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模拟电子技术期末复习题一、填空题1. 具有稳定的源电压增益，需要引入的反馈类型是 ；具有低的输入电阻和稳定的输出电流，需要引入的反馈类型是 ；具有高的输出电阻和输入电阻，需要引入的反馈类型是 ；具有稳定的输出电压和低的输入电阻，需要引入的反馈类型是 。2. 测量某硅型晶体管各电极对地的电压值如下，试判断管子工作在什么区域：a、VC=6V，VB=0.7V，VE=0V;b、VC=6V，VB=2V，VE=1.3V;c、VC=6V，VB=6V，VE=5.4V;d、VC=6V，VB=4V，VE=3.6V;e、VC=3.6V，VB=4V，VE=3.4V;3. 某放大电路开路输出电压为Vo，短路输出电流为Ios，则其输出电阻Ro为 。4. 在本征半导体中掺入 5 价元素，形成N型半导体，N型半导体中多数载流子是 电子 。5. 半导体三极管是基极电流控制输出电流的，所以属于 控制型器件，而场效应晶体管是通过栅极电压控制输出电流的，所以该管属于 控制型器件6. PN结加反向电压时，扩散电流 漂移电流，其耗尽层 。7. 图1所示为绝缘栅场效应管的转移特性曲线，说明该管子的类型为 。8. 在本征半导体中掺入 3 价元素，形成P型半导体，P型半导体中多数载流子是 。9. 半导体三极管有两种载流子参与导电，故半导体三极管又称 ，而场效应管只有一种载流子参与导电，故又称为 。10. PN结加正向电压时，扩散电流 漂移电流，其耗尽层 。11. 图1所示为绝缘栅场效应管的转移特性曲线，试说明该管子的类型为 。 12. 要得到一个由电流控制的电压源，那么应引入的反馈类型为 。13. 已知测得某三极管的三个电极电位分别为U1=6V，U2=14.3V，U3=15V，则该管是PNP型还是NPN型？ ；U2对应的电极为 。14PN结外加正向电压时其耗尽层 。15P型半导体中，自由电子的浓度 空穴的浓度。16工作在放大区的某三极管，当IB从20A增大到40A时，IC从1mA增大到2mA。那么它的约为 。17在晶体管的三种基本放大电路中，属于电压跟随的是 。18场效应管是通过改变输入 来控制输出电流的。19. 差动放大电路主要利用 来抑制零点漂移的。20. 在本征半导体中掺入微量的五价杂质元素形成 型半导体。21. 在晶体管组成的三种基本放大电路中，输入电压与输出电压极性相反的是 。22. 为提高放大电路的输入电阻，应引入 负反馈。23. 集成运算放大器应用于信号运算时，工作在 区域。24共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。25完全对称的长尾差动放大器中的Re对共模信号 反馈；对差模信号 反馈。26. 本征半导体对外 电性；P型半导体对外 电性；N型半导体对外 电性。27电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，简单比较器的输出状态发生 次跃变，滞回比较器的输出状态发生 次跃变。28三种基本放大电路中，输入电阻最大的是 放大电路；输出电压与输入电压相位相反的是 放大电路。29. 差分放大电路对差模信号有很强的 能力；对共模信号有很强的 能力。30. 教材中所有的课后习题。二、选择题1.PN结加正向电压时，空间电荷区将 。A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 不变2. 用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的 。A. 差模放大倍数数值增大 B. 抑制共模信号能力增强 C. 差模输入电阻增大 D. 共模输入电阻增大3. 集成运放制造工艺使得同类半导体管的 。A. 指标参数准确 B. 参数不受温度影响C. 参数一致性好 D. 参数一致性不好4. 低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。A. A. 耦合电容和旁路电容的存在 B. 半导体管极间电容和分布电容的存在。C. C. 半导体管的非线性特性 D. 放大电路的静态工作点不合适5. 放大电路如图所示，由输出波形可判断该放大器 。A. 产生线性失真 B. 产生截止失真C. 产生饱和失真 D. 产生交越失真6. 欲将方波电压转换成三角波电压，应选用 。A. 反相比例运算电路 B. 同相比例运算电路C. 积分运算电路 D. 微分运算电路 7. 功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可能获得的最大 。A. 交流功率 B. 直流功率 C. 平均功率 D. 视在功率8. 当信号频率等于放大电路的和时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。A. 0.5倍 B. 0.7倍 C. 0.9倍 D. 1.2倍 9. 在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。A. 输入电阻增大 B. 输出量增大 C. 净输入量增大 D. 净输入量减小10. 带通滤波器所对应的幅频特性为( )。 A B C D11. 场效应管的工作原理是（ ）。(A) 输入电压控制输入电流 (B) 输入电压控制输出电流 (C) 输出电压控制输出电流 (D) 输出电压控制输入电流12. 放大电路产生零点漂移的主要原因是（ ）。(A) 采用了直接耦合方式 (B) 晶体管的电流放大倍数太大 (C) 电路的电压放大倍数太大 (D) 环境温度变化引起了电路参数变化13. 某放大电路中，三极管各电极对地的电位如图1所示，由此可判断该三极管为（ ）。(A) NPN硅管 (B) NPN锗管 (C) PNP硅管 (D) PNP锗管14. 图2所示电路中的反馈类型是（ ）负反馈。(A) 电压并联 (B) 电压串联(C) 电流并联 (D) 电流串联15. 下面不是集成运放的指标要求的是（ ）。(A) 差模增益大 (B) 共模抑制比要高 (C) 输入失调电压大 (D) 输入失调电流小16. 理想二极管电路如图3所示，则UAB为（ ）。(A) -12V (B) -15V (C) 0V (D) -3V17. 图4所示为某场效应管的转移特性曲线，则该管子为（ ）。(A) N-JFET (B) P-JFET (C) 耗尽型NMOS (D) 耗尽型PMOS18. 晶体管的主要特性是具有（ ）。(A) 单向导电性 (B) 滤波作用 (C) 稳压作用 (D) 电流放大作用19. P型半导体中多数载流子是带正电的空穴，故P型半导体（ ）。(A) 带正电 (B) 带负电 (C) 电中性 (D) 不确定20. 二极管的反向饱和电流在20时是5A，温度每升高10，其反向饱和电流值增大一倍，当温度为40时，反向饱和电流值为（ ）。(A) 10A (B) 15A (C) 20A (D) 40A21. 利用负反馈可以使反馈环内引起的非线性失真（ ）。A、不能减小 B、彻底消失 C、逐渐增大 D、减小22. 如图2所示的放大电路中，由于电阻选择的不合适，出现了饱和失真，为了改变失真，正确的做法是（ ）。A. 增加RC B. 减小RC C. 增加RB D. 减小RB23. PN结加正向电压时，其正向电流是由（ ）形成的。A、多数载流子扩散 B、多数载流子漂移 C、少数载流子扩散 D、少数载流子漂移24. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是( )。A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响25. 差动放大器的两个输入电压分别为Ui1=5V,Ui2=3V，则其共模输入电压为( )。A、0V B、2V C、3V D、4V26. 差动放大电路的主要特点是( )。A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号B 既放大差模信号，又放大共模信号C有效放大共模信号，有力抑制差模信号D 既抑制差模信号，又抑制共模信号27. 功率放大电路如图3所示，该电路工作状态为（ ）。A、工作在甲类状态，存在非线性失真B、工作在乙类状态，存在交越失真C、工作在甲乙类状态，存在交越失真D、工作在乙类状态，不存在交越失真28. 功率放大电路产生交越失真，那么在电路上应该（ ）。A、进行相位补偿B、适当增加功放管静态|UBE|的值，使之处于微导通状态C、适当减小功放管静态|UBE|的值，使之处于微导通状态D、适当增加负载电阻RL的值29. 晶体管放大电路中，电压放大系数近似为1的是（ ）。A、共c极放大电路 B、共e极放大电路C、共b极放大电路 D、无法确定 30. 下面所示复合管的组合形式，错误的是（ ）。A、 B、 C、 D、31三极管工作在放大区域时，其发射结与集电结的偏置状态分别是（ ）。A.正偏，正偏 B.正偏，反偏 C.反偏，正偏 D.反偏，反偏32图1所示为某场效应管的转移特性曲线，则该管子的类型为（ ）。A. N-JFET B. P-JFET C. 耗尽型NMOS D. 耗尽型PMOS33若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为（ ）。A正、反向电阻相等 B正向电阻大，反向电阻小C反向电阻比正向电阻大很多倍 D正、反向电阻都等于无穷大34晶体管的主要特性是具有（ ）。A单向导电性 B滤波作用 C稳压作用 D电流放大作用35如下图所示场效应管的微变等效电路图是（ ）。 A36已知某晶体管处于放大状态，测得三个电极的电位分别为4V，4.7V和8V，则4.7V所对应的电极为（ ）。A发射极 B基极 C集电极 D栅极37晶体管放大电路中，输入输出电压反极性的是（ ）。A共b极放大电路 B共c极放大电路C共e极放大电路 D无法确定 38微