芯片工艺流程 PPT课件

1 芯片生产工艺流程 课件 2 单晶拉制 1 3 单晶拉制 2 4 单晶拉制 3 5 单晶拉制 4 6 单晶拉制 5 7 环境和着装 8 单项工艺 扩散 1 卧式4炉管扩散 氧化炉 扩散 氧化进炉实景图 9 单项工艺 扩散 2 立式扩散 氧化炉 扩散 氧化进炉实景图 10 单项工艺 扩散 3 扩散工序作业现场 11 单项工艺 光刻 1 先进光刻曝光设备 12 单项工艺 光刻 2 现场用光刻曝光设备 13 单项工艺 光刻 3 检查用显微镜 14 单项工艺 光刻 4 清洗 淀积 生长隔离层 匀胶 SiO2Si3N4金属 HMDS喷淋 增加Si的粘性 匀光刻胶 15 单项工艺 光刻 5 前烘 对版 匀胶 对每个圆片必须按要求对版 用弧光灯将光刻版上的图案转移到光刻胶上 增加黏附作用 促进有机溶剂挥发 16 单项工艺 光刻 6 显影 漂洗 坚膜 腐蚀 硬化光刻胶 增加与硅片的附着性 将圆片进行显影 漂洗 不需要的的光刻胶溶解到有机溶剂 去胶 干法腐蚀 湿法腐蚀 17 单项工艺 光刻 7 光刻工艺过程 18 单项工艺 CVD 1 19 单项工艺 CVD 2 初级离子气体被吸收到硅片表面 20 单项工艺 CVD 3 初级离子气体在硅片表面分解 21 单项工艺 CVD 4 玻璃的解吸 22 单项工艺 CVD 5 23 单相工艺 离子注入 1 24 单相工艺 离子注入 2 25 单相工艺 离子注入 3 26 单相工艺 蒸发 1 蒸发原理示意图 27 单相工艺 蒸发 2 溅射原理示意图 28 单相工艺 蒸发 3 29 单相工艺 清洗 30 基础认知 31 衬底材料 扩散层 外延层 单晶片 扩散片 外延片 32 一次氧化 sio 2 外延层 33 基区光刻 sio 2 外延层 34 干氧氧化 sio 外延层 2 35 离子注入 sio 外延层 2 杂质注入 36 基区扩散 sio 外延层 2 基区 37 发射区光刻 sio 外延层 2 基区 38 发射区预淀积 sio 外延层 2 基区 发射区 集电区 39 发射区扩散 sio 外延层 2 基区 发射区 集电区 40 发射区低温氧化 sio 外延层 2 基区 发射区 集电区 41 氢气处理 sio 外延层 2 基区 发射区 集电区 42 N 光刻 适用于P型片 sio 外延层 2 基区 发射区 集电区 43 N 淀积扩散 适用P型片 sio 外延层 2 基区 发射区 集电区 44 N 低温氧化 适用P型片 sio 外延层 2 基区 发射区 集电区 45 氢气处理 适用P型片 sio 外延层 2 基区 发射区 集电区 46 3B光刻 sio 外延层 2 基区 发射区 集电区 47 铝蒸发 AL 外延层 基区 发射区 集电区 48 四次光刻 AL 外延层 基区 发射区 集电区 49 氮氢合金 AL 外延层 基区 发射区 集电区 50 AL上CVD SiO 外延层 基区 发射区 集电区 2 51 氮气烘焙 适用N型片 SiO 外延层 基区 发射区 集电区 2 52 五次光刻 SiO 外延层 基区 发射区 集电区 2 53 中测抽测 SiO 外延层 基区 发射区 集电区 2 测试系统 54 减薄 抛光 SiO 外延层 基区 发射区 集电区 2 减薄和抛光部分 55 蒸金 银 SiO 外延层 基区 发射区 集电区 2 56 背金合金 SiO 外延层 基区 发射区 集电区 2 57 芯片测试 SiO 外延层 基区 发射区 集电区 2 测试系统 58 N型片制造 一般 工艺流程 N型片投片和编批 一次氧化 基区光刻 干氧氧化 硼离子注入 基区扩散 发射区光刻 发射区磷预淀积 发射区扩散 发射区低温氧化 3次光刻 铝蒸发 氮氢合金 铝上CVD 五次光刻 氮气烘焙 中测抽测 背面合金 芯片测试 减薄 抛光 四次光刻 氢气处理 蒸金 59 P型片制造 一般 工艺流程 P型投片编批 一次氧化 基区光刻 发射区硼预淀积 磷离子注入 基区扩散 发射区光刻 发射区低