半导体物理与器件复习.doc

1. 粒子能量2. 德布罗意波长3. 能量与动量的关系 4. 波数，相速度5. 边界条件6. 无限深势阱中电子的能量（n为电子的能级，a为势阱的宽度）7. /内力的作用 8. 电子的有效质量 （价带顶(空穴)m*0）9. 状态密度函数10. 导带中的电子有效状态密度11. 价带中的电子有效状态密度12. 概率密度函数 （EF为费米能级）13. T=300K，kT=0.0259eV 本征半导体14. 热平衡时电子浓度为 或 （Nc为导带有效状态密度，n0Nc）15. 热平衡时空穴浓度为16. 本征载流-子浓度，EFi为本征费米能级17. 本征费米能级相对禁带中央的位置（若，；若，；若，；）推导 非本征半导体18. 热平衡时电子浓度为19. 热平衡时空穴浓度为20. 热平衡状态下的半导体补偿半导体（指在同一区域内同时含有施主和受主杂质原子的半导体，n型补偿半导体，p型补偿半导体，完全补偿半导体）21. /电子浓度（N型）22. /空穴浓度（P型）23. EF随掺杂浓度和温度的变化随着掺杂浓度的提高，n型半导体的费米能级逐渐向导带靠近，p型半导体逐渐向价带靠近；随着温度的升高，ni增加，费米能级趋近于本征费米能级。载流子运输（漂移运动和扩散运动）24. 电导率25. 电子漂移电流密度（u为迁移率）26. 空穴漂移电流密度27. 电子扩散电流密度 （D为扩散系数）28. 空穴扩散电流密度29. /总电流密度霍尔效应30. 霍尔电压VH为正，P型半导体；霍尔电压为负，N型半导体。31. 载流子浓度与霍尔电压成反比，金属的霍尔效应不明显/空穴浓度32. 浓度为正/电子浓度33. 载流子浓度和电场强度与迁移率成反比/空穴迁移率34. /电子迁移率非平衡过剩载流子35. 稳态时（）过剩电子浓度36. /小注入P型半导体的双极运输方程37. /小注入N型半导体的双极运输方程38. 双极运输方程的常见简化形式P146Pn结二极管39. 反向饱和电流密度 或40. 电流密度41. 空间电荷区随反向偏压增加而增大，随掺杂浓度增加而减小，随正向电压增加而减小简答题42. 在pn结的伏安曲线中，当外加电压很大时，要考虑串联电阻的影响43. 金属、绝缘体、半导体的能带理论解释1. 满带的电子不导电；2. 对于导体，除有完全填充的满带，还有部分填充的能带；3. 对于绝缘体和半导体，只有完全填充的满带，没有部分填充的能带；4. 相当于绝缘体，半导体的带隙宽度较小，受热激发或光照时，价带的电子容易跃迁到导带导电。44. 空间电荷区（耗尽区）：半导体带净正电荷和净负电荷的区域，不存在电子和空穴。45. 空穴 ：与价带顶部空状态相关的带正电“粒子”46. 量子力学三定律能量量子化、波粒二相性、不确定原理47. 影响载流子的迁移率的两种散射机制：晶格散射和电离杂质散射温度升高，晶格散射增加，迁移率下降；温度升高，电离杂质散射减少，迁移率上升；杂质浓度增加，电离杂质散射增加，迁移率下降。48. 电子浓度和电导率随温度的变化关系：在低温区，电子浓度主要由杂质电离提供，电子浓度和电导率随温度的升高而增加；在中温区，杂质已全部电离，电子浓度保持恒定，但由于晶格散射作用，迁移率和电导率随温度升高而降低；在高温区，本征载流子浓度增加并主导电子浓度和电导率，电子浓度和电导率随