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第六章化学气相淀积习题参考答案 1简述影响淀积速率的各个因素 答 第一 根据公式有 淀积速率与反应剂浓度成正比 未使用稀释气体 淀积速率与在气相中反应剂的摩尔百分比成正比 使用稀释气体 第二 反应剂浓度成正比或气相中反应剂的摩尔百分比为常数时 高温情况下hg ks 淀积速率受表面反应速率控制 2列举化学气相淀积技术的三种分类方法 答 1 按淀积温度分 低温淀积 中温淀积 2 按反应室内部压力分 常压淀积 低压淀积 3 按反应室器壁温度分 冷壁式淀积 热壁式淀积 4 按淀积反应的激活方式分 光激活 等离子体激活等 3简述APCVD LPCVD PECVD的特点 答 1 APCVD特点操作简单 淀积速度较高 适合介质薄膜的淀积 易发生气相反应 产生微粒污染 台阶覆盖性和均匀性较差 一般由hg控制 需精确控制单位时间到达硅片表面各处的反应剂数量 保证薄膜的均匀性 2 LPCVD特点均匀性和台阶覆盖比APCVD好 污染少 降低压强可降低气相成核 但淀积速率较低 工作温度较高 真空及中等温度条件下 淀积速率受表面反应控制ks 需精确控制温度 3 PECVD特点淀积温度低200 350 适于布线隔离 淀积速率更高 具有良好的附着性 低针孔密度 良好的台阶覆盖及电学特性 可与精细图形转移工艺兼容 属于表面反应速率控制型 需准确控制衬
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