多晶硅块检验指导书（A3版）.doc

江西赛维LDK 太阳能高科技有限公司文件编号LDK-WI-QA-05003 版本版次A3文件名称156156规格多晶硅块检验指导书生效日期2009年5月15日页码第10 页 共10 页一、 目的指导IPQC检测室检验员对156156规格的多晶硅块（以下简称“硅块” ）的检验,以确定所检产品是否达到品质要求。二、 范 围公司生产的所有156156规格的多晶硅块。三、定义3.1 870*870*420mm坩埚铸出的多晶硅锭切方成156156规格的多晶硅块定义为大锭硅块。3.2 720*720*420mm坩埚铸出的多晶硅锭切方成156156规格的多晶硅块定义为小锭硅块。四、职 责4.1 品质工程师负责本作业指导书的编制及修订，以及负责检验员相应的作业指导。4.2 品质检验员严格依照本作业指导书对所送多晶硅块进行检验，并依据检验结果填写相应的检验记录。五、作业内容5.1 IPQC检测室硅块检测流程图硅块转入 IPQC检测室外观检验电阻率检验红外探伤检验垂直度检验少子寿命检验边宽/长度检验硅块判定导电类型检验硅块转出5.2 硅块检验操作指导步骤5.2.1外观检验5.2.1.1 确认所送硅块的箭头标示是否清楚，每个硅块的随工单信息填写是否完整,且与硅块表面标识信息(硅锭号与硅块号)是否一致,以及确认边角料的数量。 硅块号与标识图示 硅锭号图示 5.2.1.2 与制造二部送检人员共同确认每个硅块的外观质量状况，如有崩边、崩块等外观问题，使用游标卡尺测量缺陷的长度(沿硅锭的长晶方向测量)，并把这些信息准确填写在品质记录表上和对应的硅块随工单上。 缺陷长度测量图示 缺陷注释图示 5.2.2 垂直度检验5.2.2.1 抽样检测方法：小锭硅块按照图1抽样方案进行抽样检测硅块的垂直度，大锭硅块按照图2抽样方案进行抽样检测硅块的垂直度。 图 1 图 25.2.2.2使用万能角度尺测量硅块四个侧面的垂直度，即相邻两侧面间的垂直度,每个抽样硅块测量任意三个角的垂直度,每个角从硅块头部到尾部至少均匀测量三次。并将检验数据记录于硅块检测记录表中。 垂直度测试图示1 垂直度测试图示2 5.2.2.3 将万能角度尺两臂紧贴硅块相邻两侧面，若臂与硅块表面接触存在明显空隙，判定硅块为“S”型硅块。万能角度尺两臂与硅块表面存在明显空隙，判定硅块为“S”型硅块。 5.2.3 边宽/长度检验5.2.3.1使用游标卡尺（精确度0.02mm）测量抽样硅块的边宽尺寸，小锭硅块按照图1抽样方案进行抽样检测，大锭硅块按照图2抽样方案进行抽样检测；每个硅块抽测相邻的两个边宽；用游标卡尺的量爪在硅块的两侧面进行测量，使硅块的各部位边宽尺寸都测量到。 边宽尺寸测量图示5.2.3.2如发现有某一硅块边宽尺寸超出标准，必须加抽该硅块所在多晶硅锭位置的垂直两条线的其它硅块的边宽尺寸。5.2.3.3 使用直尺（精确度1mm）测量所有硅块的长度；选择硅块尾部至头部中的一棱边，使用直尺测量此棱边的长度，测量完后在所测量的棱边上做记号，并将检验数据记录于硅块检测记录表中。长度测量记号 长度测量图示 长度测量记号图示 5.2.4 导电类型检验 5.2.4.1使用半导体导电类型测试仪全检硅块各侧面的导电类型，即硅块的P/N类型。5.2.4.2 测量时硅块任选一侧面为测试面（测试面需用无水乙醇擦拭干净），依据测量的长度选取测试点，选取测试点的方式根据多晶硅锭电阻率抽样记录表中长度的百分比进行选定。(备注：1.使用直尺确定对应尺寸的测试点。2.测试点须在硅块侧面的中部，即边宽中心线25mm内。) 5.2.4.3 使用半导体导电类型测试仪在选取的测试点进行导电类型测试，具体操作依照半导体导电类型测试仪作业指导书进行检验，并将检验数据记录于多晶硅锭电阻率抽样记录表中。 测试点的选取图示 导电类型测试图示5.2.5 电阻率检验5.2.5.1 使用电阻率测试仪检验硅块的电阻率大小，小锭硅块按照图3抽样方案进行抽样检测，大锭硅块按照图4抽样方案进行抽样检测。图 3 图 45.2.5.2 测量时硅块任选一侧面为测试面（测试面需用无水乙醇擦拭干净），依据测量的长度选取测试点，选取测试点的方式根据多晶硅锭电阻率抽样记录表中长度的百分比进行选定。(备注：1：使用直尺确定对应尺寸的测试点。2：能测试点必须在硅块侧面的中部，即边宽中心线25mm内。) 5.2.5.3 使用电阻率测试仪在选取的测试点进行电阻率测试，读取测试仪上显示的电阻率大小，并将检验数据记录于多晶硅锭电阻率抽样记录表中；计算平均值并记录在硅块检测记录表中。具体操作依照RT-100电阻率测试仪操作说明进行检验。 测试点的选取图示 电阻率测试图示5.2.5.4 测试注意事项：电阻率测试点选取后，头部第一个测试点处不需要测试，其它选取点都需测试。5.2.6 红外探伤检验 5.2.6.1 使用红外探伤测试仪全检硅块的内部缺陷状况。5.2.6.2 硅块测试准备：用无水乙醇将测试硅块的四个侧面擦拭干净，将擦拭干净的硅块放在红外探伤测试台上，放置方向为底部朝下，头部朝上。头部底部 硅块放置图示5.2.6.3 确认内部缺陷：依照IR红外探伤测试仪操作说明或SIS300-3D硅块检测仪操作说明进行检验,且硅块四个侧面都需要检测。5.2.6.4 缺陷处做标记：确认硅块内部存在缺陷后，观察内部缺陷在图像监控器上的位置，使用记号笔在硅块的表面作好标识；用记号笔在黑色阴影部分的上下边缘处画标识线，上下画线处要求离阴影部分2-3mm（备注：内部缺陷在距硅块头部或尾部25mm内，不需要画线）。约2-3mm标识线阴影区 内部缺陷影像图示 标识图示 5.2.6.5 缺陷图像保存：将检验硅块内部存在的缺陷图像保存在测试仪内。5.2.6.6 标明缺陷范围：完成该硅块四个侧面检验后，将硅块搬到工作台上，依照标识线划线标识，缺陷长度超过25mm时，使用直尺把以上所有短线标识画长，并用直尺（精确度1mm）量出缺陷的长度，并标明原因、长度于硅块表面。缺陷原因与长度标识 画标识线图示 量取缺陷长度图示5.2.6.7 图像保存注意事项:以下标识硅块必须保存: 1、大硅锭中的B2、C7、C12、C17、B22必须保存四个侧面图片。 2、小硅锭中的B2、C6、C10、B14必须保存四个侧面图片。5.2.7 少子寿命检验5.2.7.1 使用少子寿命测量仪抽样检测硅块少子寿命，具体抽样方法依照多晶硅块Lifetime抽样方法进行抽样检测（抽样方法见图5、图6）。图5 图6 5.2.7.2硅块测试准备：用无水乙醇将测试硅块的一个侧面擦拭干净，再放入测试仪器平台上；放入时，擦拭的侧面朝上，硅块的头部放在测试员的左侧，使测试仪从硅块的头部开始测试。底部头部 硅块放置图示5.2.7.3 硅块少子寿命测试：依照WT-2000P少子寿命测试仪操作说明或WT-2000少子寿命测试仪操作说明测试该侧面的少子寿命,并将少子寿命图像保存在电脑对应的文件夹中；测试完毕后，按以上方法测试该硅块相对侧面的少子寿命，并将少子寿命值记录在硅块检测记录表上。 少子寿命测试图示 图片保存图示 5.2.7.4 少子寿命分析：其余抽样硅块的少子寿命按照5.2.7.2至5.2.7.3步骤进行检测，完成后把此锭抽样硅块的少子寿命图像全部打开，综合分析此锭的少子寿命质量状况(要求：头尾各25mm以外的硅块中部区域的少子寿命最小值2S，不符合要求区域需标识去除）。改为 “2” 少子寿命质量分析图示 5.2.8 硅块判定与检验记录填写5.2.8.1 结合硅块各检测项目的检测结果进行综合分析，判定硅块是否流入下一工序。具体判定标准依照多晶硅块判定标准操作。5.2.8.2 按照检测结果头、尾如需去除的长度大于25mm，需由IPQC检测人员画标识线；需去除的长度小于或等于25mm，则不需要画标识线。5.2.8.3 依据判定结果填写此硅锭的边角料相关信息，并标于边角料袋上。 边角料标识图示 标识单填写项目图示5.2.8.4 将检验结果填写在多晶硅锭随工单的硅块检测栏中，以及多晶硅切割加工随工单中的IPQC检验结果栏中，并盖IPQC待定章。5.2.8.5 检验报表经审核后，IPQC MIS录入人员将检验数据输入MIS系统。 六、 相关文件与记录6.1 多晶硅块判定标准6.2 多晶硅锭电阻率抽样记录表6.3 硅块检测记录表6.4 多晶硅锭随工单6.5 多晶硅切割加工随工单6.6 WT-2000P少子寿命测试仪操作说明6.7 WT-2000少子寿命测试仪操作说明6.8 多晶硅块Lifetime抽样方法6.9 IR红外探伤测试仪操作说明6.10RT-100电阻率测试仪操作说明6.11SIS300-3D硅块检测仪操作说明6.12半导体导电类型测试仪作业指导书七、 附 件7.1 多晶硅块Lifetime抽样方法 编 制审 核批 准江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 多晶硅块Lifetime抽样方法 Day1Day3Day2A1B3A5Day1C8Day4Day3Day2Day1B11C12C14B15Day4C18Day3Day2Day4A21B23A25硅锭箭头方向硅锭箭头方向 Day1Day3Day4Day2A1B2B3A4Day2Day4Day3Day1B5C6C7B8Day4Day2Day1Day3B9C10C11B12Day3Day1Day2Day4A13B14B15A16少子寿命抽样方法1 少子寿命抽样方法2抽样方法说明：1. 少子寿命抽样方法1适用于同一铸锭锭经切方成