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半导体常用缩写词汇汇总EPI 外延 PM 设备维护与保养PCW 工艺冷却水 PMC 生产计划与物料控制PLC 可编程序控制控制器H2 氢气 Sb 锑N2 氮气 As 砷SiHCl3 （TCS）三氯氢硅 B 硼PH3 磷烷 CMOS 互补金属氧化物半导体HCl 氯化氢 CMP 化学机械抛光Hg 汞（水银） ESD静电释放HNO3 硝酸 H2O2双氧水HF 氢氟酸 MOS 金属氧化物半导体SPC 统计过程控制 PCM 工艺控制监测MRB 异常评审委员会 PCN 工艺变更通知单CAB 变更评审委员会 ECN 工程变更通知单OCAP 失效控制计划。指制程过程中失控时所应采取的对应措施。是一种受控文件，包含造成异常的因素等 PSG 磷硅玻璃TF 薄膜 PVD物理气相淀积PHO 光刻 PCB 印刷电路板DIF 扩散 RF 射频II 注入 UV紫外线CVD 化学气相淀积 VPE气相外延SPV 扩散长度 Bubbler 鼓泡器CD 关键尺寸 EMO 设备紧急按钮 CD-SEM 线宽扫描电镜 ScrubbLer 尾气处理器ETCH 刻蚀 （腐蚀） Coat 包硅H2-BAKE 氢气烘烤 SRP 外延层纵向电阻率分布1号液：（NH4OH:H2O2：H2O） NH4OH : H2O2 : H2O=1 : 2 : 7，2号液：（HCl：H2O2：H2O） HCl : H2O2 : H2O=1 : 2 : 53号液（Caros清洗液）：(H2SO4:H2O2) H2SO4 : H2O2=3 : 1，4#号液:H2O:HF=10:1CV： 电容-电压测试BOE混酸：氟化铵氢氟酸混合腐蚀液液CZ：切克劳斯基直拉法 Wafer： 抛光片FZ：区熔方法 THK：膜厚Rs：电阻 TTV:总厚度偏差TIR：平整度 STIR：局部平整度LTO：背封 BOW:弯曲度CHIP:崩边 SLIP：滑移线MARK:痕迹 WARP：翘曲度CRACK:裂纹 SPOT: 斑点HAZE：发雾 CROWN：皇冠，边缘突起物 OISF:氧化诱生层错 ORG: 掺As单晶抛光片O2含量径向均匀性OSF：氧化层错 BMV：气体流量控制阀LIFE TIME：寿命 POINT DEFECT: 点缺陷Integrated circuit：集成电路 epitaxial layer：外延层Buried layer：埋层 interface：界面Diameter：直径 chemical vapor polish 化学气相抛光Polished surface ：表面抛光 back side ;反面Front side ：正面 INJ：引入气体流量DIL：稀释气体流量 Autodoping：自掺杂Sccm：毫升/每分钟 Slm：升/每分钟CDA:压缩空气 PN2：工艺氮气Cable：电缆 MES：生产过程执行管理系统SFC：生产车间集中 MDC：生产数据及设备状态信息采集分析管理系统PDM：制造过程数据文档管理系统MSA:量具测量系统分析KPI：关键表现指标, 销售指标Alarm ：报警MSA: 使用数据统计和图表的方法对测量系统的分辨率和误差进行分析QA: 指质量管理、品质的保证、质量的评估/评价QC: 指质量检验和控制、分析、改善和不合格品控制人员的总称OOC/oos: OOS：检验结果偏差超过规格、不合格 OOC : 产品质量失去控制，需要采取返工、召回等手段。处理过程需要