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文档简介
第三节再结晶 一 再结晶的形核与长大 1 再结晶晶粒的形核机制 以回复后多边化亚晶为基础 变形量大 20 变形量小 20 亚晶合并形核机制 亚晶长大形核机制 大角晶界凸出形核机制 层错能 易攀移 层错能 难攀移 晶粒变形量差 位错密度差 畸变能差 部分亚晶界消失 相邻亚晶合并 吞并相邻亚晶界 大角晶界向高位错密度的晶粒突出 大角晶界 无应变区 无应变区 大角晶界扫过区 再结晶晶核 大角度晶界自发迁移 2 再结晶晶粒长大机制 扫过应变区 无应变区 新晶粒相互接触 驱动力 体系自由能下降 主要来自 畸变能冷变形 畸变能 驱动力 1 再结晶热力学 二 再结晶热力学与动力学 有孕育期慢 快 慢温度高 速度快 属热激活过程 2 再结晶动力学 形核 长大过程 1 理论再结晶温度 开始发生再结晶的最低温度 2 工业再结晶温度 指经过大约70 冷变形 退火一小时 实际准确测量很难 能完全 或95 以上 再结晶的最低温度 三 再结晶温度 测硬度 退火曲线 金相法 理论 第一个新晶粒形成 或凸出形核的锯齿状边缘出现的温度 工业 完全再结晶 硬度法 3 测定 硬度开始明显下降 或软化50 的退火温度 四 影响再结晶的因素 1 温度 热激活过程 温度 速度 2 变形度 变形度 畸变能 驱动力 速度 T再 3 原始晶粒尺寸 原始晶粒尺寸 位错塞积 速度 T再 4 溶质原子 微量溶质原子 提高变形抗力 增大存储能 驱动力 速度 T再 次要 柯氏气团 位错运动阻力 阻碍形核 速度 T再 主要 偏聚晶界 晶界迁移阻力 阻碍长大 速度 T再 速度 T再 分散相粒子 再结晶时 阻碍位错运动 阻碍晶界迁移 阻碍再结晶 提高变形抗力 畸变能 驱动力 促进再结晶 冷变形时 粒子间距大 位错运动阻力 驱动力 阻力 速度 T再 粒子间距小 位错运动阻力 驱动力 阻力 5 分散相粒子 1 变形度 变形量 2 驱动力很小 不能形成再结晶晶核 不发生再结晶 变形量 2 10 变形不均匀 个别大 形成少数再结晶晶核 极粗大再结晶晶粒 临界变形度 变形量 10 变形程度越大 形成晶核越多 再结晶晶粒越细 五 再结晶晶粒尺寸的控制 退火温度越高 再结晶晶粒越大 2 原始晶粒尺寸 原
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