模拟电子技术习题解答(康华光版)ppt课件

.,模拟电子技术习题（部分）,教材：模拟电子技术基础（第四版）华中理工大学康华光主编,.,第二章习题解答,晶体管器件,.,A:D导通，VAO=6VB:D截止，VAO=12VC:D1导通，D2截止，VAO=0VD:D1截止，D2导通，VAO=6V,习题2.4.3,.,习题2.4.4,解题的原则：先断开二极管，计算二极管连接点的电位高低。A:VA=1V,VB=3.5V,D截止B:VA=1V,VB=1.5V,D截止C:VA=1V，VB=0.5V,D临界状态,.,习题2.4.5,A:B:,.,习题2.4.6,.,习题2.4.8,.,习题2.4.12,.,习题2.5.1,.,第三章习题解答,基本放大电路,.,模拟电子习题3,P1403.1.1解题要点:先确定发射结(三极管放大，则正向电压0.20.3V或0.60.7V)及集电极,就可以知道管子的材料及类型。在本题中：A：为集电极且电位最低，所以管子是PNP型，B发射极，C基极，三极管是锗材料。,.,习题3.1.2,三极管各极电流关系：IE=IC+IB所以，A为集电极，B为基极，C为发射极。管子为NPN型，,.,习题3.1.4,IC=PCMVCE=15mA若IC=1mA，则VCE不得超过30V。,.,习题3.2.1,不能放大，电源接反、发射结短路。能。不能，Rb接错。不能，VCC接反,.,习题3.2.2,A位置：IB=(12-0.6)/40K=0.285mA,IC=22.8mA,VCE=100，得RC=4.1K。VCE=12V-1mA4.1K7.9V,.,习题3.4.4,1.计算Q点：IBQ=-(12V-0.7)/0.3M=0.038mAICQ=-0.038-3.8mA，VCEQ=-4.4V2.H参数等效电路，图中rbe=984,AV=-100RL/rbe，Ri=Rb/rberbe，Ro=2K截止失真，减小RB,.,习题3.4.5,IBQ=(VCC-VBE)/R1,ICQ=IBQ，VCEQ=VCCICQ(R2+R3)AV=-RL/rbe，式中RL=R2/RLRi=R1/rbeRo=R23.C3开路，AV,Ro都增大,.,习题3.5.1,IBQ=(12-0.7)/750K=15A,ICQ=0.01560=0.9mA,VCEQ=12-0.96.8=5.88V;75度时，75,VBE=0.6V，IBQ=(12-0.6)/750K=15.2A,ICQ=0.015275=1.14mA,VCEQ=12-1.146.8=4.25V;=115,IBQ=15,ICQ=1.725mA,VCEQ=0.27V,饱和,.,习题3.5.4,VBE=10Rb2/(Rb1+Rb2)=4.28V,IEQICQ=(4.28-0.7)/2K=1.79mA,VCEQ=10-1.79(2K+2K)=2.84V,rbe=1.75K,AV1=-ri/(ri+RS)RL/rbe+(1+)Re=-0.98ri/(ri+RS),AV2ri/(ri+RS)3.ri=Rb1/Rb2/(rbe+1012K)8.5K,4.Ro1=2K,Ro2=(RS/Rb1/Rb2+rbe)/(1+)/Re,.,习题3.6.2,IBQ=(12-0.7)/(Rb+51Re)=21.7A,ICQ=IBQ=1.086mA，VCEQ=-6.5V,rbe=1.5KAV1,Ri=Rb/(rbe+51Re/RL)90K,Ro=Re/(RS/Rb+rbe)/(1+)=39Vo=Ri/(Ri+Ro)AvVs200mV,.,习题3.7.1,|AVM|=60db=1000(倍),fL=100Hz,fH=100MHzf=fH=fL时，|AVM|=57db,.,第五章习题解答,功率放大器,.,P220习题5.2.2,(1)：POM=VCC2/2RL=4.5W(2)：PCM0.2POM=O.9W(3)：每个管子的耐压:V(BR)ceo24V,.,习题5.2.3,(1)：POM=VCC2/2RL9WVCC12V(2)：ICM1.5A,|V(RB)CEO|24V(3):PV=2VCC2/（RL）=11.5W(4):PCM1.8W(5):Ui=8.5V,.,习题5.2.4,(1)(2),.,习题5.3.1,单电源功放的功率计算：POM=9W,则VCC24V,.,习题5.3.2,.,习题5.3.3,静态时C2的电压6V，调R1增大R2损坏T1,T2,.,习题5.4.2,此电路属于OCL功放POM=152(28)=14W78.5%,.,第六章习题解答,差动放大器与集成运放,.,第六章习题,P270习题6.2.1解:（1）,(2),.,习题6.2.3,Io=2mA,Ic1=Ic2=1mA,IB1=Ic1/=10A,Vce=5VVo=AVD（vi1-vi2)=860mV，式中：RL=5.6K:,.,4.Rid=2rbe+(1+)Re1=26K,Ric=rbe+(1+)Re/2+(1+)ro=10MRo=11.2K,.,习题6.2.4,RL=,vo2=0.02AVD/2=430mVRL=5.6K,Vo2215mVAVD2=21.5,3.Rid=26K,Ric10M,Ro2=5.6K,.,习题6.2.7,求Q点VR2=9V3K/(3K+5.6K)=3.14V,Ic3=2mA,Ic2=Ic1=1mA,VceQ=5V,rbe1=rbe2=1.6K,RAB=3118K2.,.,.,习题6.2.8,求Q：IC3=1mA,VB3=9V,VC2=8.3V,IE=2IC2=0.74mA,IC2=0.37mA,VCEQ3=9V,VCEQ2=9V,Re2=5.27K,rbe1=rbe2=300+26(1+)/2=3.9K,rbe3=2.4K,ri3=rbe3+(1+)Re3=245K,.,2.AV,Vi=5mV,Vo=955mVAV=95.5,.,第七章习题解答,反馈放大器,.,(a):电压并联交直流负反馈，反馈元件R2,习题7.1.1,7.1.2(P314）,.,(b)：Rf1,Rf2,C电压并联直流负反馈Re1电流串联交直流负反馈,习题7.1.1,7.1.2(P314）,.,(c):Rf,Re2电流并联交直流负反馈,习题7.1.1,7.1.2(P314）,.,(d):R1,R2电压串联交直流负反馈,习题7.1.1,7.1.2(P314）,.,(e):A2,R3电压并联交直流负反馈,习题7.1.1,7.1.2(P314）,.,习题7.1.1,7.1.2(P314）,(f):R6电流串联交直流负反馈,.,习题7.1.3,对于并联负反馈，Rs要求越大越好；对于串联负反馈Rs要越小越好；因此，(a):Rs要小，(b):Rs要大,(a)(b),.,习题7.1.4,Rf1引入电流串联负反馈，使rif提高，Rf2引入电压并联负反馈，使rif降低。,2.拆去Rf2虽然可提高输入电阻，但整体性能下降，解决的办法是将Rf2的左端改接到T2集电极。,.,习题7.1.5,(a):不可能，因为是正反馈，应交换运放正负极。(b)：不能，应交换R和RL,(a)(b),.,习题7.1.6,(1)：反馈类型：电流并联负反馈。,.,(2):输出电流的计算,(3)：该电路为压控电流源,习题7.1.6,.,习题7.1.7,(1):电压串联负反馈:i-h,j-f,d-GND,a-c,.,习题7.2.1,电路看成电压串联负反馈,若Vo=2V,则Vi=100mV,Vf=99mV,Vid=1mV,.,习题7.4.1,电路为电压串联负反馈，ri很高，ro很低,.,第八章习题解答,运放的应用,.,习题8.1.1P375,.,习题8.1.2,.,习题8.1.4,A1、A2为电压跟随器,.,习题8.1.5,A1、A2、A3、A4均为电压跟随器,.,习题8.1.8,.,习题8.1.9,Vs=I1R1,I1=I2Vm=I2R2=I1R2=VSR2R1I4=VMR4=R2VS(R1R4)=I1R2R4VO=I3R3+VM=(I1+I4)R3+VM=I1(1+R2/R4)R3I1R2=(R2+R3+R2R3/R4)VS/R1VOVS=(R2+R3+R2R3/R4)R1,.,习题8.1.10,(1):(2):,.,习题8.1.19,（3）：功能：,（2）：波形图,（1）:输入输出特性,取绝对值运算、小信号整流。,.,第九章习题解答,波形发生器,.,习题9.2.1p429,(a):不能，因为是反相放大器(b):能,.,习题9.2.2,(1)：能。(2)：Rf2Re1,f=1/2RC=58.5Hz(3):Re1正温度系数，Rf负温度系数,.,习题9.2.3,(a)：能(b)：不能,.,习题9.2.4,R2断开，则输出变成方波，输出电压10V，峰峰值20V,.,习题9.2.5,R1=2K,Rf=2R1=RP+rd/4.5KRP=4K0.5K/4.5K=3.55K,.,习题9.3.1,(a)：不能，负反馈(b)：能，正反馈，共基极(c)：不能，负反馈，共基极(d)：能，正反馈。,.,习题9.3.2,(a)：不能(b)：能，电容三点式(c)：不能,.,习题9.3.3,(1)：(2)：,(3)：这种电路的主要作用是减小三极管结电容对频率的影响,.,习题9.3.4,(a)：电感三点式(b)：电容三点式只有在石英晶体的串联谐振频fs率才能满足振荡条件。,.,习题9.3.5,在串联谐振频率下振荡，因为只有在此频率晶体才能等效于电阻。采用结型场效应管的可控电阻Rds实现稳幅,.,习题9.3.6,反馈线路中应串入一个电容,.,习题9.4.3,.,习题9.4.5,.,习题9.4.6,.,第十章习题,直流稳压电源,.,习题10.1.1P471,(1)：波形,（2）：VL=0.9V2,IL=VL/RL,（3）：ID=0.5IL,VRM=2V2,（4）：V2A=V2B=VL/0.9=33V,ID=IL/240mA可选100V、100mA以上的二极管,.,习题10.1.2,：:,.,习题10.1.3,(1)：可选择50V、0.5A的二极管（2）:可选35V50V、1000F电容,(3):V2=20V,I2=0.481.5=0.72A,.,习题10.2.1,（1）：如果DZ接反，Vo=0.7V;如果R短路，会烧坏DZ等元件.（2）：V2=VI/1.2=15V,Vo=6V(3):Ro=20/1K20,Vo/Vi=0.02(4):,.,习题10.2.3,（1）：错误：D1、D4、DZ1、DZ2接反；运放输入端交换，漏接电源。（2）：VI=1.2V