶体生长C.退火D.坩锅喷涂3.铸造多晶硅相对于直拉单晶硅的优点有（）。A.材料利用率高B.能耗小C.成本低D.转换效率高4.金属杂质的吸杂工艺一般包括（）。A.升温熔化金属杂质B.原金属沉淀的溶解C.金属原子的扩散D.金属杂质在吸杂点处的重新沉淀5.浇铸法的缺点在于（）。A.熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染B.有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂C.生产效率低D.能耗高6.多晶硅锭的低质量区杂质较多是由于（）。A.与坩埚接触部分引入了杂质B.晶粒尺寸较小C.晶体凝固的分凝作用D.热应力7.太阳电池用单晶硅的切片通常采用（）。A.外圆切割机B.内圆切割机C.线切割D.带式切割机8.按照硅的存在形式，可将硅基太阳电池分为（）。A.多晶硅太阳电池B.单晶硅太阳电池C.非晶硅太阳电池D.化合物太阳电池9.影响铸造多晶硅晶体生长的主要因素包括（）。A.固液界面B.热应力C.来自坩埚的污染等D.保护气氛10.铸造多晶硅的制备方法有（）。A.布里奇曼法B.热交换法C.电磁铸锭法D.浇铸法三、判断题（共10道试题，共20分。）1.目前的技术，大规模生产制造p型掺硼铸造多晶硅、掺镓的p型铸造多晶硅都是没有问题的。A.错误B.正确2.与高纯石英坩埚相比，高纯石墨坩埚的成本更低，但更可能引入碳污染和金属杂质污染。A.错误B.正确3.硅锭与坩埚壁接触的底部与四周都是晶粒较大的区域。A.错误B.正确4.通常晶体的生长速率越快，生产效率越高，但其温度梯度也越大，最终导致热应力越大，而高的热应力会导致高密度的位错，严重影响材料的质量。A.错误B.正确5.直流光电导衰退法可用于测量少子寿命，不需要接触硅片。A.错误B.正确6.影响铸造多晶硅晶体生长的主要因素是晶粒尺寸、固液界面、热应力、来自坩埚的污染等。A.错误B.正确7.多晶硅锭中晶粒越细小，晶界越少。A.错误B.正确8.浇铸法是很有应用前景的铸造多晶硅生产的新技术。A.错误B.正确9.热交换法的铸锭炉底部不需要水冷。A.错误B.正确10.纯净的晶界也具有电活性，会影响多晶硅的电学性能。A.错误B.正确四、连线题（共10道试题，共30分。）1.将化学反应与作用一一对应。（1）3Si+4HNO3=3SiO2+2H2O+4NOA.去除硅表面的致密保护膜（2）SiO2+6HF=H2SiF6+2H2OB.碱腐蚀（3）SiH2O+2NaOH=Na2SiO3+2H2C.酸腐蚀（1）A（2）C（3）B2.将制备方法与描述一一对应。（1）布里曼法A.坩埚需升降（2）热交换法B.固液界面比较平稳（3）浇铸法C.熔化和结晶在两个不同的坩埚中进行（1）A（2）B（3）C3.将测试方法与作用一一对应。（1）整流法A.少子寿命（2）四探针法B.电阻率（3）光电导衰退法C.导电型号（1）C（2）B（3）A4.将清洗时试剂与作用一一对应。（1）无机酸A.去除镁、铝、铜、银、金、氧化铝、氧化镁、二氧化硅等杂质（2）有机溶剂B.对一些难溶物质转化为易溶物质（3）过氧化氢C.相似相溶（1）A（2）C（3）B5.将各工艺与能耗一一对应。（1）区熔单晶硅A.815kWh/Kg（2）直拉单晶硅B.1840kWh/Kg（3）铸造多晶硅C.30kWh/Kg（1）C（2）B（3）A6.将吸杂工艺与描述一一对应。（1）磷吸杂A.去除磷硅玻璃，将其中的金属杂质一并去除（2）铝吸杂B.利用溅射、蒸发等技术制备一薄层，热处理合金化（3）磷-铝共吸杂C.除杂效果最佳（1）A（2）C（3）B7.将硅片参数与作用一一对应。（1）BOWA.弯曲度（2）TTVB.平整度的一种量度（3）TIRC.总厚度偏差（1）A（2）C（3）B8.将各种硅生产工艺与特点一一对应。（1）mc-SiA.生产成本最高（2）cz-SiB.对硅料的要求一般（3）fz-SiC.转换效率一般最低（1）C（2）B（3）A9.将硅中的各种元素与影响一一对应。（1）BA.危害较大（2）OB.有钝化效果（3）HC.特意加入，形成掺杂（1）C（2）A（3）B10.将抛光工艺与描述一一对应。（1）机械抛光法A.现代半导体工业中普遍应用（2）化学抛光法B.采用细磨料颗料（3）化学机械抛光法C.硝酸与氢氟酸混合腐蚀液（1）B（2）C（3）A04任务04任务_0001一、单项选择题（共10道试题，共20分。）1.铜铟镓硒薄膜太阳电池最高转换效率的记录（）。A.25%B.10.1%C.19.4%D.16.7%2.二氧化钛的几种晶体结构中最适合用于太阳电池的是（）。A.金红石B.锐钛矿C.板钛矿D.都差不多3.非晶硅的PIN结构的P部分是采用（）形成的。A.PH3加BH3B.SiH4加PH3C.SiH4加B2H6D.SiH4加BH34.非晶硅的禁带宽度为（）。A.1.5eV，并且在一定程度上可调B.1.12eVC.1.6eVD.2.12eV5.关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（）。A.高的比表面积和大量的孔隙B.尽可能多的吸附染料C.晶粒越大越好D.最大限度的与电解质紧密接触6.非晶硅太阳电池的转换效率约为（）。A.5B.20C.15D.107.非晶硅薄膜的厚度约为（）。A.数百微米B.数百纳米C.数十毫米D.数十微米8.锐钛矿相二氧化钛晶体的禁带宽度为（）。A.2.2eVB.2.8eVC.3.0eVD.3.2eV9.以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（）。A.非晶硅薄膜B.多晶硅C.铜铟镓硒D.微晶硅薄膜10.铟储量最多的国家是（）。A.中国B.日本C.美国D.俄罗斯二、不定项选择题（共10道试题，共30分。）1.旋涂成膜存在的问题有（）。A.溶解性B.挥发性C.溶剂残留D.薄膜的均匀性难以保证2.化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜的方法有（）。A.等离子增强化学气相沉积B.低压化学气相沉积制备多晶硅C.热丝化学气相沉积制备多晶硅D.非晶硅晶化制备多晶硅薄膜3.辉光放电系统中的I-V特性曲线可分为（）阶段。A.汤森放电B.正常放电C.异常放电D.电弧放电4.可用于多孔纳米晶薄膜的材料有（）。A.TiO2B.ZnOC.SnO2D.Al2O35.常用的多晶硅薄膜的制备方法有（）。A.利用化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜B.非晶硅晶化制备C.将多晶硅片切薄D.对多晶硅片进行热处理6.关于D/A界面说法正确的是（）。A.电离电势（IP）较小的材料被称为电子施主，相当于无机半导体中的N型材料B.具有大电子亲和能（EA）的材料被称为作电子受主，相当于无机半导体中的P型材料C.类似于无机太阳电池中的PN结D.D/A界面处D型材料和A型材料存在能级差7.有机太阳电池产生电流的流程（）。A.吸收光子B.产生激子C.电子空穴分离D.运输到D/A界面处8.关于光致衰减效应说法正确的是（）。A.简称S-W效应B.在长期辐照下，其光电导和暗电导同时下降，导致光电转换效率降低C.在150200热处理又可以恢复原来的状态D.铸造多晶硅没有光致衰减9.染料敏化太阳电池的基本结构包括（）。A.多孔纳米晶薄膜B.染料敏化剂C.电解质D.对电极10.有机太阳电池基本的结构模型有（）。A.PIN结构B.单层同异质结结构C.双层异质结结构D.单层混合膜异质结结构三、判断题（共10道试题，共20分。）1.有机太阳电池中电离电势（IP）较小的材料被称为电子施主（Donor，简称D型材料），相当于无机半导体中的P型材料。A.错误B.正确2.非晶硅太阳电池中也存在晶体硅太阳电池中一样的pn节结构。A.错误B.正确3.非晶硅太阳电池生产出来以后，转换效率不会随时间发生改变。A.错误B.正确4.高纯硅原料价格增加，对薄膜太阳电池的成本影响不大。A.错误B.正确5.苝衍生物是一种应用较多的光敏剂和A型材料，在450到600nm波段内具有较强的吸收，在光照条件下稳定性好，成本低。A.错误B.正确6.单晶硅与多晶硅的物理特性是各向异性，而非晶硅的物理特性是各向异性A.错误B.正确7.随着非晶硅中氢含量的增加，其能隙宽度从1.5eV可以增加到1.8eV。A.错误B.正确8.在150200热处理，可以使得因为S-W效应而效率降低的非晶硅太阳电池恢复原来的状态。A.错误B.正确9.PECVD技术即可用于非晶硅薄膜太阳电池的制备，也可用于多晶硅薄膜太阳电池的