标准解读

《GB/T 20726-2015 微束分析 电子探针显微分析X射线能谱仪主要性能参数及核查方法》与《GB/T 20726-2006 半导体探测器X射线能谱仪通则》相比,主要存在以下几方面的差异和更新:

  1. 适用范围扩展:2015版标准不仅针对半导体探测器X射线能谱仪,更聚焦于电子探针显微分析(EPMA)中的X射线能谱仪,覆盖了更专门的仪器类型和应用领域。这表明新标准在原有基础上,对微束分析技术进行了更深入和细致的规定。

  2. 性能参数细化:新标准详细列出了电子探针显微分析X射线能谱仪的主要性能参数,包括但不限于分辨率、精度、稳定性等,并明确了这些参数的测量和评估方法。相比2006版的通则性描述,2015版提供了更为具体的技术指标和测试要求。

  3. 核查方法的标准化:2015版标准引入了详细的核查方法,指导用户如何定期检查和验证仪器的关键性能,确保其长期稳定性和准确性。这为实验室的质量控制和校准工作提供了实操指导,增强了结果的可比性和可靠性。

  4. 技术进步的反映:鉴于2006年至2015年间X射线能谱技术和电子探针显微分析技术的进步,新标准融入了最新的科研成果和技术发展,如对更高效的数据采集系统、更高级的信号处理算法的考量,以及对新型探测器特性的描述等。

  5. 国际接轨:2015版标准在制定过程中参考了更多的国际标准和先进国家的规范,旨在提升国内标准与国际水平的一致性,促进技术交流和国际贸易。

  6. 安全与环境要求:虽然未直接提及具体内容,但随着科技发展,新标准可能也加强了对操作安全、辐射防护以及环境保护方面的要求,体现了对实验人员健康和环境保护的重视。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2015-10-09 颁布
  • 2016-09-01 实施
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文档简介

ICS7104099G 04 . .中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 GB/T207262015/ISO156322012 代替 : GB/T207262006 微束分析 电子探针显微分析 X 射线 能谱仪主要性能参数及核查方法 MicrobeamanalysisSelectedinstrumentalperformanceparametersforthe specificationandcheckingofenergydispersiveX-rayspectrometers foruseinelectronprobemicroanalysis (ISO15632:2012,IDT)2015-10-09发布 2016-09-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发 布 中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 GB/T207262015/ISO156322012 : 前 言 本标准按照 给出的规则起草 GB/T1.12009 。 本标准代替 半导体探测器 射线能谱仪通则 GB/T207262006 X 。 本标准与 相比 主要变化如下 GB/T207262006 , : 中文名称修改为 微束分析 电子探针显微分析 射线能谱仪主要性能参数及核查方法 : X ; 增加了部分术语和定义 见 ( 3.2、3.2.1、3.2.2、3.33.5、3.12、3.13); 修改了部分术语和定义 见 年版 ( 3.83.11,2006 2.42.7); 删除了仪器本底的术语和定义 见 年版 ( 2006 2.8); 增加了第五章 其他性能参数的核查 见第 章 :“ ”( 5 ); 增加有助于理解本标准的必要的参考文献 见参考文献 ( )。 与本标准中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件如下 : 微 束 分 析 电 子 探 针 显 微 分 析 术 语 GB/T216362008 (EPMA) (ISO 23833:2006,IDT)。 本标准由全国微束分析标准化技术委员会 提出并归口 (SAC/TC38) 。 本标准主要起草单位 中国科学院地质与地球物理研究所 : 。 本标准主要起草人 曾荣树 徐文东 毛骞 马玉光 : 、 、 、 。 本标准于 年 月 日首次发布 本次为第一次修订 2007 8 1 , 。 GB/T207262015/ISO156322012 : 引 言 近年来 通过改进探测器的探头晶体和 射线入射窗口新材料的制备工艺以及应用先进的脉冲处 , X理技术 在 射线能谱仪 技术上取得的进展增强了能谱仪的总体性能 特别是在高计数率和低 , X (EDS) ,能量 低于 区域 由于原来的标准未包含硅漂移探测器 技术 需要进行修订 即使在相 ( 1keV) 。 (SDD) , 。当高的计数率条件下 硅漂移探测器性能也可与 探测器相媲美 更大的有效探测面积也使其具有 , Si-Li ,高计数率下测量能力 该标准更新了评价此类现代探测器的性能参数 。 。 能谱仪的特性以往通常用高能状态下能量的分辨率来表示 定义为 谱峰半高宽 , Mn-K (FWHM)。为了表示在低能量范围的特性 生产厂家通常给出碳或氟 峰的半高宽或者零峰的半高宽 一些生产 , K 。商也用峰背比标示 即用55 谱线中峰与基线的比值或硼谱线中峰与谷的比值来确定 同一个量时常 , Fe ,有不同的定义 相对于高能量区而言 能谱仪在低能端的灵敏度很大程度上取决于探测晶体和 射线 。 , X入射窗口的设计 但是生产商通常不标示谱仪性能对能量的依赖关系 而低能端的高灵敏度对于分析 。 ,轻元素组分非常重要 。 为满足全球范围内制定 射线能谱仪 规范的最低要求 本标准进行了修订 能谱法是分析 X (EDS) , 。固体和薄膜化学成分最常用的方法之一 依据本标准规定的同一参数 可对不同设计的能谱仪性能进 。 ,行比较 也有助于针对特定的任务选择适用的能谱仪 另外 本标准也便于对不同实验室的仪器标准与 , 。 ,分析结果进行比对 依照 规定1 这些实验室应按规定的程序定期核查仪器的校准状 。 ISO/IEC17025 ,态 本标准可作为所有相关测试实验室制定相似操作程序的指南 。 。 GB/T207262015/ISO156322012 : 微束分析 电子探针显微分析 X 射线 能谱仪主要性能参数及核查方法1 范围 本标准规定了表征 以 半 导 体 探 测 器 前 置 放 大 器 和 信 号 处 理 系 统 为 基 本 构 成 的 射 线 能 谱 仪 、 X 特性最重要的性能参数 本标准仅适用于基于固态电离原理的半导体探测器能谱仪 本标准规(EDS) 。 。定了与扫描电镜 或电子探针 联用的 性能参数的最低要求以及核查方法 至于实 (SEM) (EPMA) EDS 。际分析过程 在 2和 3中已有规范 不在本标准范围之内 , ISO22309 ASTM E1508 , 。2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 凡是注日期的引用文件 仅注日期的版本适用于本文 。 ,件 凡是不注日期的引用文件 其最新版本 包括所有的修改单 适用于本文件 。 , ( ) 。 微束分析 电子探针显微分析 术语 ISO23833 (EPMA) MicrobeamanalysisElectronprobemicroanalysis(EPMA)Vocabulary3 术语和定义 界定的以及下列术语和定义适用于本文件 ISO23833 。 注 除 和 外 这些定义都按 2 4和 中 : 3.1,3.2,3.2.1,3.2.2,3.11,3.12 3.13 , ISO22309 ,ISO18115-1 ISO23833 相同或相似的形式规定 。31 . 能谱仪 energy-dispersiveX-rayspectrometer 同时记录整个 射线谱 来测定 射线强度作为辐射能量函数的装置 X , X 。 注 能谱仪包括固态探测器 前置放大器和脉冲处理器 探测器将 射线光子能转换为电脉冲 并经前置放大器 : 、 。 X , 进行信号放大 脉冲处理器根据波幅将脉冲分类并形成 射线强度对能量的直方图分布 。 X 。32 . 计数率 countrate 每秒 射线光子数 X 。321 . 输入计数率 inputcountrateICR ; 探测器每秒接收的 射线光子数 X 。322 . 输出计数率 outputcountrateOCR ; 每秒由电子器件输出并储存在内存中的有效 射线光子数 X 。 注 当电子器件测量单个 射线光子能量时 存在与之相关的死时间 因此 每次实际测量到的光子数会小于入 : X ,

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