第三章 内部存储器【自测题】ppt课件

自测题 第三章内部存储器 选择 1 字存储单元是指 A 存放一个字节的存储单元B 存放一个机器字的存储单元C 存放一个二进制信息位的存储位元2 存储字长是指 A 存放在一个存储单元中的二进制代码组合B 存放在一个存储单元中的二进制代码个数C 存储单元的个数D 存储单元的集合 3 与外存储器相比 内存的特点是 A 容量小 速度快 成本高B 容量小 速度快 成本低C 容量大 速度快 成本高D 容量大 速度快 成本低4 计算机的存储器采用分级存储体系 多级结构 的主要目的是 A 便于读 写数据B 减小机箱的体积C 便于系统升级D 解决存储容量 价格和存取速度之间的矛盾 5 某SRAM芯片 其存储容量为64K 16位 该芯片的地址线和数据线数目分别为 A 64 16B 16 64C 64 8D 16 166 一个16K 32位的存储器 其地址线和数据线的总和是 A 48B 46C 36D 527 某SRAM芯片 其容量为512 8位 除电源和接地端外 该芯片引出线的最小数目是 A 17B 18C 19D 20 8 某计算机的字长是16位 它的存储容量是64KB 按字编址 它的寻址范围是 A 64K 0 64K 1 B 32KB 0 32KB C 32K 0 32K 1 D 64KB 0 64KB 9 某机字长32位 其存储容量为1MB 若按字编址 它的寻址范围是 A 0 1M 1 B 0 512K 1 BC 0 256K 1 D 0 256KB 10 某计算机的字长是32位 其存储容量为4MB 若按半字编址 它的寻址范围是 A 0 4MBB 0 2MBC 0 2M 1 D 0 1MB 1 11 相联存储器是按 进行寻址的存储器 A 地址指定方式B 堆栈存取方式C 内容指定方式D 地址指定与堆栈存取方式结合 12 交叉存储器实质是一种 存储器 它能 执行 独立的读 写操作 A 模块式 并行 多个B 模块式 串行 多个C 整体式 并行 一个D 整体式 串行 多个 13 以下四种类型的半导体存储器中 以传送同样多的字为比较条件 则读出数据传输率最高的是 A DRAMB SRAMC FLASHD EPROM14 下列元件中存取速度最快的是 A CacheB 寄存器C 内存D 外存 15 双端口存储器 情况下会发生读 写冲突 A 左端口与右端口的地址码不同B 左端口与右端口的地址码相同C 左端口与右端口的数据码相同D 左端口与右端口的数据码不同16 通常计算机的内存储器可采用 A RAM和ROMB ROMC RAM 17 在程序的执行过程中 Cache与主存的地址映射是由 A 操作系统来管理的B 程序员来调度的C 硬件自动完成的D 操作系统辅助相应的硬件来完成的18 64KB的内存容量为 A 64000字节B 32768字节C 65536字节D 32000字节 19 在Cache的地址映射中 若主存中的任意一块均可映射到Cache的任意一行的位置上 则这种方法称为 A 全相联映射B 直接映射C 组相联映射D 混合映射20 DRAM地址分两次输入 行选通RAS和列选通CAS 的目的是 A 缩短读 写时间B 减少芯片引出端线数C 刷新 21 下列说法中正确的是 A 半导体RAM信息可读可写 且断电后仍能保持记忆B 半导体DRAM是易失性的 而SRAM则不是C SRAM只有在电源不掉的时候 所存信息是不易失的 22 下列有关高速缓冲存储器Cache的说法正确的是 A 只能在CPU之外B CPU内外都可以设置CacheC 只能在CPU之内D 若存在Cache CPU就不需要访问主存 1 某DRAM芯片内部的存储元为128 128结构 该芯片每隔2ms至少要刷新一次 且刷新是顺序对128行的存储元进行的 设存储周期为500ns 求其刷新信号周期和刷新的开销 也即进行刷新操作的时间所占的百分比 计算 解 刷新信号周期为2ms 128 0 015625ms刷新操作的时间为500ns 128 64000ns刷新的开销64000ns 2000000ns 3 2 2 某计算机系统的内存储器由Cache和主存构成 Cache的存储周期为50ns 主存的存储周期为250ns 已知在一段给定的时间内 CPU访问整个存储体系4500次 其中访问主存500次 问 1 Cache的命中率是多少 2 CPU访问内存的平均时间是多少 3 Cache 主存系统的效率是多少 解 1 Cache的命中率H 4500 500 4500 0 89 2 CPU访存的平均时间Ta H Tc 1 H Tm 0 89 50 1 0 89 250 44 5ns 27 5ns 72ns 3 Cache 主存系统的效率e Tc Ta 50 72 0 694 69 4 用16K 16位的SRAM芯片构成64K 32位存储器 问 1 计算共需多少SRAM芯片 2 画出该存储器的组成逻辑框图 3 在图中标明地址线 数据线条数 综合 答 因为存储器总容量为64K 32位 216 32 所以全部地址线16位 A0 A15 数据线32位 所需芯片总数为 64K 32 16K 16 4 2 片 而每个SRAM芯片容量为16K 16位 214 16 所以片