ICP-MS主要技术指标.doc

ICP-MS主要技术指标性能指标：1 仪器应用要求本仪器要求能适用于应用领域广泛的各种样品的元素分析和同位素分析任务。仪器要求符合美国环保署标准方法 EPA200.8 ， EPA6020,英国 NS30 等国际标准要求2. 仪器工作环境2.1工作环境温度： 15-30.2.2工作环境湿度： 80% (无冷凝)电源:power supply 单相200-240V ，50 Hz3. 仪器规格:3.1 仪器硬件;3.1.1 雾化器：高耐盐，高精度，高效率同心雾化器， 3.1.2雾化室：小死体积，低记忆效应，配置Peltier 半导体制冷装置对雾化室制冷控温，雾化室制冷温度控制要求可以达到 -10 0C3.1.3 接口： Ni材料锥口，口径要求足够大，以便耐样品溶液所含的基体。样品锥口口径 1.1 mm, 截取锥口径 0.75 mm。3.1.4 质量流量计：等离子体气，辅助气，雾化气三路质量流量计3.1.4 ICP 源：27.12 MHz 固体晶体稳频RF 发生器,频率稳定性 0.01%3.1.6 RF 功率稳定性 0.01% 3.1.7 真空系统：3.1.7.1快速三级高真空系统：工作时真空度 40 M cps/ppm*5.1.2 中质量数middle mass: 100 M cps/ppm*5.1.3 高质量数 high mass: 100 M cps/ppm*5.2 随机背景radon background: 200,000,000 (200M )( 信噪比=灵敏度/随机背景,1ppm In 溶液计算)5.4 氧化物离子oxide ion lever(MO+/M+) 2 %5.5 短期稳定性short stability(RSD): 2 % (不用内标) *5.6 长期稳定性long stability (RSD): 3 % (4 小时) (不用内标)(使用1ppb标准元素溶液)5.7 质谱校正稳定性mass calibration drift: 0.05 amu/一天,0.1amu/一个月5.8 同位素比精度 isotope ratio precision: 0.2 % 107 Ag/109 Ag6.配置要求序号配置描述数量1ICPMS台式系统包括：1整体型，1600W，固态晶控，27MHz ICP 发生器。易操作，敞开式构件的进样系统。使用室温，石英玻璃，带撞击球的雾化室和同心玻璃雾化器。整体型自我定位炬管，由计算机控制炬位的x,y,z三维平面调整。计算机控制全部等离子体气体管线的质量流量控制器（雾化器，辅助气，冷却气）保护性离子提取，离子透镜系统，提供高的离子传输效率和超低的背景。离轴四极杆分析器提供杰出的传输效率和覆盖全质量数范围（2255amu）内的卓越的丰度灵敏度。 计算机控制的，可切换的，四极杆分辨率设置。三级真空系统，由旋转机械真空泵，和高性能分流式双分子涡轮泵组成的。PC计算机，专业版Windons系统，19寸TFT平面显示器，键盘和鼠标打印机2Xt接口技术提供异常的基体承受能力，扩展了低质量数的动态范围，降低了多原子干扰离子的形成。13 PlasmaScreen Plus 等离子体炬焰屏蔽系统提供低的离子能量扩散和高的信背比性能。14Xs 镍接口，包括Ni的Xs截取锥和卸锥工具15Ni采样锥， Xt or Xs接口16循环冷却水系统（50Hz）1全进口配置7全自动第三代碰撞反应池技术配有二个计算机控制的气体质量流量控制器，任何二种气体的结合可以被自动引入碰撞池，有效地选择性降低分子离子的干扰。PlasmaLab仪器系统软件允许利用自动调谐程序通过每次实验的仪器调试溶液对碰撞池气体流速进行自动最佳化，碰撞池技术模式与正常模式之间的切换是全自动的，而且允许在一次样品信号采集中完成切换检测。 18半导体制冷温度控制器用于雾化室，用于精确控制雾化室温度，消除由于实验室条件的波动所引起的任何漂移。19消耗品包 （包括如下备件）1(1)Ni采样锥， 用于Xt or Xs接口1(2)截取锥安装锣丝4(3)Xt接口，Ni截取锥1(4)采样锥密封垫20(5)O型圈VITON 28.0mmID x 1.5mmC/S（截取锥） 2(6)密封环2(7)0.51mm进样泵管1(8)排液管1(9)TEFLON排液管 5(10)TEFLON管 （雾化器进样管）1(11)石英炬管2(12)石英护套（PLASMA