tftMask工艺.ppt

array技术部etch cln科李志强 4mask工艺 array工艺 array工艺是通过4mask工艺在玻璃上形成薄膜晶体管 tft 和像素电极 ito 的过程 deposition coater exposure light development etch strip 4mask工艺 processflow 4mask 5mask 4mask关键工艺 htm工艺和1 chamberdryetchprocess 4mask干刻工艺 sdtstep 半透膜部分 光线透过仅34 4 左右 reticle halftonepattern normalpattern afterdevelop afterexposure halftonemethod 利用了光栅的部分透光性 可以将pr不完全曝光 pr 实际结果 原理图 htm工艺 1 chamberdryetchprocess sdmultipleetch包括4steps active ashing mo n 其中active n process与5mask完全相同 这里仅对ashing mostep进行说明 pr mo a si exposuredevelop 1stsdwetetch gatelayerprocess 1 initialclean 目的 glass输入时 去除残留的particle和metal 有机物等 gatelayerprocess 2 gatedeposition 目的 通过sputter进行gateline沉积 其中alnd的沉积厚度是 3000 top mo的沉积厚度是 400 gatelayerprocess 3 gatemask glass gate glass gate gatemask exposure pr 目的 为形成gateline 通过photolithographyprocess形成prpattern coating1 5 pr prcoating 1 5 gatelayerprocess 4 gateetch 目的 通过pr形成的pattern去除glass上形成的gate层以外的部分 glass gate pr gatelayerprocess 5 wetprstrip 目的 去除gatepattern上的pr sdtlayerprocess 1 通过pecvd在gatelayer上形成sinx和activelayer的a si 2 通过sputter在n a silayer上进行mo沉积 g sinx h 3500 g sinx l 500 a si l 500 a si h 1300 n a si 500 mo 2200 1 deposition 依次沉积g sinx h 3500 g sinx l 500 a si l 500 a si h 1300 n a si 500 mo 2200 sdtlayerprocess 2 sdtmask a si l 500 g sinx h 3500 g sinx l 500 a si l 500 sdtmask exposure sdtlayerprocess g sinx h 3500 g sinx l 500 a si l 500 a si h 1300 n a si 500 mo 2200 pr 21000 3 sdtwetetch pr 5300 目的 通过pr形成的pattern去除glass上形成的mo层以外的部分 sdtlayerprocess glass g sinx h 3500 a si l 500 a si h 1300 n a si 500 mo 2200 g sinx l 500 mo 2200 4 sdmultipleetch sdtlayerprocess glass g sinx h 3500 a si l 500 a si h 1300 n a si 500 mo 2200 g sinx l 500 目的 去除sdtpattern上的pr 5 wetprstrip viaholelayerprocess b pvx 2200 t pvx 300 目的 通过pecvd沉积sinx 可防止湿气和ion渗透对tftchannel的污染 首先沉积b pvx 2200 即sinx t pvx 300 sinx是绝缘层 起保护作用 1 pvxlayerdeposition viaholelayerprocess glass gate 目的 通过刻蚀vialayer 使s d和pixel电极连接 2 vialayermask viaholemask exposure viaholelayerprocess 目的 通过pr形成的pattern去除部分via层 3 vialayeretch viaholelayerprocess 目的 去除viaholepattern上的pr 4 wetprstrip itolayerprocess 目的 为形成pixel电极 通过sputter进行ito沉积 ito是一层透明金属 是铟和锡氧化物的合金 ito沉积400 1 itodeposition itolayerprocess 目的 为形成pixel电极 通过photolithographyprocess形成prpattern 2 itomask itolayerprocess 通过pr形成的pattern去除glass上形成的ito层以外的部分 即没有被pr覆盖者的那部分i